電壓很容易對晶閘管模塊造成損壞，那么，我們就要了解過電壓保護，保護晶閘管模塊，不讓其受過電壓損壞。要保護晶閘管，就要知道過電壓是怎么產生的？從而去避免。以下是為大家列舉的詳細情況：晶閘管模塊對過電壓很敏感，當正向電壓超過其斷態重復峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導通，引發電路故障；當外加反向電壓超過其反向重復峰值電壓URRM一定值時，晶閘管模塊就會立即損壞。因此，必須研究過電壓的產生原因及過電壓的方法。過電壓產生的原因主要是供給的電功率或系統的儲能發生了激烈的變化，使得系統來不及轉換，或者系統中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發現為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關的開閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動作等產生的過電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰，對晶閘管模塊是很危險的。由開關的開閉引起的沖擊電壓又分為如下兩類：（1）交流電源接通、斷開產生的過電壓例如，交流開關的開閉、交流側熔斷器的熔斷等引起的過電壓，這些過電壓由于變壓器繞組的分布電容、漏抗造成的諧振回路、電容分壓等使過電壓數值為正常值的2至10多倍。一般地，開閉速度越快過電壓越高。正高電氣以快的速度提供好的產品質量和好的價格及完善的售后服務。濟南MTAC150晶閘管智能模塊廠家

    構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管圖2當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導銅，必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。圖2中每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流。因此，兩個互相復合的晶體管電路，當有足夠的門機電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導通，晶體管飽和導通。設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2；發射極電流相應為Ia和Ik；電流放大系數相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設流過J2結的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相應的電流放大系數a1和a2隨其發射極電流的改變而急劇變化如圖3所示。當晶閘管承受正向陽極電壓，而門極未受電壓的情況下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘關處于正向阻斷狀態。當晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經NPN管的發射結，從而提高起點流放大系數a2,產生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發射結。濟南MTAC150晶閘管智能模塊廠家正高電氣以質量求生存，以信譽求發展！

    軟啟動器可分為有級和無極兩類，前者的調節是分檔的；后者的調節是連續的。傳統的軟起動器均是有級的。下面我們就是主要介紹下無級類，它們是液阻軟起動、磁控軟起動和晶閘管軟起動。在電動機定子回路，通過串入有限流作用的電力電子器件實現軟起動，叫做降壓或者限流軟起動，它是軟起動中的一個重要類別。按限流器件不同可分為：以電解液限流的液阻軟起動，以磁飽和電抗器為限流啟動的磁控軟啟動，以晶閘管為限流器件的晶閘管軟起動。變頻調速器也是一種軟起動裝置，它是比較理想的一種，它可以在限流同時保持高的起動轉矩。價格貴是制約其作為軟起動應用的重要因素，它主要用在變頻調速系統中。一、液阻軟起動器液阻是一種由電解液形成的電阻，它導電的本質是離子導電。它的阻值正比相對的二塊電極板的距離，反比于電解液的電導率，極板距離和電導率都便于控制；液阻的熱容量大。液阻的這兩大特點（阻值可以無級控制和熱容量大），恰恰是軟起動所需要的。液阻軟起動也有缺點：一是液阻箱容積大，其根源在于阻性限流，減小容積引起溫升加大。一次軟起動后電解液通常會有10-30攝氏度的溫升，使軟啟動的重復性差。二是移動極板需要有一套伺服機構，它的移動速度較慢。

