選擇比指的是在同一刻蝕條件下一種材料與另一種材料相比刻蝕速率快多少，它定義為被刻蝕材料的刻蝕速率與另一種材料的刻蝕速率的比。基本內容：高選擇比意味著只刻除想要刻去的那一層材料。一個高選擇比的刻蝕工藝不刻蝕下面一層材料（刻蝕到恰當的深度時停止）并且保護的光刻膠也未被刻蝕。圖形幾何尺寸的縮小要求減薄光刻膠厚度。高選擇比在較的工藝中為了確保關鍵尺寸和剖面控制是必需的。特別是關鍵尺寸越小，選擇比要求越高。廣東省科學院半導體研究所。微納加工技術指尺度為亞毫米，四川鍍膜微納加工公司，四川鍍膜微納加工公司，四川鍍膜微納加工公司、微米和納米量級元件的優化設計、加工、組裝、系統集成與應用技術。四川鍍膜微納加工公司

微納加工技術指尺度為亞毫米、微米和納米量級元件以及由這些元件構成的部件或系統的優化設計、加工、組裝、系統集成與應用技術。微納加工按技術分類，主要分為平面工藝、探針工藝、模型工藝。主要介紹微納加工的平面工藝，平面工藝主要可分為薄膜工藝、圖形化工藝（光刻）、刻蝕工藝。光刻是微納加工技術中較關鍵的工藝步驟，光刻的工藝水平決定產品的制程水平和性能水平。光刻的原理是在基底表面覆蓋一層具有高度光敏感性光刻膠，再用光線（一般是紫外光、深紫外光、紫外光）透過光刻板照射在基底表面，被光線照射到的光刻膠會發生反應。此后用顯影液洗去被照射/未被照射的光刻膠，就實現了圖形從光刻板到基底的轉移。江蘇鍍膜微納加工服務微納加工技術的特點：微型化。

微納制造技術屬前沿技術，作為未來制造業賴以生存的基礎和可持續發展的關鍵，其研發和應用標志著人類可以在微、納米尺度認識和改造世界。以聚合物為基礎材料的微納系統在整個微納系統中占有其重要地位，是較具產業化開發前景的微納系統之一，聚合物微納制造技術也已經開始得到應用并具有大的發展空間。集中介紹了多種典型聚合物微納器件及系統，并對微注塑成型、微擠出成型和微納壓印成型等聚合物微納制造技術進行了系統的闡述，比較了各種聚合物微納制造技術的優缺點和使用條件。末尾，結合國內外研究人員的研究成果，對聚合物微納制造技術的未來發展做出展望。

微納加工技術的特點：（1）微電子化：采用MEMS工藝，可以把不同功能、不同敏感方向或致動方向的多個傳感器或執行器集成于一體，或形成微傳感陣列、微執行器陣列甚至把多種功能的器件集成在一起，形成復雜的微系統。微傳感器、微執行器和微電子器件的集成可制造出可靠性、穩定性比較高的微電子機械系統。（2）MEMS技術適合批量生產：用硅微加工工藝在同一硅片上同時可制造出成百上千微型機電裝置或完整的MEMS，批量生產可較大降低生產成本。（3）多學科交叉：MEMS涉及電子、機械、材料、制造、信息與自動控制、物理、化學和生物等多學科，并集約當今科學發展的許多成果。大部份的濕刻蝕液均是各向同性的，換言之，對刻蝕接觸點之任何方向速度并無明顯差異。

MEMS工藝離不開曝光工藝。光刻曝光系統：接觸式曝光和非接觸式曝光的區別，在于曝光時掩模與晶片間相對關系是貼緊還是分開。接觸式曝光具有分辨率高、復印面積大、復印精度好、曝光設備簡單、操作方便和生產效率高等特點。但容易損傷和沾污掩模版和晶片上的感光膠涂層,影響成品率和掩模版壽命,對準精度的提高也受到較多的限制。一般認為，接觸式曝光只適于分立元件和中、小規模集成電路的生產。非接觸式曝光主要指投影曝光。在投影曝光系統中，掩膜圖形經光學系統成像在感光層上，掩模與晶片上的感光膠層不接觸,不會引起損傷和沾污,成品率較高，對準精度也高，能滿足高集成度器件和電路生產的要求。但投影曝光設備復雜，技術難度高，因而不適于低檔產品的生產。現代應用較廣的是 1:1倍的全反射掃描曝光系統和x:1倍的在硅片上直接分步重復曝光系統。濕法刻蝕較普遍、也是成本較低的刻蝕方法。珠海微納加工技術

在微納加工過程中，蒸發沉積和濺射沉積是典型的物理方法，主要用于沉積金屬單質薄膜、合金薄膜、化合物等。四川鍍膜微納加工公司

微納加工中，材料濕法是一個常用的工藝方法。材料的濕法化學刻蝕，包括刻蝕劑到達材料表面和反應產物離開表面的傳輸過程，也包括表面本身的反應。半導體技術中的許多刻蝕工藝是在相當緩慢并受速率控制的情況下進行的，這是因為覆蓋在表面上有一污染層。污染層厚度常有幾微米，如果化學反應有氣體逸出，則此層就可能破裂。濕法刻蝕工藝常常有反應物產生，這種產物受溶液的溶解速率的限制。為了使刻蝕速率提高，常常使溶液攪動，因為攪動增強了外擴散效應。多晶和非晶材料的刻蝕是各向異性的。然而，結晶材料的刻蝕可能是各向同性，也可能是各向異性的，它取決于反應動力學的性質。晶體材料的各向同性刻蝕常被稱作拋光刻蝕，因為它們產生平滑的表面。各向異性刻蝕通常能顯示晶面，或使晶體產生缺陷。因此，可用于化學加工，也可作為結晶刻蝕劑。四川鍍膜微納加工公司