電介質成千上萬的電解質薄膜被用于光學，半導體，以及其它數十個行業,而Filmetrics的儀器幾乎可以測量所有的薄膜。測量范例氮化硅薄膜作為電介質，鈍化層，或掩膜材料被廣泛應用于半導體產業。這個案例中，我們用F20-UVX成功地測量了硅基底上氮化硅薄膜的厚度，折射率，和消光系數。有趣的事，氮化硅薄膜的光學性質與薄膜的分子當量緊密相關。使用Filmetrics專有的氮化硅擴散模型，F20-UVX可以很容易地測量氮化硅薄膜的厚度和光學性質，不管他們是富硅，貧硅，還是分子當量。F30-UV測厚范圍：3nm-40μm；波長：190-1100nm。湖北膜厚儀應用

F54自動化薄膜測繪FilmetricsF54系列的產品能以一個電動R-Theta平臺自動移動到選定的測量點以每秒測繪兩個點的速度快速的測繪薄膜厚度,樣品直徑達450毫米可選擇數十種內建之同心圓,矩形,或線性圖案模式,或自行建立無數量限制之測量點.瑾需具備基本電腦技能的任何人可在數分鐘內自行建立配方F54自動化薄膜測繪只需聯結設備到您運行Windows?系統計算機的USB端口,可在幾分鐘輕松設置不同的型號主要是由厚度和波長范圍作為區別。通常較薄的膜需要較短波長作測量(如F54-UV)用來測量較薄的膜,而較長的波長可以用來測量更厚，更粗糙，或更不透明的薄膜福建膜厚儀推薦型號F50-UV測厚范圍：5nm-40μm；波長：190-1100nm。

F60系列包含的內容：集成平臺/光譜儀/光源裝置（不含平臺）4",6"and200mm參考晶圓TS-SiO2-4-7200厚度標準真空泵備用燈型號厚度范圍*波長范圍F60-t:20nm-70μm380-1050nmF60-t-UV:5nm-40μm190-1100nmF60-t-NIR:100nm-250μm950-1700nmF60-t-EXR:20nm-250μm380-1700nmF60-t-UVX:5nm-250μm190-1700nmF60-t-XT0:2μm-450μm1440-1690nmF60-t-s980:4μm-1mm960-1000nmF60-t-s1310:7μm-2mm1280-1340nmF60-t-s1550:10μm-3mm1520-1580nm額外的好處：每臺系統內建超過130種材料庫,隨著不同應用更超過數百種應用工程師可立刻提供幫助（周一-周五）網上的“手把手”支持(需要連接互聯網)硬件升級計劃

F30包含的內容：集成光譜儀/光源裝置光斑尺寸10微米的單點測量平臺FILMeasure8反射率測量軟件Si參考材料FILMeasure度力軟件(用于遠程數據分析)額外的好處：每臺系統內建超過130種材料庫,隨著不同應用更超過數百種應用工程師可立刻提供幫助（周一-周五）網上的“手把手”支持(需要連接互聯網)硬件升級計劃型號厚度范圍*波長范圍F3-s980:10μm-1mm960-1000nmF3-s1310:15μm-2mm1280-1340nmF3-s1550:25μm-3mm1520-1580nm*取決于薄膜種類。成功測量光刻膠要面對一些獨特的挑戰， 而 Filmetrics 自動測量系統成功地解決這些問題。

TotalThicknessVariation(TTV)應用規格:測量方式:紅外干涉(非接觸式)樣本尺寸:50、75、100、200、300mm，也可以訂做客戶需要的產品尺寸測量厚度:15—780μm(單探頭)3mm(雙探頭總厚度測量)掃瞄方式:半自動及全自動型號,另2D/3D掃瞄(Mapping)可選襯底厚度測量:TTV、平均值、*小值、*大值、公差...可選粗糙度:20—1000?(RMS)重復性:0.1μm(1sigma)單探頭*0.8μm(1sigma)雙探頭*分辨率:10nm請訪問我們的中文官網了解更多關于本產品的信息。不同的 F50 儀器是根據波長范圍來加以區分的。聯電膜厚儀參數

可選的厚度和折射率模塊讓您能夠充分利用 Filmetrics F10 的分析能力。湖北膜厚儀應用

F3-CS：快速厚度測量可選配FILMeasure厚度測量軟件使厚度測量就像在平臺上放置你的樣品一樣容易,軟件內建所有常見的電介質和半導體層（包括C，N和HT型聚對二甲苯）的光學常數(n和k）,厚度結果會及時的以直覺的測量結果顯示對于進階使用者，可以進一步以F3-CS測量折射率,F3-CS可在任何運行WindowsXP到Windows864位作業系統的計算機上運行,USB電纜則提供電源和通信功能.包含的內容：USB供電之光譜儀/光源裝置FILMeasure8軟件內置樣品平臺BK7參考材料四萬小時光源壽命額外的好處：應用工程師可立刻提供幫助（周一-周五）網上的“手把手”支持(需要連接互聯網)湖北膜厚儀應用

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