而稱之為主電極T1、T2。[15]檢測單向晶閘管：萬用表置于“R×10Ω”擋，黑表筆接控制極G，紅表筆接陰極K，測量其正向電阻，應有較小的阻值。對調兩表筆測其反向電阻，應比正向電阻明顯大一些。測量控制極G與陽極A之間的正、反向電阻，均應為無窮大。這是因為G、A間為兩個PN結反向串聯，不論正、反向均不應導通，否則晶閘管已壞。[16]檢測雙向晶閘管：萬用表置于“R×1Ω”擋，兩表筆測量控制極G與主電極T1間的正、反向電阻，均應為較小阻值。測量控制極G與主電極T2間的正、反向電阻，均應為無窮大。[17]檢測單向晶閘管導通特性：萬用表置于“R×1Ω”擋，黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，表針指示應為無窮大。用螺絲刀等金屬物將控制極G與陽極A短接一下（短接后即斷開），表針應向右偏轉并保持在十幾歐姆處。檢測雙向晶閘管導通特性：黑表筆接主電極T1，紅表筆接主電極T2，表針指示應為無窮大。將控制極G與主電極T2短接一下，表針應向右偏轉并保持在十幾歐姆處。如不符合上述情況則說明晶閘管已損壞。[18]晶閘管具有以小電流（電壓）控制大電流（電壓）的作用，并具有體積小、重量輕、功耗低、效率高、開關速度快等優點。正高電氣銳意進取，持續創新為各行各業提供專業化服務。聊城MTDC55晶閘管智能模塊

    由于晶閘管在導通期間，載流子充滿元件內部，所以元件在關斷過程中，正向電壓下降到零時，內部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時出現較大的反向電流，使積蓄載流子迅速消失，這時反向電流消失的極快，即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小，電感產生的感應電勢L（di/dt）值仍很大，這個電勢與電源電壓串聯，反向加在已恢復阻斷的元件上，可能導致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關斷引起的過電壓，稱為關斷過電壓，其數值可達工作電壓峰值的5～6倍，所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯，電阻防止電容與電感產生諧振、限制晶閘管開通損耗與電流上升率。這種吸收回路能晶閘管由導通到截止時產生的過電壓，有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子，即引線要短。比較好采用無感電阻，以取得較好的保護效果。各型號模塊對應的電阻和電容值根據表10選取。（2）壓敏電阻吸收過電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產生能量較大、持續時間較長的過電壓。壓敏電阻標稱電壓（V1mA），是指壓敏電阻流過1mA電流時它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇，主要考慮額定電壓和通流容量。聊城MTDC55晶閘管智能模塊正高電氣愿和各界朋友真誠合作一同開拓。

    構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管圖2當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導銅，必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。圖2中每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流。因此，兩個互相復合的晶體管電路，當有足夠的門機電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導通，晶體管飽和導通。設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2；發射極電流相應為Ia和Ik；電流放大系數相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設流過J2結的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相應的電流放大系數a1和a2隨其發射極電流的改變而急劇變化如圖3所示。當晶閘管承受正向陽極電壓，而門極未受電壓的情況下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘關處于正向阻斷狀態。當晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經NPN管的發射結，從而提高起點流放大系數a2,產生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發射結。

    對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。2．檢查觸發能力如圖2(a)所示，首先將表Ⅰ的黑表筆接A極，紅表筆接K極，電阻為無窮大；然后用黑表筆尖也同時接觸G極，加上正向觸發信號，表針向右偏轉到低阻值即表明GTO已經導通；脫開G極，只要GTO維持通態，就說明被測管具有觸發能力。3．檢查關斷能力現采用雙表法檢查GTO的關斷能力，如圖2(b)所示，表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔，紅表筆接G極，黑表筆接K極，施以負向觸發信號，如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置，證明GTO具有關斷能力。4．估測關斷增益βoff進行到第3步時，先不接入表Ⅱ，記下在GTO導通時表Ⅰ的正向偏轉格數n1；再接上表Ⅱ強迫GTO關斷，記下表Ⅱ的正向偏轉格數n2。根據讀取電流法按下式估算關斷增益：βoff=IATM/IGM≈IAT/IG＝K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1檔的電流比例系數；K2—表Ⅱ在R×10檔的電流比例系數。βoff≈10×n1/n2此式的優點是，不需要具體計算IAT、IG之值，只要讀出二者所對應的表針正向偏轉格數，即可迅速估測關斷增益值。注意事項：（1）在檢查大功率GTO器件時，建議在R×1檔外邊串聯一節′，以提高測試電壓和測試電流，使GTO可靠地導通。。正高電氣生產的產品質量上乘。

