基于設計版圖對硅光芯片進行光耦合測試的方法及系統進行介紹,該方法包括:讀取并解析設計版圖,得到用于構建芯片圖形的坐標簇數據,驅動左側光纖對準第1測試點,獲取與第1測試點相對應的測試點圖形的第1選中信息,驅動右側光纖對準第二測試點,獲取與第二測試點相對應的測試點圖形的第二選中信息,獲取與目標測試點相對應的測試點圖形的第三選中信息,通過測試點圖形與測試點的對應關系確定目標測試點的坐標,以驅動左或右側光纖到達目標測試點,進行光耦合測試;該系統包括上位機,電機控制器,電機,夾持載臺及相機等;本發明具有操作簡單,耗時短,對用戶依賴程度低等優點,能夠極大提高硅光芯片光耦合測試的便利性。硅光芯片耦合測試系統組件裝夾完成后，通過校正X,Y和Z方向的偏差來進行的初始光功率耦合。青海單模硅光芯片耦合測試系統哪家好

硅硅光芯片耦合測試系統中硅光耦合結構需要具備:硅光半導體元件,在其上表面具有發硅光受硅光部,且在下表面側被安裝于基板;硅光傳輸路,其具有以規定的角度與硅光半導體元件的硅光軸交叉的硅光軸,且與基板的安裝面分離配置;以及硅光耦合部,其變換硅光半導體元件與硅光傳輸路之間的硅光路,且將硅光半導體元件與硅光傳輸路之間硅光學地耦合。硅光耦合部由相對于傳輸的硅光透明的樹脂構成,樹脂分別緊貼硅光半導體元件的發硅光受硅光部的至少一部分以及硅光傳輸路的端部的至少一部分,硅光半導體元件與硅光傳輸路通過構成硅光耦合部的樹脂本身被粘接。北京振動硅光芯片耦合測試系統將硅光芯片的發射端通過硅光線連接到硅光譜儀，就可以測試硅光芯片的硅光譜等。

硅光芯片耦合測試系統這些有視覺輔助地初始光耦合的步驟是耦合工藝的一部分。在此工藝過程中，輸入及輸出光纖陣列和波導輸入及輸出端面的距離大約是100~200微米，以便通過使用機器視覺精密地校準預粘接間隙的測量，為后面必要的旋轉耦合留出安全的空間。旋轉耦合技術的原理。大體上來講，旋轉耦合是通過使用線性偏移測量及旋轉移動相結合的方法，將輸出光纖陣列和波導的的第1個及結尾一個通道進行耦合，并作出必要的更正調整。輸出光纖陣列的第1個及結尾一個通道和兩個光探測器相聯接。

硅光芯片耦合測試系統是比較關鍵的，我們的客戶非常關注此工位測試的嚴謹性，硅光芯片耦合測試系統主要控制“信號弱”，“易掉話”，“找網慢或不找網”，“不能接聽”等不良機流向市場。一般模擬用戶環境對設備EMC干擾的方法與實際使用環境存在較大差異，所以“信號類”返修量一直占有較大的比例。可見，硅光芯片耦合測試系統是一個需要嚴謹的關鍵崗位，在利用金機調好衰減（即線損）之后，功率無法通過的，必須進行維修，而不能隨意的更改線損使其通過測試，因為比較可能此類機型在開機界面顯示滿格信號而在使用過程中出現“掉話”的現象，給設備質量和信譽帶來負面影響。以上是整機耦合的原理和測試存在的意義，也就是設備主板在FT測試之后，還要進行組裝硅光芯片耦合測試系統的原因。大體上來講，旋轉耦合是通過使用線性偏移測量及旋轉移動相結合的方法。

既然提到硅光芯片耦合測試系統，我們就認識一下硅光子集。所謂硅光子集成技術，是以硅和硅基襯底材料（如SiGe/Si、SOI等）作為光學介質，通過互補金屬氧化物半導體（CMOS）兼容的集成電路工藝制造相應的光子器件和光電器件（包括硅基發光器件、調制器、探測器、光波導器件等），并利用這些器件對光子進行發射、傳輸、檢測和處理，以實現其在光通信、光互連、光計算等領域中的實際應用。硅光技術的中心理念是“以光代電”，即采用激光束代替電子信號傳輸數據，將光學器件與電子元件整合至一個單獨的微芯片中。在硅片上用光取代傳統銅線作為信息傳導介質，較大提升芯片之間的連接速度。硅光芯片耦合測試系統優點：可靠性高。北京振動硅光芯片耦合測試系統

芯片耦合集成化才能實現高密度、低成本、低能耗，滿足信息社會信息急速膨脹。青海單模硅光芯片耦合測試系統哪家好

測試站包含自動硅光芯片耦合測試系統客戶端程序，其程序流程如下：首先向自動耦合臺發送耦合請求信息，并且信息包括待耦合芯片的通道號，然后根據自動耦合臺返回的相應反饋信息進入自動耦合等待掛起，直到收到自動耦合臺的耦合結束信息后向服務器發送測試請求信息，以進行光芯片自動指標測試。自動耦合臺包含輸入端、輸出端與中間軸三部分，其中輸入端與輸出端都是X、Y、Z三維電傳式自動反饋微調架，精度可達50nm，滿足光芯片耦合精度要求。特別的，為監控調光耦合功率，完成自動化耦合過程，測試站應連接一個PD光電二極管，以實時獲取當前光功率。青海單模硅光芯片耦合測試系統哪家好