像元尺寸 3.45μm×3.45μm 對成像有何影響？

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深圳市斯邁爾電子有限公司2025-07-11

MV-SC6050C 的 3.45μm×3.45μm 像元尺寸，通過光學設計與算法優化，在工業檢測中實現微米級成像精度，其技術影響與應用價值體現在以下維度：物理分辨率與檢測精度的直接關聯像元尺寸決定相機的物理分辨率基礎，3.45μm 像元在 500 萬像素（2432×2048）下，單像素物理尺寸對應實際空間的檢測精度。在 100mm 工作距離下，16mm 焦距鏡頭可實現 0.022mm 的單像素精度，能夠識別 0.05mm 級的電子元件缺陷。對比傳統 5μm 像元相機，3.45μm 像元使檢測精度提升 45%，在 3C 產品的微型螺絲檢測中，可分辨螺絲牙紋的細微缺損，避免因精度不足導致的漏檢。焦距 - 工作距離 - 精度的三角關系像元尺寸與鏡頭焦距、工作距離共同決定實際檢測精度：近距離高精度：100mm 工作距離下，16mm 焦距搭配 3.45μm 像元，視野范圍 52mm×44mm，單像素精度 0.022mm，適用于芯片引腳間距測量（標準要求≤0.1mm）；中距離平衡：1000mm 工作距離下，12mm 焦距實現單像素精度 0.41mm，適合汽車保險杠的整體尺寸檢測（公差 ±1mm）；遠距離大視野：2000mm 工作距離時，8mm 焦距的單像素精度 0.863mm，可覆蓋 2000mm×1750mm 視野，用于白車身輪廓檢測。低光環境下的成像優勢較小的像元尺寸通過更高的像素密度提升圖像細節，但需平衡光通量。MV-SC6050C 通過背照式 CMOS 設計，使 3.45μm 像元的光收集效率比傳統前照式提升 30%，在弱光環境下（如食品冷藏庫），仍能保持高信噪比（40dB），避免因像元過小導致的噪聲增加，確保 0.05mm 級缺陷的可識別性。算法優化與超分辨率重構相機內置的 AI 算法可對 3.45μm 像元圖像進行超分辨率處理，通過多幀圖像融合，將有效檢測精度提升至 0.01mm 級。在電子顯微鏡檢測場景中，該技術使 0.03mm 的半導體封裝缺陷識別率從 90% 提升至 99%，滿足先進制程的檢測需求。