9、DIL（dual in-line）DIP的別稱（見DIP）。歐洲半導體廠家多用此名稱。10、DIP（dual in-line package）雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是**普及的插裝型封裝，應用范圍包括標準邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數從6到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm和10.16mm的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP（窄體型DIP）。但多數情況下并不加區分，只簡單地統稱為DIP。另外，用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP也稱為cerdip（見cerdip）。本文是關于單片（monolithic）集成電路，即薄膜集成電路。徐州名優集成電路銷售廠家

3、嚴禁在無隔離變壓器的情況下，用已接地的測試設備去接觸底板帶電的電視、音響、錄像等設備嚴禁用外殼已接地的儀器設備直接測試無電源隔離變壓器的電視、音響、錄像等設備。雖然一般的收錄機都具有電源變壓器，當接觸到較特殊的尤其是輸出功率較大或對采用的電源性質不太了解的電視或音響設備時，首先要弄清該機底盤是否帶電，否則極易與底板帶電的電視、音響等設備造成電源短路，波及集成電路，造成故障的進一步擴大。4、要注意電烙鐵的絕緣性能不允許帶電使用烙鐵焊接，要確認烙鐵不帶電，比較好把烙鐵的外殼接地，對MOS電路更應小心，能采用6~8V的低壓電烙鐵就更安全。錫山區節能集成電路銷售方法表示帶散熱器的標記。例如，HSOP表示帶散熱器的SOP。

7、測試儀表內阻要大測量集成電路引腳直流電壓時，應選用表頭內阻大于20KΩ/V的萬用表，否則對某些引腳電壓會有較大的測量誤差。8、要注意功率集成電路的散熱功率集成電路應散熱良好，不允許不帶散熱器而處于大功率的狀態下工作。9、引線要合理如需要加接**元件代替集成電路內部已損壞部分，應選用小型元器件，且接線要合理以免造成不必要的寄生耦合，尤其是要處理好音頻功放集成電路和前置放大電路之間的接地端。例如：肖特基4輸入與非門CT54S20MDC—符合國家標準T—TTL電路54S20—肖特基雙4輸入與非門M—‐55~125℃D—多層陶瓷雙列直插封裝1、BGA（ball grid array）

球形觸點陣列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陣列方式制作出球形凸點用以代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也稱為凸點陣列載體（PAC）。引腳可超過200，是多引腳LSI 用的一種封裝。封裝本體也可做得比QFP（四側引腳扁平封裝）小。例如，引腳中心距為1.5mm的360引腳BGA*為31mm見方；而引腳中心距為0.5mm的304 引腳QFP為40mm見方。而且BGA不用擔心QFP那樣的引腳變形問題（見有圖所示）。陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁，基導熱率比氧化鋁高7～8倍，具有較好的散熱性。

外，由于引線的阻抗小，對于高速LSI是很適用的。但由于插座制作復雜，成本高，90年代基本上不怎么使用。預計今后對其需求會有所增加。24、LOC（lead on chip）芯片上引線封裝。LSI封裝技術之一，引線框架的前端處于芯片上方的一種結構，芯片的中心附近制作有凸焊點，用引線縫合進行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側面附近的結構相比，在相同大小的封裝中容納的芯片達1mm左右寬度。25、LQFP（low profile quad flat package）薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP，是日本電子機械工業會根據制定的新QFP外形規格所用的名稱。DIP是普及的插裝型封裝，應用范圍包括標準邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。徐州本地集成電路產品介紹

當今半導體工業大多數應用的是基于硅的集成電路。徐州名優集成電路銷售廠家

19、H-（with heat sink）表示帶散熱器的標記。例如，HSOP表示帶散熱器的SOP。20、pin grid array（surface mount type）集成電路表面貼裝型PGA。通常PGA為插裝型封裝，引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA在封裝的底面有陳列狀的引腳，其長度從1.5mm到2.0mm。貼裝采用與印刷基板碰焊的方法，因而也稱為碰焊PGA。因為引腳中心距只有1.27mm，比插裝型PGA小一半，所以封裝本體可制作得不怎么大，而引腳數比插裝型多（250～528），是大規模邏輯LSI用的封裝。封裝的基材有多層陶瓷基板和玻璃環氧樹脂印刷基數。以多層陶瓷基材制作封裝已經實用化。徐州名優集成電路銷售廠家

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