英飛凌 Infineon、賽米控（西門康）SEMIKRON 可控硅 IGBT 系列產品，本公司可直接向德國訂貨，貨源穩 交期快 量大更優惠！保證每顆型號都為原裝正品新件。歡迎新老客戶咨詢！
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IGBT
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
英飛凌（EUPEC）:、、IGBT功率模塊、單管IGBT、1單元、2單元、6單元（600V-6500V）
FZ系列
FZ800R12KF4、FZ1200R12KF4、FZ1600R12KF4、FZ1800R12KF4
FZ2400R12KF4、FZ800R12KL4C、FZ1200R12KL4C、FZ1800R17KF6C_B2
FZ1800R12KL4C、FZ2400R12KL4C、FZ400R12KS4、FZ800R17KF6C_B2
FZ600R17KE3、FZ300R12KE3G、FZ400R12KE3、FZ2400R17KF6C_B2
FZ400R12KE3_B1、FZ400R12KE4、FZ400R12KP4、FZ400R12KS4、
FZ800R12KE3、FZ800R12KF4、FZ800R12KL4C、FZ800R12KS4_B2
FZ900R12KE4、FZ900R12KP4
FZ1200R12KE3、FZ1200R16KF4_S1、FZ1200R12KL4C、FZ1200R12HP4
FZ1600R12KE3、FZ1600R17KF6C_B2、FZ1600R12KL4C
FZ1800R12KF4、FZ1800R12KL4C、FZ1800R12HP4_B9
FZ3600R12KE3、FZ600R12KS4、FZ600R12KE3、FZ600R12KE3_B1
FZ600R12KE4、FZ600R12KP4、FZ600R12KS4
FZ1200R17KF6C_B2
FZ1600R12KL4C、FZ2400R12KE3、FZ400R17KE3、FZ800R12KS4_B2
FZ1200R17KE3、FZ1600R17KE3、
FZ2400R12KE3、FZ2400R12KE3_B9、FZ2400R12KF4
FZ2400R12KL4C、FZ2400R12HP4_B9
FZ2400R17KE3、FZ2400R12HP4
FZ3600R12KE3、FZ3600R12HP4、
FD300R12KS4_B5
FF系列
FF200R12KT4 FF300R12KT4
FF450R12KT4
FF200R06KE3、FF300R06KE3、FF400R06KE3、FF400R12KF4
FF600R12KF4、FF800R12KF4、FF400R12KL4C、FF600R12KL4C
FF800R12KL4C、FF150R12KE3G、FF200R12KE3、FF300R12KE3
FF400R12KE3、FF600R12KE3、FF800R12KE3、FF800R17KF6C_B2
FF200R12KT3、FF300R12KT3、FF400R12KT3、FF600R17KF6C_B2
FF600R16KF4、FF650R17IE4
FF400R16KF4、FF1200R12KE3、FF400R17KF6C_B2
FF300R17KE3、FF600R17KE3
FF800R17KE3、FF1000R17IE4、FF1000R17IE4D_B2
FF1200R17KE3
FF1400R12IP4、FF1200R17KE3_B2
使用中的注意事項
由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點： 在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸； 在用導電材料連接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊； 盡量在底板良好接地的情況下操作。 在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極最大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯小電阻也可以抑制振蕩電壓。 此外，在柵極—發射極間開路時，若在集電極與發射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時，如果集電極與發射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發熱及至損壞。 在使用IGBT的場合，當柵極回路不正常或柵極回路損壞時(柵極處于開路狀態)，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞，為防止此類故障，應在柵極與發射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。 在安裝或更換IGBT模塊時，應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，最好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風扇，當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致IGBT模塊發熱，而發生故障。因此對散熱風扇應定期進行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應器，當溫度過高時將報警或停止IGBT模塊工作。
保管時的注意事項
一般保存IGBT模塊的場所，應保持常溫常濕狀態，不應偏離太大。常溫的規定為5～35℃ ，常濕的規定在45～75%左右。在冬天特別干燥的地區，需用加濕機加濕; 盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合； 在溫度發生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結露水的現象，因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方； 保管時，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物； 裝IGBT模塊的容器，應選用不帶靜電的容器。 IGBT模塊由于具有多種優良的特性，使它得到了快速的發展和普及，已應用到電力電子的各方各面。因此熟悉IGBT模塊性能，了解選擇及使用時的注意事項對實際中的應用是十分必要的。
全新原裝歐派克可控硅
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TT95N18KOF
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