用指針式萬用表電阻檔測量可控硅陽極和陰極之間是否短路，一般情況下雙向可控硅陽極和陰極之間的電阻在數十千歐以上，如用萬用表測量時已短路或電阻已小于10千歐以下，可判斷可控硅已擊穿損壞。2.用萬用表分別測量雙向可控硅觸發極與陰極之間的電阻值，一般再幾歐至百十歐以內的正常，觸發極與陽極之間的電阻值，一般再十千歐以上為正常。晶閘管(可控硅)要導通，必須滿足以下條件：雙向晶閘管導通條件：一是晶閘管(可控硅)陽極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓。以上兩個條件必須同時具備，晶閘管(可控硅)才會處于導通狀態。另外，晶閘管(可控硅)一旦導通后，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓，晶閘管(可控硅)仍然導通。雙向晶閘管(可控硅)關斷條件：降低或去掉加在晶閘管(可控硅)陽極至陰極之間的正向電壓，使陽極電流小于小維持電流以下。淄博正高電氣優良的研發與生產團隊，專業的技術支撐。重慶整流可控硅調壓模塊結構

也可用于控制電熱毯、小功率電暖器等家用電器。電路圖溫度控制器電路如圖工作原理220V交流電壓經Cl降壓、VD，和VD。整流、C2濾波及VS穩壓后，一路作為IC（TL431型三端穩壓集成電路）的輸入直流電壓；另一路經RT、R3和RP分壓后，為IC提供控制電壓。在被測溫度低于RP的設定溫度時，NTC502型負溫度系數熱敏電阻器Rr的電阻值較大，IC的控制電壓高于其開啟電壓，IC導通，使LED點亮，VS受觸發而導通，電熱器EH通電開始加熱。隨著溫度的不斷上升，Rr的電阻值逐漸減小，同時IC的控制電壓也隨之下降。當被測溫度高于設定溫度時，IC截止，使LED熄滅，VS關斷，EH斷電而停止加熱。隨后溫度又開始緩慢下降，當被測溫度低于設定溫度時，IC又導通，EH又開始通電加熱。如此循環不止，將被測溫度控制在設定的范圍內。可控硅調壓器電路圖（四）一般書刊介紹的大功率可控硅觸發電路都比較復雜，而且有些元件難以購買。筆者只花幾元錢制作的觸發電路已成功觸發100A以上的可控硅模塊，用于工業淬火爐上調節380V電壓，又裝一套用于大功率鼓風機作無級調速用，效果非常好。本電路也可用作調節220V交流供電的用電器。將兩只單向可控硅SCRl、SCR2反向并聯．再將控制板與本觸發電路連接。內蒙古單向可控硅調壓模塊批發淄博正高電氣竭誠為您服務，期待與您的合作，歡迎大家前來！

晶閘管模塊，俗稱可控硅模塊，是一種能夠在高電壓、大電流條件下工作，廣泛應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中，已然成為一些電路中不可或缺的重要元件。當然，為了能夠使其發揮更大的使用價值，使用時仍然有很多事項需要注意。那就讓正高電氣的小編帶大家去了解下吧！使用晶閘管模塊常識：1.在使用它的同時，必須要考慮除了通過的平均的電流之外，必須要注意正常工作的比如像是導通角的大小、散熱通風的條件或者是其他的一些因素，并且溫度不能超過正常的電流的正常值。2.在使用它的同時，應該用相應的儀器去檢查晶閘管的模塊是不是還是良好的，有沒有出現短路或者是斷路的情況，如果發生了這種情況就必須立即更換。3、嚴禁使用兆歐表來檢查元件的絕緣情況。4、晶閘管的電力在5A以上必須要安裝散熱器，必須保證規定的冷卻的條件，同時來講為了能讓散熱器以及晶閘管的模塊管芯接觸的比較好，可以在它們中間涂上有機的硅油或者是硅脂，這樣的話就可以更好效果的進行散熱。5、在使用的過程中必須按照規定要采用過壓或者是過流的保護裝置6、防止控制極出現反向的擊穿或者正向過載這個當現代工業中常用的保護措施，保證元件能正常安全的運行。

