門極驅(qū)動(dòng)功率 PG = E · fSW = QG · [ VG(on) - VG(off) ] · fSW驅(qū)動(dòng)器總功率 P = PG + PS（驅(qū)動(dòng)器的功耗）平均輸出電流 IoutAV = PG / ΔUGE = QG · fSW比較高開關(guān)頻率 fSW max. = IoutAV(mA) / QG(μC)峰值電流IG MAX = ΔUGE / RG min = [ VG(on) - VG(off) ] / RG min其中的 RG min = RG extern + RG internfsw max. : 比較高開關(guān)頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門極電壓差時(shí)的 IGBT門極總電荷RG extern : IGBT 外部的門極電阻RG intern : IGBT 芯片內(nèi)部的門極電阻但是實(shí)際上在很多情況下，數(shù)據(jù)手冊(cè)中這個(gè)門極電荷參數(shù)沒有給出，門極電壓在上升過程中的充電過程也沒有描述。這時(shí)候比較好是按照 IEC 60747-9-2001 - Semiconductor devices -心理或情感意義：可以指推動(dòng)一個(gè)人采取行動(dòng)的內(nèi)在動(dòng)力或外部激勵(lì)。浦東新區(qū)優(yōu)勢(shì)驅(qū)動(dòng)電路專賣店

IGBT驅(qū)動(dòng)：IGBT常被用于中大功率數(shù)字電源開發(fā)，其驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-15~15V。IGBT驅(qū)動(dòng)電路分為正壓驅(qū)動(dòng)和負(fù)壓驅(qū)動(dòng)，負(fù)壓關(guān)斷可以避免誤導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)，加快關(guān)斷速度，減小關(guān)斷損耗。IGBT的驅(qū)動(dòng)電路一般采用**的驅(qū)動(dòng)芯片，如東芝的TLP系列、富士公司的EXB系列、英飛凌的EiceDRIVER系列等。五、驅(qū)動(dòng)電路的應(yīng)用顯示控制：驅(qū)動(dòng)電路可以將數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)，以控制液晶顯示屏、LED顯示屏等顯示設(shè)備；也可以將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，以控制數(shù)碼管等顯示設(shè)備。閔行區(qū)制造驅(qū)動(dòng)電路量大從優(yōu)浮動(dòng)接地驅(qū)動(dòng)：功率器件接地端電位會(huì)隨電路狀態(tài)變化而浮動(dòng)，典型的為自舉驅(qū)動(dòng)電路。

3.關(guān)斷瞬時(shí)：足夠、反向基極電流—迅速抽出基區(qū)剩余載流子，減小 ；反偏截止電壓，使ic迅速下降，減小 。恒流驅(qū)動(dòng)電路恒定電路即基極電流恒定，功率管飽和導(dǎo)通。恒流驅(qū)動(dòng)優(yōu)點(diǎn)：優(yōu)點(diǎn)： 電路簡(jiǎn)單；普通恒流驅(qū)動(dòng)電路恒流驅(qū)動(dòng)缺點(diǎn)：輕載時(shí)深度飽和，關(guān)斷時(shí)間長(zhǎng)。驅(qū)動(dòng)電路的實(shí)質(zhì)是給柵極電容充放電。 [2]開通：1.驅(qū)動(dòng)電壓足夠高，一般>10V；（減小RDS(on))2.足夠的瞬態(tài)驅(qū)動(dòng)電流，快的上升沿； （加速開通）3.驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻抗小。 （加速開通）關(guān)斷：1. 足夠的瞬態(tài)驅(qū)動(dòng)電流，快的下降沿； （加速關(guān)斷）2. 驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻抗小。 （加速關(guān)斷）3. 驅(qū)動(dòng)加負(fù)壓。 （防止誤導(dǎo)通）

