繼電器線圈是感性負載，斷電時會產生反向電動勢，可能擊穿三極管。需在繼電器線圈兩端并聯續流二極管（如 1N4001），二極管正極接線圈負極，負極接線圈正極，當線圈斷電時，反向電動勢通過二極管形成回路，保護三極管。此外，若繼電器工作電流接近 ICM，需在基極增加限流電阻，避免 IB 過大導致三極管燒毀。例如 5V 繼電器線圈電阻 50Ω（工作電流 100mA），用 9013 管（ICM=500mA）驅動，除并聯續流二極管外，基極電阻 RB=(5-0.7)/1mA=4.3kΩ，確保 IB=1mA（β=100 時，IC=100mA），既滿足驅動需求，又避免過載。再測反向截止性，反向應顯示 “OL”，否則 PN 結漏電。華南地區通用型NPN型晶體三極管電流500mA

集電極最大允許電流 ICM 是指 NPN 型小功率晶體三極管在正常工作時，集電極所能通過的最大電流值。當集電極電流 IC 超過 ICM 時，三極管的電流放大系數 β 會明顯下降，雖然此時三極管可能不會立即損壞，但會導致電路的放大性能變差，無法滿足設計要求。ICM 的數值與三極管的封裝形式、散熱條件密切相關，相同型號的三極管，采用散熱性能更好的封裝時，ICM 會有所增大；同時，若電路中為三極管配備了散熱片，也能在一定程度上提高 ICM 的實際可用值。小功率 NPN 型三極管的 ICM 通常在幾十毫安到幾百毫安之間，例如常用的 9013 三極管，其 ICM 約為 500mA，而 9014 三極管的 ICM 約為 100mA。在選擇三極管時，需要根據電路中集電極的最大工作電流來確定 ICM，確保 ICM 大于實際工作電流，以保證三極管的正常工作和電路性能的穩定。航空航天抗輻射NPN型晶體三極管響應時間10ns共射電路飽和失真源于工作點高，需增大 RB、減小 RC 或降 VCC 解決。

ICEO 是基極開路時集電極 - 發射極反向電流，ICEO≈(1+β) ICBO，因 β 和 ICBO 均隨溫度升高而增大，ICEO 的溫度敏感性極強，會導致電路靜態電流增大，功耗上升。抑制 ICEO 的方法：一是選擇 ICBO 小的硅管，硅管 ICBO 遠小于鍺管；二是在基極與地之間接泄放電阻 RB，使 IB=ICEO/(1+β)，減小 ICEO 對 IC 的影響；三是采用分壓式偏置電路，通過 RE 的負反饋穩定 IC。例如在高精度電流源電路中，基極接 100kΩ 泄放電阻，當 ICEO=10μA（β=100）時，IB=0.1μA，對 IC 的影響可忽略不計，確保電流源輸出穩定。

NPN 型小功率三極管在開關電路中通過 IB 控制工作狀態：當 IB=0（或 IB

共射放大電路的失真，有截止失真和飽和失真：截止失真是因靜態工作點過低，輸入信號負半周使三極管進入截止區，輸出信號正半周被削波，解決方法是減小 RB（增大 IBQ）或提高 VCC；飽和失真是因靜態工作點過高，輸入信號正半周使三極管進入飽和區，輸出信號負半周被削波，解決方法是增大 RB（減小 IBQ）、減小 RC 或降低 VCC。例如當輸入正弦信號時，若示波器顯示輸出波形頂部被削，為截止失真，可將 RB 從 100kΩ 調至 80kΩ，增大 IBQ；若底部被削，為飽和失真，可將 RC 從 2kΩ 調至 3kΩ，降低 ICQ。固定偏置電路簡單，穩定性差，適合負載和溫度變化小的場景。醫療設備高可靠性NPN型晶體三極管放大倍數200-300

PWM 調光電路中，三極管占空比通常設 10%-90%，避免閃爍和過熱。華南地區通用型NPN型晶體三極管電流500mA

共射放大電路是 NPN 型小功率晶體三極管常用的應用電路之一，其特點是發射極作為公共電極，輸入信號加在基極和發射極之間，輸出信號從集電極和發射極之間取出。在共射放大電路中，三極管工作在放大區，通過設置合適的靜態工作點，確保輸入交流信號在整個周期內都能被有效放大，避免出現截止失真或飽和失真。電路中的偏置電阻（如 RB1、RB2）用于提供基極偏置電流，確定靜態工作點；集電極電阻 RC 則用于將集電極電流的變化轉化為電壓的變化，實現電壓放大。共射放大電路具有較高的電壓放大倍數和電流放大倍數，同時輸出信號與輸入信號相位相反，因此也被稱為反相放大電路。這種電路廣泛應用于音頻放大、信號預處理等領域，例如在收音機的中頻放大電路中，就大量采用 NPN 型小功率三極管組成共射放大電路，將接收到的微弱中頻信號放大，為后續的解調電路提供足夠幅度的信號。華南地區通用型NPN型晶體三極管電流500mA

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