39、P－LCC（plastic teadless chip carrier）（plastic leaded chip currier）有時(shí)候是塑料QFJ的別稱，有時(shí)候是QFN（塑料LCC）的別稱（見QFJ和QFN）。部分LSI廠家用PLCC表示帶引線封裝，用P－LCC表示無引線封裝，以示區(qū)別。40、QFH（quad flat high package）四側(cè)引腳厚體扁平封裝。塑料QFP的一種，為了防止封裝本體斷裂，QFP本體制作得較厚（見QFP）。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。41、QFI（quad flat I-leaded packgac）四側(cè)I形引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝四個(gè)側(cè)面引出，向下呈I字。也稱為MSP（見MSP）。貼裝與印刷基板進(jìn)行碰焊連接。由于引腳無突出部分，貼裝占有面積小于QFP。日立制作所為視頻模擬IC開發(fā)并使用了這種封裝。此外，日本的Motorola公司的PLL IC也采用了此種封裝。引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從18于68。焊接時(shí)確實(shí)焊牢，焊錫的堆積、氣孔容易造成虛焊。新吳區(qū)節(jié)能集成電路產(chǎn)品介紹

38、PLCC（plastic leaded chip carrier）帶引線的塑料芯片載體。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝的四個(gè)側(cè)面引出，呈丁字形，是塑料制品。美國德克薩斯儀器公司首先在64k位DRAM和256kDRAM中采用，90年代已經(jīng)普及用于邏輯LSI、DLD（或程邏輯器件電路。引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從18到84。J形引腳不易變形，比QFP容易操作，但焊接后的外觀檢查較為困難。PLCC與LCC（也稱QFN）相似。以前，兩者的區(qū)別*在于前者用塑料，后者用陶瓷。但現(xiàn)在已經(jīng)出現(xiàn)用陶瓷制作的J形引腳封裝和用塑料制作的無引腳封裝（標(biāo)記為塑料LCC、PC LP、P－LCC等），已經(jīng)無法分辨。為此，日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)于1988年決定，把從四側(cè)引出J形引腳的封裝稱為QFJ，把在四側(cè)帶有電極凸點(diǎn)的封裝稱為QFN（見QFJ和QFN）。惠山區(qū)名優(yōu)集成電路產(chǎn)品介紹集成電路（integrated circuit）是一種微型電子器件或部件。

——這是集成電路的布局，模擬電路和數(shù)字電路分開，處理小信號(hào)的敏感電路與翻轉(zhuǎn)頻繁的控制邏輯分開，電源單獨(dú)放在一角。每層樓的房間布局不一樣，走廊也不一樣，有回字形的、工字形的、幾字形的——這是集成電路器件設(shè)計(jì)，低噪聲電路中可以用折疊形狀或“叉指”結(jié)構(gòu)的晶體管來減小結(jié)面積和柵電阻。各樓層直接有高速電梯可達(dá)，為了效率和功能隔離，還可能有多部電梯，每部電梯能到的樓層不同——這是集成電路的布線，電源線、地線單獨(dú)走線，負(fù)載大的線也寬；時(shí)鐘與信號(hào)分開；每層之間布線垂直避免干擾；CPU與存儲(chǔ)之間的高速總線，相當(dāng)于電梯，各層之間的通孔相當(dāng)于電梯間……

集成電路或稱微電路（microcircuit）、微芯片（microchip）、芯片（chip）在電子學(xué)中是一種把電路（主要包括半導(dǎo)體裝置，也包括被動(dòng)元件等）小型化的方式，并通常制造在半導(dǎo)體晶圓表面上。前述將電路制造在半導(dǎo)體芯片表面上的集成電路又稱薄膜（thin-film）集成電路。另有一種厚膜（thick-film）混成集成電路（hybrid integrated circuit）是由**半導(dǎo)體設(shè)備和被動(dòng)元件，集成到襯底或線路板所構(gòu)成的小型化電路。本文是關(guān)于單片（monolithic）集成電路，即薄膜集成電路。雙側(cè)引腳帶載封裝。TCP（帶載封裝）之一。

這就是初期集成電路的構(gòu)想，晶體管的發(fā)明使這種想法成為了可能，1947年在美國貝爾實(shí)驗(yàn)室制造出來了***個(gè)晶體管，而在此之前要實(shí)現(xiàn)電流放大功能只能依靠體積大、耗電量大、結(jié)構(gòu)脆弱的電子管。晶體管具有電子管的主要功能，并且克服了電子管的上述缺點(diǎn)，因此在晶體管發(fā)明后，很快就出現(xiàn)了基于半導(dǎo)體的集成電路的構(gòu)想，也就很快發(fā)明出來了集成電路。杰克·基爾比（Jack Kilby）和羅伯特·諾伊斯（Robert Noyce）在1958~1959期間分別發(fā)明了鍺集成電路和硅集成電路。集成電路按導(dǎo)電類型可分為雙極型集成電路和單極型集成電路，他們都是數(shù)字集成電路。宜興名優(yōu)集成電路服務(wù)熱線

觸點(diǎn)陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態(tài)坦電極觸點(diǎn)的封裝。新吳區(qū)節(jié)能集成電路產(chǎn)品介紹

26、L－QUAD陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁，基導(dǎo)熱率比氧化鋁高7～8倍，具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI開發(fā)的一種封裝，在自然空冷條件下可容許W3的功率。現(xiàn)已開發(fā)出了208引腳（0.5mm中心距）和160引腳（0.65mm中心距）的LSI邏輯用封裝，并于1993年10月開始投入批量生產(chǎn)。27、MCM（multi-chip module）多芯片組件。將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可分為MCM－L，MCM－C 和MCM－D三大類。MCM－L是使用通常的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低。 MCM－C是用厚膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或玻璃陶瓷）作為基板的組件，與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM－L。新吳區(qū)節(jié)能集成電路產(chǎn)品介紹

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