公司秉持 “簡單、純粹、高效”的管理理念和“馳而不息，開放包容”的價值觀，致力于構建學習型組織。管理層善于整合不同背景的人才，發揮協同效應，形成了積極向上、持續創新的企業氛圍。Dalicap不僅產品符合RoHS等環保標準，其新工廠的建設也秉承綠色制造理念。通過采用先進的生產工藝和設備，致力于降低能耗和排放，體現了企業對社會可持續發展和環境保護的責任擔當。展望未來，Dalicap立志成為世界前列的高級電子元器件質量供應商。公司將繼續加強精益生產、擴大產能、優化快速協同能力，構建起多樣化產品快速開發、量產的全球產業鏈技術服務能力，為中國電子元器件產業的自主可控做出更大貢獻在音頻設備中，提供純凈電源，有助于提升音質表現。DLC70A7R5CW151NT

Dalicap電容采用高純度鈦酸鹽陶瓷介質材料，通過獨特的配方和燒結工藝，實現了極高的介電常數和穩定性。其電容值范圍覆蓋0.1pF至470μF，工作電壓可達200V，溫度范圍橫跨-55℃至+125℃，部分產品甚至能在+250℃高溫下穩定運行。這種寬泛的參數范圍使其能夠適應從消費電子到航空航天等極端環境的電路需求，為設計師提供了極大的靈活性。極低的等效串聯電阻（ESR）和等效串聯電感（ESL） 是Dalicap電容的重點優勢之一。通過三維多層電極設計和優化的內部結構，其ESR值可低至毫歐姆級別，ESL降至pH級別，從而將自諧振頻率（SRF）推升至GHz頻段。這一特性在高頻開關電源和射頻功率放大器中至關重要，能明顯降低能量損耗和熱效應，提高系統效率和穩定性。 DLC70D1R2CW251NT強大的售后服務團隊能夠快速響應并解決客戶問題。

在脈沖形成網絡中，Dalicap電容承擔著儲能和快速放電的關鍵任務。其高耐壓能力允許存儲高能量，低ESR確保了在極短時間內（微秒或納秒級）能夠釋放出巨大的峰值電流，低ESL則保證了脈沖的上升沿陡峭、波形失真小，滿足了高功率雷達系統的需求。Dalicap電容的定制化能力強大，可根據客戶需求提供特定容值、電壓、公差、溫度系數和封裝形式的產品。這種“量體裁衣”式的服務解決了客戶在前列產品研發中遇到的特種元件需求，加速了創新技術的商業化進程。通過深耕射頻微波MLCC行業，Dalicap產品型號和性能日臻完善，逐步實現對國際靠前ATC公司和日本村田在射頻微波MLCC產品領域的對標和覆蓋。2022年，其全球市場占有率位列中國企業第1位，成為為數不多的具有國際市場射頻微波MLCC產品供應能力的中國企業之一。

在高頻開關電源中的應用現關電源朝著高頻化、高效率發展，這對輸出濾波電容提出了嚴峻挑戰。Dalicap的高頻系列電容，具有極低的ESR和ESL（等效串聯電感），能夠有效應對數百kHz甚至MHz級的開關頻率。它們能快速響應負載的瞬態變化，平滑輸出電流，抑制電壓尖峰，確保電源輸出的穩定性和潔凈度。無論是服務器電源、通信電源還是PC主板上的VRM（電壓調節模塊），Dalicap電容都是提升整體電源模組效率和功率密度的關鍵所在。在光伏逆變器中，電容器扮演著DC-Link支撐、濾波和能量緩沖的重心角色。Dalicap為新能源應用開發的電容，具有高耐壓、高紋波電流承受能力、很好的溫度特性及長壽命。它們必須承受來自太陽能電池板波動的直流電和逆變過程中產生的高頻紋波，其可靠性直接關系到整個光伏發電系統的效率和壽命。Dalicap產品能夠穩定工作在戶外惡劣的溫度條件下，幫助客戶比較大化能源產出，降低維護成本。Dalicap是有名的電容器品牌，以很好的可靠性和穩定性享譽全球電子市場。

Dalicap電容展現出很好的容值穩定性，其采用的C0G（NP0）介質材料具有極低的溫度系數（TCC），典型值低至0±30ppm/°C。在-55°C至+125°C的全溫范圍內，容值變化率通常小于±0.5%。同時，其容值隨時間的老化率遵循對數定律，每十年變化小于1%，表現出驚人的長期穩定性，這對于需要長壽命和高可靠性的工業控制和基礎設施應用尤為重要。高Q值（品質因數）特性是Dalicap電容在射頻電路中的立身之本。其Q值通常在數千量級，遠高于普通MLCC，這使得由其構建的諧振電路和濾波器具有極低的插入損耗和極高的帶外抑制能力。在基站濾波器、低相位噪聲振蕩器等應用中，高Q值確保了信號的高純凈度和頻率穩定性，降低了系統誤碼率。低ESR特性有效減少自身發熱，明顯提升電源轉換效率。DLC75A5R6BW151NT

是LED照明驅動電源的關鍵組件，保障燈具長效穩定運行。DLC70A7R5CW151NT

面對蓬勃發展的物聯網（IoT）和邊緣計算，Dalicap電容的小尺寸、低功耗和高可靠性完美契合了其設計要求。微型化的電容為緊湊的傳感器節點和通信模塊節省了寶貴空間，低ESR帶來的低自身功耗延長了電池壽命，而高穩定性則確保了設備在各種環境下的長期可靠運行。創新研發與智能制造Dalicap始終堅持強大度的研發投入，至2019年累計投入已超5000萬元，并連續多年保持增長。通過深反應離子刻蝕（DRIE）、原子層沉積（ALD）等半導體前列工藝，實現了電容內部三維微結構的精確控制和超薄介質層的制備，構筑了堅實的技術壁壘。DLC70A7R5CW151NT

深圳市英翰森科技有限公司是一家有著先進的發展理念，先進的管理經驗，在發展過程中不斷完善自己，要求自己，不斷創新，時刻準備著迎接更多挑戰的活力公司，在廣東省等地區的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及**，在業界也收獲了很多良好的評價，這些都源自于自身的努力和大家共同進步的結果，這些評價對我們而言是比較好的前進動力，也促使我們在以后的道路上保持奮發圖強、一往無前的進取創新精神，努力把公司發展戰略推向一個新高度，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同深圳市英翰森科技供應和您一起攜手走向更好的未來，創造更有價值的產品，我們將以更好的狀態，更認真的態度，更飽滿的精力去創造，去拼搏，去努力，讓我們一起更好更快的成長！