晶閘管智能模塊的基本組成

晶閘管芯片以不同的形式連接，并與觸發控制系統集成。可形成單相和三相交流整流形式。該模塊的直流控制電源信號可由手動、儀表或微機控制。

主要結果如下：(1)選用進口(DCB)陶瓷銅層壓板、金屬Mo片、純銅導熱基板等材料實現無間隙焊接，絕緣性能好，導熱系數高，熱循環次數比國家標準高10倍。

（2）采用進口方形芯片，電連接部分采用高分子復合材料作為支撐板和連接橋，使模塊工作壓降低、功耗低、熱阻小、工作效率高。

（3）均采用品牌貼片元件，自行設計的10位A/D**數字觸發電路，高集成觸發控制系統，在電感和電容負載條件下具有一定優勢，輸出電壓對稱性好，無相序接入要求。

（4）觸發控制電路、主電路和導熱基板相互隔離，絕緣電壓大于2500V，可以保證人身和設備使用安全。

（5）該模塊以輸入直流0-5V、0-10V和4-20mA控制三種不同的控制信號，以滿足用戶的不同控制模式。

（6）輸出電壓不對稱度小于2%，輸出電壓不穩定度小于0.5%。 正高電氣以精良的產品品質和優先的售后服務，全過程滿足客戶的***需求。

    是一種具有三個PN結的功率型半導體器件。常見的晶閘管有塑封式、陶瓷封裝式、金屬殼封裝式和大功率螺栓式等形狀。晶體閘流管可分為：單向晶閘管、雙向晶閘管、可關斷晶閘管等多種。[12]晶體閘流管的文字符號為“VS”，圖形符號如圖示。晶閘管的主要參數有：額定通態平均電流、正反向阻斷峰值電壓、維持電流、控制極觸發電壓和電流等。使用時應注意不能超過其極限參數指標，并留有一定余量，以免造成器件損壞。[13]晶閘管具有三個電極。單向晶閘管的三個電極是：陽極A、陰極K、控制極G。雙向晶閘管的三個電極是：兩個主電極T1、T2以及控制極G。使用中應注意識別。[14]晶閘管具有可控的單向導電性，即不但具有一般二極管單向導電的整流作用，而且可以對導通電流進行控制。單向晶閘管是PNPN四層結構，形成三個PN結，具有三個外電極A、K和G，可等效為PNP、NPN兩晶體管組成的復合管，見圖14左邊。在A、K間加上正向電壓后，管子并不導通。此時在控制極G加上正電壓時，VT1、VT2相繼迅速導通，此時即使去掉控制極電壓，管子仍維持導通狀態。雙向晶閘管可以等效為兩個單向晶閘管反向并聯，見圖14右邊，雙向晶閘管可以控制雙向導通，因此除控制極G外的另兩個電極不再分陽極陰極。正高電氣嚴格控制原材料的選取與生產工藝的每個環節，保證產品質量不出問題。濟南MTAC150晶閘管智能模塊廠家

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    額定電壓V1mA的下限是線路工作電壓峰值，考慮到電網電壓的波動以及多次承受沖擊電流以后V1mA值可能下降，因此，額定電壓的取值應適當提高。目前通常采用30[%]的余量計算。V1mA≥√2?U式中U――壓敏電阻兩端正常工作電壓的有效值。壓敏電阻的數量：三相整流模塊和三相交流模塊均為三只、單相整流模塊和單相交流模塊均為一只。全部接在交流輸入端。3、過熱保護晶閘管在電流通過時，會產生一定的壓降，而壓降的存在則會產生一定的功耗，電流越大則功耗越大，產生的熱量也就越大。如果不把這些熱量快速散掉，會造成燒壞晶閘管芯片的問題。因此要求使用晶閘管模塊時，一定要安裝散熱器。散熱條件的好壞，是影響模塊能否安全工作的重要因素。良好的散熱條件不但能夠保證模塊可靠工作、防止模塊過熱燒毀，而且能夠提高模塊的電流輸出能力。建議用戶在使用大電流規格模塊的時候盡量選擇帶過熱保護功能的模塊。當然，即便模塊帶過熱保護功能，而散熱器和風機也是不可缺少的。在使用中，當散熱條件不符合規定要求時，如室溫超過40℃、強迫風冷的出口風速不足6m/s等，則模塊的額定電流應立即降低使用，否則模塊會由于芯片結溫超過允許值而損壞。譬如。濟南MTAC150晶閘管智能模塊廠家

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