紫外發光二極管是氮化物技術發展和第三代半導體材料技術發展的主要趨勢，擁有廣闊的應用前景。中國科技部為了加快第三代半導體固態紫外光源的發展，爭施了“第三代半導體固態紫外光源材料及器件關鍵技術”重點研發計劃專項（2016YFB0400800）。國家重點研發計劃的支持和國際紫外材料與器件研討會的舉辦，將為加快實現我國第三代半導體紫外光源的市場化應用，帶動我國紫外半導體發光二極管材料和器件技術創親及產業化發展發揮積極的作用。 [4]二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性，在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極管。青浦區推廣二極管服務熱線

當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流。 [5]當外加的反向電壓高到一定程度時，PN結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。PN結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。金山區特點二極管圖片光電二極管又稱光敏二極管。它的管殼上備有一個玻璃窗口，以便于接受光照。

光電二極管在消費電子產品，例如CD播放器、煙霧探測器以及控制電視機、空調的紅外線遙控設備中也有應用。對于許多應用產品來說，可以使用光電二極管或者其他光導材料。它們都可以被用于測量光，常常工作在照相機的測光器、路燈亮度自動調節等。所有類型的光傳感器都可以用來檢測突發的光照，或者探測同一電路系統內部的發光。光電二極管常常和發光器件（通常是發光二極管）被合并在一起組成一個模塊，這個模塊常被稱為光電耦合元件。如果這樣就能通過分析接收到光照的情況來分析外部機械元件的運動情況（例如光斬波器）。

N型半導體形成的原理和P型原理相似。在本征半導體中摻入五價原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價鍵，產生了自由電子。在N型半導體中，電子為多數載流子，空穴為少數載流子。 [6]PN結因此，在本征半導體的兩個不同區域摻入三價和五價雜質元素，便形成了P型區和N型區，根據N型半導體和P型半導體的特性，可知在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區域向濃度低的區域擴散，它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞。 [6]穩壓管與普通二極管的主要區別在于，穩壓管是工作在PN結的反向擊穿狀態。

變容二極管將萬用表紅、黑表筆怎樣對調測量，變容二極管的兩引腳間的電阻值均應為無窮大。如果在測量中，發現萬用表指針向右有輕微擺動或阻值為零，說明被測變容二極管有漏電故障或已經擊穿壞。 [8]單色發光二極管在萬用表外部附接一節能1.5V干電池，將萬用表置R×10或R×100擋。這種接法就相當于給予萬用表串接上了1.5V的電壓，使檢測電壓增加至3V(發光二極管的開啟電壓為2V)。檢測時，用萬用表兩表筆輪換接觸發光二極管的兩管腳。若管子性能良好，必定有一次能正常發光，此時，黑表筆所接的為正極紅表筆所接的為負極。隨著外加電場的增加，擴散運動進一步增強，漂移運動減弱。青浦區本地二極管量大從優

PN結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。青浦區推廣二極管服務熱線

對于鍺二極管，開啟電壓為0.2V，導通電壓UD約為0.3V。在二極管加有反向電壓，當電壓值較小時，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當反向電壓超過某個值時，電流開始急劇增大，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號UBR表示。不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千伏 [4]。正向特性外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結內電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區。這個不能使二極管導通的正向電壓稱為死區電壓。 [4]青浦區推廣二極管服務熱線

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