將焊接好的電路板裝進合適的塑料肥皂盒或原調速器盒中，將原分線器開關拆除不用，留出空余位置便于安裝印制板電路。一般風扇用電抗器均采取5擋。不妨利用其中①、③、⑤擋，將強風（第1擋）、中風（第2擋）弱風（第3擋）分別接到電抗器的各擋中。若有的調速器中無電抗器，風扇電機則是采取抽頭方式改變風速的，同樣將三種風速分別接至分線器的三極引線中。在改裝中特別要注意安全，印制板上220V交流電源接線端及所有導電部位應與調整器盒的金屬件嚴格隔離。改裝完畢，可用測電筆碰觸調速器有否漏電。否則應進一步采取絕緣措施。通電試驗時，用萬用表DC10V檔測C2兩端電壓應為5V－6V之間，若不正常，應重點檢查整流穩壓電路，然后再分別按動SB1－SB4開關，觀察各路指示管VD1－VD8應按對應的選擇功能發光或熄滅，風扇也應同步工作于不同狀態。“質量優先，用戶至上，以質量求發展，與用戶共創雙贏”是淄博正高電氣新的經營觀。內蒙古大功率可控硅調壓模塊結構

必須使陽極電流《維持電流，對于電阻負載，只要使管子陽極電壓降為零即可。為了保證晶閘管可靠迅速關斷，通常在管子陽極電壓互降為零后，加上一定時間的反向電壓。晶閘管主要特性參數1．正反向重復峰值電壓——額定電壓（VDRM、VRRM取其小者）2．額定通態平均電流IT（AV）——額定電流（正弦半波平均值）3．門極觸發電流IGT，門極觸發電壓UGT，（受溫度變化）晶閘管關斷過電壓（換流過電壓、空穴積蓄效應過電壓）及保護晶閘管從導通到阻斷，線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量產生過電壓。由于晶閘管在導通期間，載流子充滿元件內部。在關斷過程中，管子在反向作用下，正向電流下降到零時，元件內部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時出現較大的反向電流，使殘存的載流子迅速消失，這時反向電流減小即diG/dt極大，產生的感應電勢很大，這個電勢與電源串聯，反向加在已恢復阻斷的元件上，可導致晶閘管反向擊穿。這就是關斷過電壓（換相過電壓）。數值可達工作電壓的5~6倍。保護措施：在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。2．交流側過電壓及其保護由于交流側電路在接通或斷開時出現暫態過程，會產生操作過電壓。高壓合閘的瞬間，由于初次級之間存在分布電容。濟寧單相可控硅調壓模塊哪家好淄博正高電氣產品**國內。

晶閘管陽極與陰極之間施加正弦半波反向電壓，當其反向漏電電流急劇增加時反對應的峰值電壓。(五)晶閘管反向重復峰值電壓VRRM反向重復峰值電壓VRRM，是指晶閘管在門極G斷路時，允許加在A、K極間的大反向峰值電壓。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。(六)晶閘管正向平均電壓降VF正向平均電壓降VF也稱通態平均電壓或通態壓降VT，是指在規定環境溫度和標準散熱條件下，當通過晶閘管的電流為額定電流時，其陽極A與陰極K之間電壓降的平均值，通常為。(七)晶閘管門極觸發電壓VGT門極觸發VGT，是指在規定的環境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值正向電壓的條件下，使晶閘管從阻斷狀態轉變為導通狀態所需要的小門極直流電壓，一般為。(八)晶閘管門極觸發電流IGT門極觸發電流IGT，是指在規定環境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值電壓的條件下，使晶閘管從阻斷狀態轉變為導通狀態所需要的小門極直流電流。(九)晶閘管門極反向電壓門極反向電壓是指晶閘管門極上所加的額定電壓，一般不超過10V。(十)晶閘管維持電流IH維持電流IH是指維持晶閘管導通的小電流。當正向電流小于IH時，導通的晶閘管會自動關斷。(十一)晶閘管斷態重復峰值電流IDR斷態重復峰值電流IDR。

