反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。 [5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結長久性損壞。 [5]二極管的電路符號如圖1所示。二極管有兩個電極，由P區引出的電極是正極，又叫陽極；上海特點二極管設計

光電二極管另外一個作用就是在模擬電路以及數字電路之間充當中介，這樣兩段電路就可以通過光信號耦合起來，這可以提高電路的安全性。在科學研究和工業中，光電二極管常常被用來精確測量光強，因為它比其他光導材料具有更良好的線性。在醫療應用設備中，光電二極管也有著廣泛的應用，例如X射線計算機斷層成像以及脈搏探測器。PIN結型光電二極管一般不用來測量很低的光強。如果弱光情況下需要高靈敏度探測器，雪崩光電二極管、感光耦合元件或者光電倍增管就能發揮作用，例如天文學、光譜學、夜視設備、激光測距儀等應用產品。松江區本地二極管現價N型半導體形成的原理和P型原理相似。在本征半導體中摻入五價原子，如磷等。

PN結形成原理P型和N型半導體P型半導體是在本征半導體（一種完全純凈的、結構完整的半導體晶體）摻入少量三價元素雜質，如硼等。因硼原子只有三個價電子，它與周圍的硅原子形成共價鍵，因缺少一個電子，在晶體中便產生一個空位，當相鄰共價鍵上的電子獲得能量時就有可能填補這個空位，使硼原子成了不能移動的負離子，而原來的硅原子的共價鍵則因缺少一個電子，形成了空穴，但整個半導體仍呈中性。這種P型半導體中以空穴導電為主，空穴為多數載流子，自由電子為少數載流子。

發光二極管在很多領域得到普遍應用，下面介紹幾點其主要應用：（1）電子用品中的應用發光二極管在電子用品中一般用作屏背光源或作顯示、照明應用。從大型的液晶電視、電腦顯示屏到媒體播放器MP3、MP4以及手機等的顯示屏都將發光二極管用作屏背光源。 [6]（2）汽車以及大型機械中的應用發光二極管在汽車以及大型機械中得到廣泛應用。汽車以及大型機械設備中的方向燈、車內照明、機械設備儀表照明、大前燈、轉向燈、剎車燈、尾燈等都運用了發光二極管。主要是因為發光二極管的響應快、使用壽命長（一般發光二極管的壽命比汽車以及大型機械壽命長）。 [6]當電壓達到約0.7V時，二極管處于完全導通狀態，通常稱此電壓為二極管的導通電壓，用符號UD表示 [4]。

N型半導體形成的原理和P型原理相似。在本征半導體中摻入五價原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價鍵，產生了自由電子。在N型半導體中，電子為多數載流子，空穴為少數載流子。 [6]PN結因此，在本征半導體的兩個不同區域摻入三價和五價雜質元素，便形成了P型區和N型區，根據N型半導體和P型半導體的特性，可知在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區域向濃度低的區域擴散，它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞。 [6]無論是在常見的收音機電路還是在其他的家用電器產品或工業控制電路中，都可以找到二極管的蹤跡 [3]。普陀區好的二極管專賣店

和普通二極管相似，發光二極管也是由一個PN結構成。上海特點二極管設計

檢測光敏二極管，可用萬用表Rx1k電阻檔。當沒有光照射在光敏二極管時，它和普通的二極管一樣，具有單向導電作用。正向電阻為8-9kΩ，反向電阻大于5MΩ。如果不知道光敏二極管的正負極，可用測量普通二極管正、負極的辦法來確定，當測正向電阻時，黑表筆接的就是光敏二極管的正極。當光敏二極管處在反向連接時，即萬用表紅表筆接光敏二極管正極，黑表筆接光敏二極管負極，此時電阻應接近無窮大(無光照射時)，當用光照射到光敏二極管上時，萬用表的表針應大幅度問右偏轉，當光很強時，表針會打到0刻度右邊。上海特點二極管設計

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