晶閘管模塊的八個優點來源：正高電氣日期：2019年09月07日點擊數：載入中...晶閘管模塊應用于溫度調節、調光、勵磁、電鍍、電解、焊接、穩壓電源等行業，也可用于交流電機軟起動和直流電機調速。你知道晶閘管模塊的優點嗎？下面晶閘管生產廠家正高電氣來講解一下晶閘管模塊的八大優點。主要優點如下：（1）采用進口方形晶閘管支撐板，使晶閘管模塊電壓降低、功耗低、效率高、節能效果好。（2）采用進口插片元件，保證晶閘管模塊觸發控制電路的可靠性。（3）(DCB)陶瓷銅板通過獨特的處理和特殊的焊接工藝，保證晶閘管模塊的焊接層無空洞，具有良好的導熱性能。（4）導熱絕緣包裝材料具有優異的絕緣和防潮性能。（5）觸發控制電路、主電路和熱傳導底板相互隔離，熱傳導底板不充電，介電強度≥2500V，保證了安全。（6）通過輸入0-10V直流控制信號，可以平滑地調節主電路的輸出電壓。（7）可手動控制、儀表控制或微機控制。（8）適用于電阻和電感負載。以上是關于晶閘管模塊的優點，希望能對您有所幫助。淄博正高電氣從國內外引進了一大批先進的設備，實現了工程設備的現代化。

設備自身運行中以及非正常運行中也有過電壓出現。過電壓保護的第一種方法是并接R-C阻容吸收回路，以及用壓敏電阻或硒堆等非線性元件加以。過電壓保護的第二種方法是采用電子電路進行保護。3.電流上升率、電壓上升率的保護（1）電流上升率di/dt的可控硅初開通時電流集中在靠近門極的陰極表面較小的區域，局部電流密度很大，然后以μs的擴展速度將電流擴展到整個陰極面，若可控硅開通時電流上升率di/dt過大，會導致PN結擊穿，必須限制可控硅的電流上升率使其在合適的范圍內。其有效辦法是在可控硅的陽極回路串聯入電感。電壓上升率dv/dt的加在可控硅上的正向電壓上升率dv/dt也應有所限制,如果dv/dt過大，由于晶閘管結電容的存在而產生較大的位移電流，該電流可以實際上起到觸發電流的作用，使晶閘管正向阻斷能力下降，嚴重時引起晶閘管誤導通。為dv/dt的作用，可以在晶閘管兩端并聯R-C阻容吸收回路。如下圖：4.為什么要在可控硅兩端并聯阻容網絡在實際可控硅電路中，常在其兩端并聯RC串聯網絡，該網絡常稱為RC阻容吸收電路。可控硅有一個重要特性參數－斷態電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明可控硅在額定結溫和門極斷路條件下。淄博正高電氣產品**國內。安徽小功率可控硅調壓模塊功能

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可控硅是可控硅整流器的簡稱。可控硅有單向、雙向、可關斷和光控幾種類型。它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、控制方便等優點，被用于可控整流、調壓、逆變以及無觸點開關等各種自動控制和大功率的電能轉換的場合。單向可控硅是一種可控整流電子元件，能在外部控制信號作用下由關斷變為導通，但一旦導通，外部信號就無法使其關斷，只能靠去除負載或降低其兩端電壓使其關斷。單向可控硅是由三個PN結PNPN組成的四層三端半導體器件與具有一個PN結的二極管相比，單向可控硅正向導通受控制極電流控制；與具有兩個PN結的三極管相比，差別在于可控硅對控制極電流沒有放大作用。可控硅導通條件：一是可控硅陽極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓。以上兩個條件必須同時具備，可控硅才會處于導通狀態。另外，可控硅一旦導通后，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓，可控硅仍然導通。可控硅關斷條件：降低或去掉加在可控硅陽極至陰極之間的正向電壓，使陽極電流小于小維持電流以下。簡易單向可控硅12V觸摸開關電路觸摸一下金屬片開，SCR1導通，負載得電工作。觸摸一下金屬片關，SCR2導通，繼電器J得電工作，K斷開，負載失電，SCR2關斷后，電容對繼電器J放電。重慶整流可控硅調壓模塊結構

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