一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數量級，小功率鍺管在μA數量級。溫度升高時，半導體受熱激發，少數載流子數目增加，反向飽和電流也隨之增加。 [4]擊穿特性外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被長久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。二極管就是由一個PN結加上相應的電極引線及管殼封裝而成的。普陀區本地二極管專賣店

PN結單向導電性在PN結外加正向電壓V，在這個外加電場的作用下，PN結的平衡狀態被打破，P區中的空穴和N區的電子都往PN結方向移動，空穴和PN結P區的負離子中和，電子和PN結N區的正離子中和，這樣就使PN結變窄。隨著外加電場的增加，擴散運動進一步增強，漂移運動減弱。當外加電壓超過門檻電壓，PN結相當于一個阻值很小的電阻，也就是PN結導通。 [6]點接觸型二極管點接觸型二極管的PN結接觸面積小，不能通過較大的正向電流和承受較高的反向電壓，但它的高頻性能好，適宜在高頻檢波電路和開關電路中使用 [5]。楊浦區國產二極管圖片二極管的導通和截止，則相當于開關的接通與斷開 [2]。

紫外發光二極管是氮化物技術發展和第三代半導體材料技術發展的主要趨勢，擁有廣闊的應用前景。中國科技部為了加快第三代半導體固態紫外光源的發展，爭施了“第三代半導體固態紫外光源材料及器件關鍵技術”重點研發計劃專項（2016YFB0400800）。國家重點研發計劃的支持和國際紫外材料與器件研討會的舉辦，將為加快實現我國第三代半導體紫外光源的市場化應用，帶動我國紫外半導體發光二極管材料和器件技術創親及產業化發展發揮積極的作用。 [4]

電子電路應用二極管幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導體二極管。半導體二極管在電路中的使用能夠起到保護電路，延長電路壽命等作用。半導體二極管的發展，使得集成電路更加優化，在各個領域都起到了積極的作用。二極管在集成電路中的作用很多，維持著集成電路正常工作。下面簡要介紹二極管在以下四種電路中的作用。 [6]（1）開關電路在數字、集成電路中利用二極管的單向導電性實現電路的導通或斷開，這一技術已經得到廣泛應用。開關二極管可以很好的保護的電路，防止電路因為短路等問題而被燒壞，也可實現傳統開關的功能。開關二極管還有一個特性就是開關的速度很快。這是傳統開關所無法比擬的。 [6]二極管是用半導體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件 [1]。

當正向電壓大于死區電壓以后，PN結內電場被克服，二極管正向導通，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內，導通時二極管的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極管的正向電壓。 [4]當二極管兩端的正向電壓超過一定數值 ，內電場很快被削弱，特性電流迅速增長，二極管正向導通。 叫做門坎電壓或閾值電壓，硅管約為0.5V，鍺管約為0.1V。硅二極管的正向導通壓降約為0.6~0.8V，鍺二極管的正向導通壓降約為0.2~0.3V。 [4]反向特性外加反向電壓不超過一定范圍時，通過二極管的電流是少數載流子漂移運動所形成反向電流。由于反向電流很小，二極管處于截止狀態。這個反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流，二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]二極管是早誕生的半導體器件之一，其應用非常。普陀區本地二極管專賣店

在電子技術中常用的數碼管，發光二極管的原理與光電二極管相反。普陀區本地二極管專賣店

瞬態電壓抑制二極管用萬用表測量管子的好壞對于單要極型的TVS，按照測量普通二極管的方法，可測出其正、反向電阻，一般正向電阻為4kΩ左右，反向電阻為無窮大。 [8]對于雙向極型的瞬態電壓抑制二極管，任意調換紅、黑表筆測量其兩引腳間的電阻值均應為無窮大，否則，說明管子性能不良或已經損壞。 [8]高頻變阻二極管識別正、負極高頻變阻二極管與普通二極管在外觀上的區別是其色標顏色不同，普通二極管的色標顏色一般為黑色，而高頻變阻二極管的色標顏色則為淺色。其極性規律與普通二極管相似，即帶綠色環的一端為負極，不帶綠色環一端為正極。 [8]普陀區本地二極管專賣店

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