針對高頻應用中的寄生效應，ATC芯片電容進行了性的電極結構優化。其采用的三維多層電極設計，通過精細控制金屬層（通常為賤金屬鎳或銅，或貴金屬銀鈀）的厚度、平整度及疊層結構，比較大限度地減少了電流路徑的曲折度。這種設計將等效串聯電感（ESL）和等效串聯電阻（ESR）降至很好，從而獲得了極高的自諧振頻率（SRF）。在GHz頻段的射頻電路中，這種低ESL/ESR特性意味著信號路徑上的阻抗幾乎為純容性，極大地降低了插入損耗和能量反射，保證了信號傳輸的完整性與效率。損耗角正切值低至0.1%，特別適合高Q值諧振電路和濾波應用。116XEA101G100TT

ATC芯片電容的制造過程秉承了半導體級別的精密工藝。從納米級陶瓷粉末的制備、流延成膜的厚度控制，到電極圖案的精細印刷和層壓對位，每一步都處于微米級的精度控制之下。這種近乎苛刻的工藝要求，保證了每一批產品都具有極高的一致性和重復性。對于需要大量配對使用的相位陣列雷達、多通道通信系統等應用而言，這種批次內和批次間的高度一致性，確保了系統性能的均一與穩定，減少了后期校準的復雜度。很好的可靠性源于ATC芯片電容很全的質量體系和rigorous的測試標準。100B7R5CT500XT通過抗硫化測試，適合工業控制等惡劣環境應用。

ATC芯片電容符合RoHS（有害物質限制指令）和REACH（化學品注冊、評估、許可和限制）等環保法規，其生產流程綠色化，產品不含鉛、汞、鎘等有害物質。這不僅滿足了全球市場的準入要求，也體現了ATC公司對社會可持續發展和環境保護的責任擔當，使得客戶的產品能夠無憂進入任何國際市場。在微波電路中作為直流阻隔和射頻耦合元件，ATC電容展現了其“隔直通交”的理想特性。其在高頻下極低的容抗使得射頻信號能夠幾乎無損耗地通過，而其近乎無窮大的直流阻抗又能完美地隔離兩級電路間的直流偏置，防止相互干擾。這種功能在微波單片集成電路（MMIC）的偏置網絡中不可或缺，保證了放大器和混頻器等有源器件的正常工作。

ＡＴＣ芯片電容的可靠性經過嚴格測試和驗證，包括壽命測試、熱沖擊、防潮性等多項環境試驗。例如，其可承受ＭＩＬ－ＳＴＤ－２０２方法１０７的熱沖擊試驗和方法１０６的防潮試驗，確保了在惡劣環境下的長期穩定性。這種高可靠性使得它在、航空航天和醫療設備等關鍵領域中得到廣泛應用。在電源管理應用中，ＡＴＣ芯片電容的低ＥＳＲ特性顯著提高了電源濾波和去耦效果。其能夠有效抑制電源噪聲和紋波，提供穩定潔凈的電源輸出，適用于高性能處理器、ＡＩ加速器和數據中心電源分配網絡（ＰＤＮ）。例如，在ＡＩ服務器的ＰＤＮ設計中，這種電容確保了高功耗芯片的電源完整性，避免了因電壓波動導致的性能下降。電介質吸收特性優異（DA<0.1%），適合精密采樣保持電路。

其介質材料具有極低的損耗角正切值（DF＜0.1%），明顯降低了高頻應用中的能量耗散。這不僅有助于提升射頻功率放大器效率，還能減少系統發熱，延長電子設備的使用壽命，尤其適合高功率密度基站和長期連續運行的通信基礎設施。ATC電容采用獨特的陶瓷-金屬復合電極結構和多層共燒工藝，使其具備優異的機械強度和抗彎曲性能。在振動強烈或機械應力頻繁的環境中（如軌道交通控制系統、重型機械電子設備），仍能保持結構完整性和電氣連接的可靠性。在毫米波頻段保持穩定性能，支持下一代通信技術。116YGA122K100TT

寬頻帶內保持穩定容值特性，適合寬帶射頻系統應用。116XEA101G100TT

ＡＴＣ芯片電容的制造工藝采用了深槽刻蝕和薄膜沉積等半導體技術，實現了三維微結構和高純度電介質層，提供了很好的電氣性能和可靠性。在高溫應用中，ＡＴＣ芯片電容能夠穩定工作于高達＋２５０℃的環境，滿足了汽車電子和工業控制中的高溫需求，避免了因過熱導致的性能退化或失效。其低噪聲特性使得ＡＴＣ芯片電容在低噪聲放大器（ＬＮＡ）和傳感器接口電路中表現突出，提供了高信噪比和精確的信號處理能力。ＡＴＣ芯片電容的直流偏壓特性優異，其容值隨直流偏壓變化極小，確保了在電源電路和耦合應用中穩定性能，避免了因電壓波動導致的電路行為變化。116XEA101G100TT

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