晶閘管的主要電參數有正向轉折電壓VBO、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL、斷態重復峰值電壓VDRM、反向重復峰值電壓VRRM、正向平均壓降VF、通態平均電流IT、門極觸發電壓VG、門極觸發電流IG、門極反向電壓和維持電流IH等。(一)晶閘管正向轉折電壓VBO晶閘管的正向轉折電壓VBO是指在額定結溫為100℃且門極(G)開路的條件下，在其陽極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓、使其由關斷狀態轉變為導通狀態時所對應的峰值電壓。(二)晶閘管斷態重復峰值電壓VDRM斷態重復峰值電壓VDRM，是指晶閘管在正向阻斷時，允許加在A、K(或T1、T2)極間大的峰值電壓。此電壓約為正向轉折電壓減去100V后的電壓值。(三)晶閘管通態平均電流IT通態平均電流IT，是指在規定環境溫度和標準散熱條件下，晶閘管正常工作時A、K(或T1、T2)極間所允許通過電流的平均值。(四)反向擊穿電壓VBR反向擊穿電壓是指在額定結溫下，晶閘管陽極與陰極之間施加正弦半波反向電壓，當其反向漏電電流急劇增加時反對應的峰值電壓。(五)晶閘管反向重復峰值電壓VRRM反向重復峰值電壓VRRM，是指晶閘管在門極G斷路時，允許加在A、K極間的大反向峰值電壓。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。。淄博正高電氣熱忱歡迎新老客戶惠顧。

可控硅又稱晶閘管（晶體閘流管），是一種常用的功率型半導體器件，其主要的功能是功率控制。可控硅可分為單向可控硅、雙向可控硅、可關斷可控硅等。可控硅的特點是具有可控的單向導電性，以小電流控制大電流，以低電壓控制高電壓。可控硅可以用萬用表進行檢測。一、檢測單向可控硅單向可控硅是PNPN四層結構，形成3個PN結，具有3個外電極：陽極A、陰極K、控制極G。單向可控硅的引腳如下圖所示。檢測時，萬用表置于“Rx10Ω”檔，黑表筆（表內電池正極）接單向可控硅的控制極G，紅表筆（表內電池負極）接單向可控硅的陰極K，這時測量的是單向可控硅PN結的正向電阻，應有較小的阻值。如下圖所示。對調兩表筆后，測其反向電阻，應比正向電阻明顯大一些。萬用表黑表筆仍接單向可控硅控制極G，紅表筆改接單向可控硅的陽極A，阻值應為無窮大，如下圖所示。對調兩表筆后，再測，阻值仍應為無窮大。這是因為G、A間為兩個PN結反向串聯，正常情況下其正、反向阻值均為無窮大。二、檢測單向晶閘管導通特性萬用表置于Rx1Ω檔，黑表筆接單向可控硅陽極A，紅表筆接單向可控硅陰極K，表針應指示為無窮大。這是用金屬導體將控制極G與陽極A短接一下（短接后馬上斷開）。淄博正高電氣愿與各界朋友攜手共進，共創未來！棗莊雙向可控硅調壓模塊結構

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這種電位器可以直接焊在電路板上，電阻除R1要用功率為1W的金屬膜電阻外，其余的都用功率為1/8W的碳膜電阻。D1—D4選用反向擊穿電壓大于300V、大整流電流大于，如2CZ21B、2CZ83E、2DP3B等。SCR選用正向與反向電壓大于300V、額定平均電流大于1A的可控硅整流器件，如國產3CT系列。可控硅調壓器電路圖（二）在很多使用交流電源的負載中，需要完成調光、調溫等功能，要求交流電源能平穩地調節電壓。圖205所示，是一種筒單交流調壓器，可代替普通交流調壓器，體積小、重量輕、控制方便。工作原理電源經電阻R，和電位器W向電容C充電。當電容上的電成送到手定值時堯通過二極管D和可控硅控制極，使可控硅觸發導通，電流流經負載，可控硅導通后。觸發電路被短接。在交流電壓為零時，可控硅又自動斷開，而后觸發電路中電容C再次充電，使可控硅再次導通。改變電容的容量和w阻值。可增大或堿小導通角，使輸出電壓升高或降低。從而起到調壓之目的。可控硅的反向電壓由電源電壓來定：電流參數由負載Rr嬰求來定。可控硅調壓器電路圖（三）本例介紹的溫度控制器，具有SB260取材方便、性能可靠等特點，可用于種子催芽、食用菌培養、幼畜飼養及禽蛋卵化等方面的溫度控制。內蒙古大功率可控硅調壓模塊結構

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