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西藏晶閘管移相調(diào)壓模塊價(jià)格

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-06-04

大家知道,晶閘管G、K之間是一個(gè)PN結(jié)〔圖2(a)〕,相當(dāng)于一個(gè)二極管,G為正極、K為負(fù)極,所以,按照測(cè)試二極管的方法,找出三個(gè)極中的兩個(gè)極,測(cè)它的正、反向電阻,電阻小時(shí),萬(wàn)用表黑表筆接的是控制極G,紅表筆接的是陰極K,剩下的一個(gè)就是陽(yáng)極A了。測(cè)試晶閘管的好壞,可以用剛才演示用的示教板電路(圖3)。接通電源開(kāi)關(guān)S,按一下按鈕開(kāi)關(guān)SB,燈泡發(fā)光就是好的,不發(fā)光就是壞的。四、晶閘管在電路中的主要用途是什么?普通晶閘管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管,就可以構(gòu)成可控整流電路。現(xiàn)在我畫(huà)一個(gè)簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路〔圖4(a)〕。在正弦交流電壓U2的正半周期間,如果VS的控制極沒(méi)有輸入觸發(fā)脈沖Ug,VS仍然不能導(dǎo)通,只有在U2處于正半周,在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通。現(xiàn)在,畫(huà)出它的波形圖〔圖4(c)及(d)〕,可以看到,只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí),負(fù)載RL上才有電壓UL輸出(波形圖上陰影部分)。Ug到來(lái)得早,晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就早;Ug到來(lái)得晚,晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間,就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中。公司生產(chǎn)工藝得到了長(zhǎng)足的發(fā)展,優(yōu)良的品質(zhì)使我們的產(chǎn)品****各地。西藏晶閘管移相調(diào)壓模塊價(jià)格

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泄放保護(hù)電阻R1用1W金屬膜電阻或線繞電阻外,其余元器件均為普通型。電阻為1/8W;電解電容的耐壓值取10V-16V,C1取值范圍為-lu之間;穩(wěn)壓管VD9為5V-6V/1W,可選用ZCW104(舊型號(hào)為ZCW21B)硅穩(wěn)壓管;VS1-VS3為1A/400V小型塑封雙向晶閘管,可選用MAC94A4型或MAC97A6型;L為電抗器,可以自制,亦可采用原調(diào)速器中的電抗器;SB1-SB4為輕觸型按鍵開(kāi)關(guān)(也叫微動(dòng)或點(diǎn)動(dòng)開(kāi)關(guān)),有條件的可采用導(dǎo)電橡膠組合按鍵開(kāi)關(guān)。電路焊接無(wú)誤,一般不用調(diào)試就能工作。改裝方法該電路對(duì)所有普通風(fēng)扇都能進(jìn)行改裝。將焊接好的電路板裝進(jìn)合適的塑料肥皂盒或原調(diào)速器盒中,將原分線器開(kāi)關(guān)拆除不用,留出空余位置便于安裝印制板電路。一般風(fēng)扇用電抗器均采取5擋。不妨利用其中①、③、⑤擋,將強(qiáng)風(fēng)(第1擋)、中風(fēng)(第2擋)弱風(fēng)(第3擋)分別接到電抗器的各擋中。若有的調(diào)速器中無(wú)電抗器,風(fēng)扇電機(jī)則是采取抽頭方式改變風(fēng)速的,同樣將三種風(fēng)速分別接至分線器的三極引線中。在改裝中特別要注意安全,印制板上220V交流電源接線端及所有導(dǎo)電部位應(yīng)與調(diào)整器盒的金屬件嚴(yán)格隔離。改裝完畢,可用測(cè)電筆碰觸調(diào)速器有否漏電。否則應(yīng)進(jìn)一步采取絕緣措施。通電試驗(yàn)時(shí)。云南大功率晶閘管移相調(diào)壓模塊分類(lèi)淄博正高電氣始終以適應(yīng)和促進(jìn)工業(yè)發(fā)展為宗旨。

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可控硅損壞原因判別哪種參數(shù)壞了?當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時(shí),可把管芯從冷卻套中取出,打開(kāi)芯盒再取出芯片,觀察其損壞后的痕跡,以判斷是何原因。下面介紹幾種常見(jiàn)現(xiàn)象分析。1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞,其芯片中有一個(gè)光潔的小孔,損壞的面積小,有時(shí)需用擴(kuò)大鏡才能看見(jiàn)。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿。2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑,且粗糙,損壞的面積大,其位置在遠(yuǎn)離控制極上。3電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同,而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處,有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導(dǎo)致電壓擊穿。5、G-K電壓擊穿。晶閘管G-K間因不能承受反向電壓()12V)而損壞,其芯片G-K間有燒焦的通路(短路痕跡)。

