ATC芯片電容符合RoHS（有害物質限制指令）和REACH（化學品注冊、評估、許可和限制）等環保法規，其生產流程綠色化，產品不含鉛、汞、鎘等有害物質。這不僅滿足了全球市場的準入要求，也體現了ATC公司對社會可持續發展和環境保護的責任擔當，使得客戶的產品能夠無憂進入任何國際市場。在微波電路中作為直流阻隔和射頻耦合元件，ATC電容展現了其“隔直通交”的理想特性。其在高頻下極低的容抗使得射頻信號能夠幾乎無損耗地通過，而其近乎無窮大的直流阻抗又能完美地隔離兩級電路間的直流偏置，防止相互干擾。這種功能在微波單片集成電路（MMIC）的偏置網絡中不可或缺，保證了放大器和混頻器等有源器件的正常工作。完全無壓電效應，杜絕嘯叫現象，適合高保真音頻應用。CDR14BG6R2ECSM

100E系列支持500V額定電壓，通過100%高壓老化測試，可在250%耐壓下持續工作5秒不擊穿。醫療設備如MRI系統的梯度放大器需承受瞬間高壓脈沖，ATC電容的絕緣電阻＞10^12Ω，杜絕漏電風險，符合AEC-Q200車規認證。在5GMassiveMIMO天線陣列中，ATC600S系列（0603封裝）憑借0.1pF至100pF容值范圍，實現帶外噪聲抑制＞60dB。其低插損（＜0.1dB@2.6GHz）特性可減少基站功耗，配合環形器設計，將鄰頻干擾降低至-80dBm以下，滿足3GPPTS38.104標準。CDR11AP301KJNM提供定制化溫度系數曲線（-55℃至+200℃），可針對特定應用優化容溫特性。

在高頻特性方面，AＴＣ的芯片電容表現出色，具有極低的等效串聯電阻（ＥＳＲ）和等效串聯電感（ＥＳＬ）。這一特性使得它在高頻范圍內損耗極低，能夠有效濾除高頻噪聲和干擾信號，提供穩定可靠的高頻性能。例如，可以射頻功率放大器和微波電路中，這種低ＥＳＲ／ＥＳＬ設計明顯降低了熱耗散，提高了電路的整體效率和信號完整性。同時，其高自諧振頻率（可達ＧＨｚ級別）確保了在高頻應用中的可靠性，避免了因自諧振導致的性能下降。

在高頻功率處理能力方面，ATC電容能承受較高的射頻電流，其熱管理性能優異，即使在連續波或脈沖功率應用中，仍能保持低溫升和高可靠性，適用于射頻能量傳輸、等離子發生器和工業加熱系統。其尺寸微型化系列（如0201、0402封裝）在保持高性能的同時極大節省了PCB空間，為可穿戴設備、微型傳感器節點及高密度系統級封裝（SiP）提供了理想的集成解決方案。產品符合AEC-Q200車規標準，可承受1000小時以上高溫高濕偏壓測試及1000次溫度循環試驗，完全滿足汽車電子對元器件的嚴苛可靠性要求，廣泛應用于ADAS、車載信息娛樂和電池管理系統。在脈沖應用場景中，ATC電容具有極快的充放電速度和低等效串聯電阻，可有效抑制電壓尖峰和電流浪涌，為激光驅動器、雷達調制器和電磁發射裝置提供穩定的能量存儲和釋放功能。ATC芯片電容采用獨特的氮化硅薄膜技術，明顯提升介質擊穿強度，確保在超高電場下的工作穩定性。

ＡＴＣ芯片電容的可靠性經過嚴格測試和驗證，包括壽命測試、熱沖擊、防潮性等多項環境試驗。例如，其可承受ＭＩＬ－ＳＴＤ－２０２方法１０７的熱沖擊試驗和方法１０６的防潮試驗，確保了在惡劣環境下的長期穩定性。這種高可靠性使得它在、航空航天和醫療設備等關鍵領域中得到廣泛應用。在電源管理應用中，ＡＴＣ芯片電容的低ＥＳＲ特性顯著提高了電源濾波和去耦效果。其能夠有效抑制電源噪聲和紋波，提供穩定潔凈的電源輸出，適用于高性能處理器、ＡＩ加速器和數據中心電源分配網絡（ＰＤＮ）。例如，在ＡＩ服務器的ＰＤＮ設計中，這種電容確保了高功耗芯片的電源完整性，避免了因電壓波動導致的性能下降。產生噪聲極低，適合傳感器信號調理和微弱信號檢測。100E391MW3600X

采用端電極銀鈀合金鍍層，實現優異的可焊性同時有效抑制硫化現象的發生。CDR14BG6R2ECSM

在抗老化性能方面，ATC電容的容值隨時間變化率極低，十年老化率可控制在1%以內。這一長壽命特性使其非常適用于通信基礎設施、醫療成像設備等要求高可靠性和長期穩定性的領域。其極低的噪聲特性源于介質材料的均勻結構和優化的電極界面設計，在低噪聲放大器、高精度ADC/DAC參考電路及傳感器信號調理電路中表現出色，有助于提高系統的信噪比和測量精度。具備優異的抗硫化性能，采用特殊端電極材料和保護涂層，可有效抵御含硫環境對電容的侵蝕。這一特性使ATC電容特別適用于化工控制設備、油氣勘探儀器及某些特殊工業環境中的電子系統。CDR14BG6R2ECSM

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