光電二極管基于內光電效應實現光信號到電信號的轉換。當 PN 結受光照射，光子激發電子 - 空穴對，在結區電場作用下形成光電流，反向偏置時效應更。通過減薄有源層與優化電極，響應速度可達納秒級。 硅基型號（如 BPW34）在可見光區量子效率超 70%，用于光強檢測；PIN 型增大耗盡區寬度，在光纖通信中響應度達 0.9A/W；雪崩型（APD）利用倍增效應，可檢測單光子信號，用于激光雷達。 車載 ADAS 系統中，近紅外光電二極管（850-940nm）夜間可捕捉 200 米外目標，推動其向高靈敏度、低噪聲發展，滿足自動駕駛與智能傳感需求。反向截止時，電阻極大，幾乎阻斷電流，起到隔離電路的作用。北侖區二極管廠家

材料創新始終是推動二極管性能提升與應用拓展的動力。傳統的硅基二極管正不斷通過優化工藝，提升性能。而以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為的寬禁帶半導體材料，正二極管進入全新發展階段。SiC 二極管憑借高擊穿場強、低導通電阻，在高壓、大功率應用中優勢；GaN 二極管則以其高電子遷移率、超高頻性能，在 5G 通信、高速開關電源等領域大放異彩。此外，新興材料如石墨烯、黑磷等，也展現出在二極管領域的應用潛力，有望催生性能更、功能更獨特的二極管產品，打開新的市場空間。北侖區二極管廠家肖特基二極管因正向壓降低、開關速度快，常用于高頻開關電源電路。

穩壓二極管通過反向擊穿特性穩定電壓，是精密電路的元件。齊納二極管（如 BZV55-C5V1）在 5V 單片機系統中，將電壓波動控制在 ±0.1V 以內，動態電阻 3Ω，確保芯片穩定工作。汽車電子中，1N5919（3.3V/1.5W）抑制發動機啟動時的電壓波動（8-14V），保障車載收音機信號質量。場景如醫療設備，TL431 可調基準源以 25ppm/℃溫漂特性，為血糖儀提供 2.5V 基準電壓，確保血糖濃度計算誤差＜1%。穩壓二極管如同電路的 “穩壓器”，在電壓波動時始終保持輸出恒定，是電源電路和信號鏈的關鍵保障。

1904 年，英國物理學家弗萊明為解決馬可尼無線電報的信號穩定性問題，發明首只電子二極管 “熱離子閥”。這一玻璃真空管內，加熱的陰極發射電子，經陽極電場篩選后形成單向電流，雖效率低下（ 5%）且體積龐大（長 15 厘米），卻標志著人類掌握電流單向控制的重要技術。1920 年代，美國科學家皮卡德發現方鉛礦晶體的整流特性，催生 “貓須探測器”—— 通過細金屬絲與礦石接觸形成 PN 結，雖需手動調整觸絲位置（精度達 0.1mm），卻讓收音機成本從數百美元降至十美元，成為大眾消費品。電子玩具中的二極管為其增添發光、發聲等有趣功能。

占據全球 90% 市場份額的硅二極管，憑借 1.12eV 帶隙與成熟的平面鈍化工藝，成為通用。典型如 1N4007（1A/1000V）整流管，采用玻璃鈍化技術將漏電流控制在 0.1μA 以下，在全球超 10 億臺家電電源中承擔整流任務，其面接觸型結構可承受 100℃高溫與 10 倍浪涌電流。TL431 可調基準源通過內置硅齊納結構，實現 ±0.5% 電壓精度與 25ppm/℃溫漂，被用于鋰電池保護板的過充檢測電路，在 3.7V 鋰電池系統中可將充電截止電壓誤差控制在 ±5mV 以內。硅材料的規模化生產優勢，8 英寸晶圓單片制造成本低于 1 美元，但其物理極限限制了高頻（＞100MHz）與超高壓（＞1200V）場景。雪崩二極管利用雪崩擊穿效應，產生尖銳的脈沖信號，在雷達等設備中肩負重要使命。北侖區二極管廠家

穩壓二極管正常工作時，處于反向擊穿狀態而不損壞。北侖區二極管廠家

20 世紀 60 年代，硅材料憑借區熔提純技術（純度達 99.99999%）和平面工藝（光刻分辨率 10μm）確立統治地位。硅整流二極管（如 1N4007）反向擊穿電壓突破 1000V，在工業電焊機中實現 100A 級大電流整流，效率較硒堆整流器提升 40%；硅穩壓二極管（如 1N4733）利用齊納擊穿特性，將電壓波動控制在 ±1% 以內，成為早期計算機（如 IBM System/360）電源的重要元件。但硅的 1.12eV 帶隙限制了其在高頻（＞100MHz）和高壓（＞1200V）場景的應用 —— 當工作頻率超過 10MHz 時，硅二極管的結電容導致能量損耗激增，而高壓場景下需增大結面積，使元件體積呈指數級膨脹。北侖區二極管廠家