壓接式和焊接式可控硅模塊有哪些區(qū)別?可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式,擁有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,這種可控硅模塊的體積非常的小,結(jié)構(gòu)也十分的緊湊,對(duì)于維修與安裝都有很大的作用,可控硅模塊的類(lèi)型非常的多,比方說(shuō)壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等,很多人不是很清楚兩者之間的差異,下面詳細(xì)的進(jìn)行區(qū)分一下。①?gòu)碾娏鞣矫鎭?lái)講,焊接式可控硅模塊可以做到160A電流,同時(shí)壓接式模塊的電流就能夠達(dá)到1200A,這就是講低于160A的模塊,不只是有焊接式的,同時(shí)也有壓接式的。可控硅模塊②從外形方面來(lái)講,焊接式的可控硅模塊遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒(méi)有壓接式的外形比較好,壓接式的屬于一體成型,技術(shù)十分的標(biāo)準(zhǔn),焊接式的局部地區(qū)可能有焊接的痕跡,但是在使用的時(shí)候是沒(méi)有任何的影響的。③眾所周知,壓接式可控硅模塊的市場(chǎng)占有率是非常大的,有不少的公司都會(huì)使用壓接式可控硅模塊,這其中的原因可能使由于其外形十分的美觀,除此之外從價(jià)格方面來(lái)講,焊接式可控硅模塊的成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)要比壓接式可控硅模塊的成本低。淄博正高電氣熱忱歡迎新老客戶惠顧。

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維持繼電器吸合約4秒鐘,故電路動(dòng)作較為準(zhǔn)確。如果將負(fù)載換為繼電器,即可控制大電流工作的負(fù)載。可控硅是一種新型的半導(dǎo)體器件,它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長(zhǎng)、動(dòng)作快以及使用方便等優(yōu)點(diǎn),活動(dòng)導(dǎo)入以可控硅實(shí)際應(yīng)用案例的展示,以激發(fā)學(xué)生的活動(dòng)興趣。可控硅控制電路的制作13例1:可調(diào)電壓插座電路如圖,可用于調(diào)溫(電烙鐵)、調(diào)光(燈)、調(diào)速(電機(jī)),使用時(shí)只要把用電器的插頭插入插座即可,十分方便。V1為雙向二極管2CTS,V2為3CTSI雙向可控硅,調(diào)節(jié)RP可使插座上的電壓發(fā)生變化。2:簡(jiǎn)易混合調(diào)光器根據(jù)電學(xué)原理可知,電容器接入正弦交流電路中,電壓與電流的大值在相位上相差90°。根據(jù)這一原理,把C1和C2串聯(lián)聯(lián)接,并從中間取出該差為我所用,這比電阻與電容串聯(lián)更穩(wěn)定。電路中,D1和D2分別對(duì)電源的正半波及負(fù)半波進(jìn)行整流,并加到A觸發(fā)和C1或C2充電。進(jìn)一步用W來(lái)改變觸發(fā)時(shí)間進(jìn)行移相,只要調(diào)整W的阻值,就可達(dá)到改變輸出電壓的目的。D1和D2還起限制觸發(fā)極的反相電壓保護(hù)雙向可控硅的作用。3:可調(diào)速吸塵器這種吸塵器使用可控硅元件構(gòu)成調(diào)速電路,能根據(jù)需要控制電機(jī)轉(zhuǎn)速,以發(fā)跡管道吸力的大小。淄博正高電氣提供周到的解決方案,滿足客戶不同的服務(wù)需要。云南大功率晶閘管移相調(diào)壓模塊分類(lèi)

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改變負(fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,實(shí)現(xiàn)了可控整流。如何鑒別可控硅模塊的三個(gè)極鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,根據(jù)P-N結(jié)的原理,只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),而且方向相反,因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通)。控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,可以有比較大的電流通過(guò),因此,有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小,并不能說(shuō)明控制極特性不好。另外,在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí),萬(wàn)用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,防止電壓過(guò)高控制極反向擊穿。若測(cè)得元件陰陽(yáng)極正反向已短路,或陽(yáng)極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說(shuō)明元件已損壞。可控硅模塊是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱(chēng),是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實(shí)際上,可控硅的功用不僅是整流,它還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)以快速接通或切斷電路,實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電。西藏晶閘管移相調(diào)壓模塊價(jià)格

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