共基放大電路以基極接地,輸入信號加在 EB 間,輸出信號從 CB 間取出。NPN 型小功率管在該電路中工作在放大區,優勢是頻率響應好(上限截止頻率高),因基極接地減少了極間電容的影響,適合高頻信號放大;缺點是電流放大倍數 < 1(Ai≈α<1,α=IC/IE),輸入電阻小。常用于高頻通信、射頻電路,如收音機的中頻放大電路、手機的射頻信號預處理電路。例如在FM 收音機,共基電路將調諧后的高頻信號(10.7MHz)放大,同時避免高頻信號因極間電容衰減,保證接收靈敏度。共基電路輸入阻抗低、輸出阻抗高,適合做電流緩沖器。航空航天通用型NPN型晶體三極管放大倍數200-300

要讓 NPN 型小功率三極管實現放大或開關功能,需滿足特定偏置:發射結正向偏置、集電結反向偏置。發射結正向偏置指基極電壓(VB)高于發射極電壓(VE),硅管正向壓降約 0.6-0.7V,此時發射區自由電子在電場作用下越過發射結進入基區;集電結反向偏置指集電極電壓(VC)高于基極電壓(VB),反向電場阻止基區空穴向集電區移動,同時 “牽引” 基區未復合的自由電子進入集電區。若偏置條件不滿足,如發射結反偏,三極管會進入截止狀態;若集電結正偏,則可能進入飽和狀態,無法實現正常放大。航空航天批量采購NPN型晶體三極管廠家直銷三極管燒毀多因 IC 超 ICM、PC 超 PCM,或 VCE 超擊穿電壓。

溫度對 NPN 型小功率三極管參數影響比較明顯:一是 VBE 隨溫度升高而減小,每升高 1℃,VBE 下降 2-2.5mV,可能導致 IB 增大、IC 漂移;二是 β 隨溫度升高而增大,每升高 10℃,β 增大 10%-20%,加劇 IC 不穩定;三是集電極反向飽和電流 ICBO(發射極開路時 CB 反向電流)隨溫度升高呈指數增長,每升高 10℃,ICBO 翻倍,而 ICEO(基極開路時 CE 反向電流)≈(1+β) ICBO,變化更劇烈。例如在高溫環境(如汽車電子)中,需通過溫度補償電路(如并聯二極管)抵消溫度對參數的影響。
共射放大電路是 NPN 型小功率管的經典應用,發射極接地,輸入信號加在 BE 間,輸出信號從 CE 間取出。電路中,RB(基極偏置電阻)控制 IB,確定靜態工作點;RC(集電極負載電阻)將 IC 變化轉化為 VCE 變化,實現電壓放大。該電路的優勢是電壓放大倍數高(Av=-βRC/ri,ri 為輸入電阻)、電流放大倍數大,缺點是輸入電阻小、輸出電阻大,輸出信號與輸入信號反相。例如在音頻前置放大電路中,用 9014 管組成共射電路,將麥克風輸出的 mV 級信號放大至 V 級,為后級功率放大提供信號源。PWM 調光電路中,三極管占空比通常設 10%-90%,避免閃爍和過熱。

NPN 型小功率三極管的 重要價值在于電流放大,其原理基于載流子的定向運動與分配。當滿足導通偏置時,發射區大量自由電子注入基區,因基區薄且摻雜少,大部分自由電子(約 95% 以上)未與空穴復合,被集電結反向電場拉入集電區,形成集電極電流(IC);少量自由電子(約 5% 以下)與基區空穴復合,需基極提供電流補充空穴,形成基極電流(IB)。此時 IC 與 IB 成固定比例,即電流放大系數 β=IC/IB(小功率管 β 通常 20-200),微小的 IB 變化會引發 IC 大幅變化,例如 IB 從 10μA 增至 20μA,β=100 時,IC 會從 1mA 增至 2mA,實現電流放大。射極輸出器輸出電阻低,需與低阻抗負載匹配,才能穩定輸出。航空航天批量采購NPN型晶體三極管廠家直銷
選 ICBO 小的硅管,或在基極接地接泄放電阻,可抑制 ICEO。航空航天通用型NPN型晶體三極管放大倍數200-300
共射放大電路是 NPN 型小功率晶體三極管常用的應用電路之一,其特點是發射極作為公共電極,輸入信號加在基極和發射極之間,輸出信號從集電極和發射極之間取出。在共射放大電路中,三極管工作在放大區,通過設置合適的靜態工作點,確保輸入交流信號在整個周期內都能被有效放大,避免出現截止失真或飽和失真。電路中的偏置電阻(如 RB1、RB2)用于提供基極偏置電流,確定靜態工作點;集電極電阻 RC 則用于將集電極電流的變化轉化為電壓的變化,實現電壓放大。共射放大電路具有較高的電壓放大倍數和電流放大倍數,同時輸出信號與輸入信號相位相反,因此也被稱為反相放大電路。這種電路廣泛應用于音頻放大、信號預處理等領域,例如在收音機的中頻放大電路中,就大量采用 NPN 型小功率三極管組成共射放大電路,將接收到的微弱中頻信號放大,為后續的解調電路提供足夠幅度的信號。航空航天通用型NPN型晶體三極管放大倍數200-300
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