濺射或蒸發工藝后的金屬層表面光滑，微米尺寸的電極具有較大的基線噪聲和波動，因此增加電極的比面積可以增加電極和溶液的有效接觸面積，從而來降低電極的阻抗和噪聲。通常所采用的電極表面修飾材料有: TiN、Ir、鉑黑碳納米管等，在修飾到裸金或鉑電極上后，電極表面出現納米結構，增加了電極表面的粗糙度。TiN 通過反應濺射法在氮氣和氟氣混合氣體中粘附到金或鉑電極上， TiN 具有規則的柱狀納米結構，表現出穩定的電學和機械特性，被采用在商業化生產的叉指電極上。相比之下，采用陰極氧化方法加工的Ir雖然具有較大的表面電荷負載，但是其電荷注入能力較差，不適合用于刺激電極，此外其電學特性不穩定，安徽Au叉指電極，表面是現不規則的龜裂結構。出于鉑黑采用恒電流或恒電壓電鍍方法修飾到電極表面，裝置和電鍍液成本較低，操作簡單，安徽Au叉指電極，較多采用。電鍍鉑黑后的電極表面出現棉絮狀的納米結構，安徽Au叉指電極，比面積達到電極幾何面積的 10~100 倍，在實驗中具有較好的效果。然而相比TiN，電極表面的鉑黑顆粒容易脫落，電極壽命較短。電化學生物傳感器將高靈敏的電分析方法和高特異性的生物識別過程相結合。安徽Au叉指電極
微又指電極可用于檢測不正常細胞，不正常細胞是由正常細胞變異而來，而正常細胞具有生命周期調亡，不正常細胞則會無限增殖，還可以轉化和轉移攻擊正常細胞，這也是產生病源及難點所在。常在低頻段實驗時發現，用100um寬間距20um，500um厚的電極實驗檢測 MCF-7 細胞時精度更高。不同尺寸ITO叉指電極傳感器對腺人類肺泡基底上皮細胞細胞培養做阻抗測量。通過阻抗分析寬 60um、間距 20um 和寬40um、間距40um兩種結構的電極發現，寬60um、間距20um的電極阻抗變化更明顯，證明了電極間隙小、寬度大能夠使傳感器有更好的靈敏度。浙江玻璃叉指電極叉指電極生物傳感器主要包含生物識別元件、電化學轉換器及信號放大裝置。
電極由兩個微電極陣列組成，其中梳為多個寬度和間距為微米級的條形電極組成。與傳統電極半無限線性擴散層表面不同，微叉指電極采用微米級的結構，電極表面的球形擴散場能夠使反應物的供給速率得到很大的提升，從而很大程度提高了微叉指電極的信噪比和靈敏度。模板法、光刻法、自組裝法是微叉指電極常用的制作方法。模板法是通過改變制作材料的參數間接合成并控制結構參數:光刻法首先在絕緣基底上通過氣象沉積得到一層導電薄膜，然后在其表面均勻涂抹一層光刻膠并覆蓋上光刻模板，然后用光照和化學溶解制作出陣列電極。自組裝法利用納米粒子間的非共價鍵特性，能夠使其在電極表面自動形成規則的納米薄膜。
電化學傳感器常用的檢測體系為三電極系統,包括工作電極、對電極和參比電極。其中,工作電極多為棒狀電極,如玻碳電極、金盤電極等；對電極多用鉑絲電極或鉑片電極；參比電極則常用 Ag/AgC電極或甘汞電極。這些電極的表面積決定了檢測所需樣品至少為毫升量級，限制了電化學方法在現場實時連續監測中的應用。相較于棒狀電極。薄膜申極可極大地減少樣品用量。拓展了電化學檢測的應用場景。薄膜電極多由貴金屬納米粒子及其混合物制備得到,常見的制備方式包括濺射、蒸鍍和絲網印刷等。結合光刻與濺射工藝，在聚對苯二甲酸乙二醋(Polyethylene terephthalate，PET)表面制備了可用于汗液中多種生理指標檢測的 Cr/Au 薄膜電極。使用磁控濺射技術在多碳納米管表面沉積了一層鉑納米粒子,在對 L-半胱氨酸的檢測過程中表現出優異的選擇性。使用絲網印刷技術制備金膜電極,用于檢測液體樣本中的 Cr3+檢出限低至4.4 mol/L。叉指電極可用于96孔電極板的制備。
叉指電極生物傳感器的制備采用表面生物化學修飾技術完成，具體修飾過程如下： ( 1)清洗叉指電極基底，為了在叉指微電極陣列的微間隙中固定生物分子，依次用無水乙醇、氫氧化鈉溶液和去離子水分別清洗基底；(2)硅烷化處理，將清洗后的叉指電極基底浸泡在含有硅烷化試劑的乙醇溶液中24小時，將硅烷化試劑修飾在叉指電極微間隙中的玻璃表面，用乙醇沖洗后基底用氮氣吹干；( 3)活化處理.將硅烷化的叉指電極基底浸泡在戊二醛溶液中1小時,將戊二醛修飾在硅烷化試劑表面,然后用清水沖洗；( 4) 固聯捕獲單克隆抗體. 在活化的叉指電極基底表面滴加含有捕獲單抗的PBS緩沖液,在37°C下保溫1小時，將捕獲單抗固定在戊二醛上，然后用 PBS 清洗以除去多余的和弱固定的捕獲單抗。生物叉指電極必須具有良好的生物相容性、質量可靠性等。安徽PI叉指電極
對醫用叉指電在低成本、可設計、柔性化等方面等提出更高的要求。安徽Au叉指電極
叉指電極制備方法包括四個步驟：(1)襯底清洗。首先需要對基片進行清洗,本工作中所用二氧化硅硅片在購得潔凈硅片的基礎上，再依次進行乙醇、去離子水的超聲清洗。 (2) 光刻。光刻是一種將掩膜版上圖形轉移到襯底表面的技術，在大規模集成電路制造中有應用，其主要利用紫外光照射光刻膠使其化學性質改變，然后去除相應光刻膠，得到掩模版上的圖形，進而作為后續工藝的掩模。(3) 薄膜沉積。主要包括物理方法和化學方法沉積。(4) 剝離(lift-of)。剝離是在襯底上進行薄膜沉積后，通過去除光刻膠的方法使附著在光刻膠上的金屬脫附，直接沉積在襯底的金屬被保留，形成電極圖形。剝離工藝的優勢是操作簡單、成本低廉，而且去膠過程中不會對襯底產生刻蝕損傷。安徽Au叉指電極
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