隧道二極管（江崎二極管）基于量子隧穿效應，在重摻雜 PN 結中實現負阻特性。當 PN 結摻雜濃度極高時，勢壘寬度縮小至 10 納米以下，電子可直接穿越勢壘形成隧道電流。正向電壓增加時，隧道電流先增大后減小，形成負阻區（電壓升高而電流降低）。例如 2N4917 隧道二極管在 0.1V 電壓下可通過 100 毫安電流，負阻區電阻達 - 50 歐姆，常用于 100GHz 微波振蕩器，振蕩頻率穩定度可達百萬分之一 /℃。其工作機制突破傳統 PN 結的熱電子發射原理，為高頻振蕩和高速開關提供了新途徑。穩壓二極管堪稱電壓的忠誠衛士，無論外界電壓如何波動，都能維持輸出電壓的穩定。無錫TVS瞬態抑制二極管價位

太空探索與核技術的發展，為二極管帶來極端環境下的創新機遇。在深空探測器中，耐輻射肖特基二極管（如 RAD5000 系列）可承受 10? rad (Si) 劑量的宇宙射線，在火星車電源系統中實現 - 130℃~+125℃寬溫域穩定整流，效率達 94% 以上。核電池（如钚 - 238 溫差發電器）中，高溫鍺二極管（耐溫 300℃）將衰變熱能轉化為電能，功率密度達 50mW/cm2，為長期在軌衛星提供持續動力。為電子原件二極管的發展提供新的思路和方法。光電二極管（PD）與神經網絡結合，在自動駕駛中實現納秒級光強變化檢測。天河區工業二極管齊納二極管即穩壓二極管，利用反向擊穿特性實現穩壓功能。

PN 結是二極管的結構，其單向導電性源于載流子的擴散與漂移運動。當 P 型（空穴多）與 N 型（電子多）半導體結合時，交界處形成內建電場（約 0.7V 硅材料），阻止載流子進一步擴散。正向導通時（P 接正、N 接負），外電場削弱內建電場，空穴與電子大量穿越結區，形成低阻通路，硅管正向壓降約 0.7V，電流與電壓呈指數關系（I=I S(e V/V T?1)，VT≈26mV）。反向截止時（P 接負、N 接正），外電場增強內建電場，少數載流子（P 區電子、N 區空穴）形成漏電流（硅管＜1μA），直至反向電壓達擊穿閾值（如 1N4007 耐壓 1000V）。此特性使 PN 結成為整流、開關等應用的基礎，例如 1N4148 開關二極管利用 PN 結電容充放電，實現 4ns 級快速切換。

瞬態抑制二極管（TVS）和 ESD 保護二極管為電路抵御過壓威脅。TVS 二極管（如 SMBJ6.8A）在 1ns 內響應浪涌，將電壓箝制在 10V 以下，承受 5000W 脈沖功率，保護手機 USB-C 接口免受 20kV 靜電沖擊。汽車電子中，雙向 TVS 陣列（如 SPA05-1UTG）在 CAN 總線中抑制發動機點火產生的瞬態干擾（峰值電壓 ±40V），誤碼率降低至 10??。工業設備的 485 通信接口，串聯磁珠與 TVS 二極管后，可通過 IEC 61000-4-5 浪涌測試（4kV/2Ω），保障生產線數據傳輸穩定。保護二極管如同電路的 “安全氣囊”，在電壓突變瞬間啟動防護，避免元件損壞。雪崩光電二極管通過雪崩倍增效應，大幅提高對微弱光信號的檢測能力。

插件封裝（THT）：傳統工藝的堅守 DO-41 封裝的 1N4007（1A/1000V）引腳間距 2.54mm，適合手工焊接與維修，在工業設備中仍應用，其玻璃鈍化工藝確保在高濕度環境下漏電流＜1μA。軸向封裝的高壓硅堆（如 2CL200kV/10mA）采用陶瓷絕緣外殼，耐壓達 200kV，用于陰極射線管（CRT）顯示器的高壓供電。 表面貼裝（SMT）：自動化生產的主流 SOD-123 封裝的肖特基二極管（SS34）體積較 DO-41 縮小 70%，焊盤間距 1.27mm，適合 PCB 高密度布局，在智能手機主板中每平方厘米可集成 10 個以上，用于電池保護電路。QFN 封裝（如 DFN1006）的 ESD 保護二極管，寄生電感＜0.5nH，在 USB 4.0 接口中支持 40Gbps 數據傳輸，信號衰減＜1dB。發光二極管可將電能轉化為光能，發出不同顏色光，用于指示燈等。浦東新區TVS瞬態抑制二極管

光電二極管可將光信號轉換為電信號，在光通信、傳感器中有應用。無錫TVS瞬態抑制二極管價位

雪崩二極管通過雪崩擊穿效應產生納秒級脈沖，適用于雷達和激光觸發等場景。當反向電壓超過擊穿閾值時，載流子在強電場中高速運動，碰撞電離產生連鎖反應，形成急劇增長的雪崩電流。這一過程可在 10 納秒內產生陡峭的脈沖前沿，例如 2N690 雪崩二極管在 50V 偏置下，能輸出寬度小于 5 納秒、幅度超過 20V 的脈沖，用于激光雷達的時間同步觸發。通過優化結區摻雜分布（如緩變結設計），可控制雪崩擊穿的均勻性，降低脈沖抖動（小于 1 納秒），提升測距精度。無錫TVS瞬態抑制二極管價位