    使設備進入穩態運行。若一次起動不成功，即自動調頻電路沒有抓住中頻電壓反饋信號，此時，它激信號便會一直掃描到比較低頻率，重復起動電路一旦檢測到它激信號進入到比較低頻段，便進行一次再起動，把它激信號再推到比較高頻率，重新掃描一次，直至起動成功，重復起動的周期約為。由CON2-1和CON2-2輸入的中頻電壓信號，經IC1A轉換成方波信號，輸入到IC6的30角，由IC6的15P、16P輸出的逆變觸發信號。經IC7A隔離放大后，驅動逆變觸發CMOS晶體管Q5、Q6。IC4B和IC4C構成逆變壓控時鐘，輸入到IC6的33腳CLOK2；同時又由IC7B進行頻壓轉換后用于驅動頻率表。W6微調電位器用于設定壓控時鐘的比較高頻（即逆變它激信號的比較高頻率），W5微調電位器用于整定外接頻率表的讀數。另外，當發生過電壓保護時，IC6內部的過電壓保護振蕩器起振，輸出2倍于比較高逆變頻率的觸發脈沖，使逆變橋的4只晶閘管均導通。IC4A為起動失敗檢測器，其輸出控制IC6內部重復起動電路。過電流保護信號經Q3倒相后，送到IC6的20P，整流觸發脈沖：驅動“”LED批示燈亮和驅動報警繼電器。過電流觸發器動作后，只有通過復位信號或通過關機后再開機進行“上電復位”，方可再次運行。正高電氣在客戶和行業中樹立了良好的企業形象。青島MTAC450晶閘管智能模塊品牌

正高電氣以精良的產品品質和優先的售后服務，全過程滿足客戶的***需求。聊城MTDC55晶閘管智能模塊

晶閘管模塊的應用方法

1、模塊的控制功能端口定義

+12V：   外接 +12V直流電源正極。

GND：   直流電源地線。

GND1:    控制信號地線，與GND 相通。

CON10V:  0～10V 控制信號輸入。

TESTE： 檢測電源,可外接 4.7K～20K電位器，取出0～10V 信號。

CON20mA：4～20mA控制信號輸入。

2、模塊的控制端口與控制線

模塊控制端接口有5腳、9腳和15腳三種形式，分別對應于5芯、9芯、15芯的控制線。采用電壓信號的產品只用**腳端口，其余為空腳，采用電流信號的9腳為信號輸入，控制線的屏蔽層銅線應焊接到直流電源地線上,連接時注意不要同其它的端子短路,以免不能正常工作或可能燒壞模塊。 聊城MTDC55晶閘管智能模塊

淄博正高電氣有限公司在同行業領域中，一直處在一個不斷銳意進取，不斷制造創新的市場高度，多年以來致力于發展富有創新價值理念的產品標準，在山東省等地區的電子元器件中始終保持良好的商業口碑，成績讓我們喜悅，但不會讓我們止步，殘酷的市場磨煉了我們堅強不屈的意志，和諧溫馨的工作環境，富有營養的公司土壤滋養著我們不斷開拓創新，勇于進取的無限潛力，淄博正高電氣供應攜手大家一起走向共同輝煌的未來，回首過去，我們不會因為取得了一點點成績而沾沾自喜，相反的是面對競爭越來越激烈的市場氛圍，我們更要明確自己的不足，做好迎接新挑戰的準備，要不畏困難，激流勇進，以一個更嶄新的精神面貌迎接大家，共同走向輝煌回來！