-- 適用于Cies 的測(cè)試條件為 VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT當(dāng)為各個(gè)應(yīng)用選擇IGBT驅(qū)動(dòng)器時(shí)，必須考慮下列細(xì)節(jié)：· 驅(qū)動(dòng)器必須能夠提供所需的門極平均電流IoutAV 及門極驅(qū)動(dòng)功率PG。驅(qū)動(dòng)器的比較大平均輸出電流必須大于計(jì)算值。· 驅(qū)動(dòng)器的輸出峰值電流IoutPEAK 必須大于等于計(jì)算得到的比較大峰值電流。· 驅(qū)動(dòng)器的比較大輸出門極電容量必須能夠提供所需的門極電荷以對(duì)IGBT 的門極充放電。在POWER-SEM 驅(qū)動(dòng)器的數(shù)據(jù)表中，給出了每脈沖的比較大輸出電荷，該值在選擇驅(qū)動(dòng)器時(shí)必須要考慮。電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路：直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路、步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路和伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，通常需要控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速和方向。

led驅(qū)動(dòng)電路是一種用于可控硅調(diào)光器的電路，分為兩類AC/ DC轉(zhuǎn)換和DC/ DC轉(zhuǎn)換兩類，又根據(jù)驅(qū)動(dòng)原理的不同，可以分為線性驅(qū)動(dòng)電路和開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路。LED在具體的使用時(shí)，要注意驅(qū)動(dòng)電路的選用。LED 驅(qū)動(dòng)電路除了要滿足安全要求外，另外的基本功能應(yīng)有兩個(gè)方面：根據(jù)能量來源的不同，LED驅(qū)動(dòng)電路總體上可分為兩類，一是AC/ DC轉(zhuǎn)換，能量來自交流電，二是DC/ DC轉(zhuǎn)換，能量來自干電池、可充電電池、蓄電池等。根據(jù)LED驅(qū)動(dòng)原理的不同，又可以分為線性驅(qū)動(dòng)電路和開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路。顯示控制：驅(qū)動(dòng)電路可以將數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)，以控制液晶顯示屏、LED顯示屏等顯示設(shè)備；閔行區(qū)制造驅(qū)動(dòng)電路量大從優(yōu)

MOSFET驅(qū)動(dòng)電路：使用MOSFET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為開關(guān)元件，適用于高效能的開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)。浦東新區(qū)優(yōu)勢(shì)驅(qū)動(dòng)電路專賣店

IGBT柵極驅(qū)動(dòng)功率 P=FUQ，其中：F 為工作頻率；U 為驅(qū)動(dòng)輸出電壓的峰峰值；Q 為柵極電荷，可參考IGBT模塊參數(shù)手冊(cè)。例如，常見IGBT驅(qū)動(dòng)器(如TX-KA101)輸出正電壓15V，負(fù)電壓-9V，則U=24V，假設(shè) F=10KHz，Q=2.8uC可計(jì)算出 P=0.67w ，柵極電阻應(yīng)選取2W電阻，或2個(gè)1W電阻并聯(lián)。三、設(shè)置柵極電阻的其他注意事項(xiàng)1、盡量減小柵極回路的電感阻抗，具體的措施有：IGBT柵極驅(qū)動(dòng)功率 P=FUQ，其中：F 為工作頻率；U 為驅(qū)動(dòng)輸出電壓的峰峰值；Q 為柵極電荷，可參考IGBT模塊參數(shù)手冊(cè)。例如，常見IGBT驅(qū)動(dòng)器(如TX-KA101)輸出正電壓15V，負(fù)電壓-9V，則U=24V，假設(shè) F=10KHz，Q=2.8uC可計(jì)算出 P=0.67w ，柵極電阻應(yīng)選取2W電阻，或2個(gè)1W電阻并聯(lián)。三、設(shè)置柵極電阻的其他注意事項(xiàng)1、盡量減小柵極回路的電感阻抗，具體的措施有：浦東新區(qū)優(yōu)勢(shì)驅(qū)動(dòng)電路專賣店

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