厚度標(biāo)準(zhǔn)：所有Filmetrics厚度標(biāo)準(zhǔn)都是得到驗(yàn)證可追溯的NIST標(biāo)準(zhǔn)。S-Custom-NIST：在客戶提供的樣品上定制可追溯的NIST厚度校準(zhǔn)。TS-Focus-SiO2-4-3100SiO2-on-Si：厚度標(biāo)準(zhǔn)，外加調(diào)焦區(qū)和單晶硅基準(zhǔn)，厚度大約3100A，4"晶圓。TS-Focus-SiO2-4-10000SiO2-on-Si：厚度標(biāo)準(zhǔn)，外加調(diào)焦區(qū)和單晶硅基準(zhǔn)，厚度大約10000A，4"晶圓。TS-Hardcoat-4μm：丙烯酸塑料硬涂層厚度標(biāo)準(zhǔn)，厚度大約4um，直徑2"。TS-Hardcoat-Trans：背面透明的硬涂層，可用于透射測量。TS-Parylene-4um：丙烯酸塑料上的聚對(duì)二甲苯厚度標(biāo)準(zhǔn)，厚度大約4um，直徑2"。TS-Parylene-8um：硅基上的聚對(duì)二甲苯厚度標(biāo)準(zhǔn)，厚度大約8um，23mmx23mm。TS-SiO2-4-7200：硅基上的二氧化硅厚度標(biāo)準(zhǔn)，厚度大約7200A，4"晶圓。TS-SiO2-4-7200-NIST：可追溯的NISTSiO2-4-7200厚度標(biāo)準(zhǔn)。TS-SiO2-6-Multi：多厚度硅基上的二氧化硅標(biāo)準(zhǔn):125埃米，250埃米，500埃米，1000埃米，5000埃米，和10000埃米(+/-10%誤差)，6英寸晶圓。TS-SS3-SiO2-8000：專為SS-3樣品平臺(tái)設(shè)計(jì)之二氧化硅厚度標(biāo)準(zhǔn)片,厚度大約為8000A。以真空鍍膜為設(shè)計(jì)目標(biāo)，F(xiàn)10-RT 只要單擊鼠標(biāo)即可獲得反射和透射光譜。四川三星膜厚儀

電介質(zhì)成千上萬的電解質(zhì)薄膜被用于光學(xué)，半導(dǎo)體，以及其它數(shù)十個(gè)行業(yè), 而Filmetrics的儀器幾乎可以測量所有的薄膜。常見的電介質(zhì)有:二氧化硅 – 蕞簡單的材料之一, 主要是因?yàn)樗诖蟛糠止庾V上的無吸收性 (k=0)， 而且非常接近化學(xué)計(jì)量 (就是說，硅：氧非常接近 1:2)。 受熱生長的二氧化硅對(duì)光譜反應(yīng)規(guī)范，通常被用來做厚度和折射率標(biāo)準(zhǔn)。 Filmetrics能測量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 對(duì)此薄膜的測量比很多電介質(zhì)困難，因?yàn)楣瑁旱嚷释ǔ２皇?：4, 而且折射率一般要與薄膜厚度同時(shí)測量。 更麻煩的是，氧常常滲入薄膜，生成一定程度的氮氧化硅，增大測量難度。 但是幸運(yùn)的是，我們的系統(tǒng)能在幾秒鐘內(nèi) “一鍵” 測量氮化硅薄膜完整特征!襯底膜厚儀輪廓測量應(yīng)用監(jiān)測控制生產(chǎn)過程中移動(dòng)薄膜厚度。高達(dá)100 Hz的采樣率可以在多個(gè)測量位置得到。

非晶態(tài)多晶硅硅元素以非晶和晶體兩種形式存在,在兩級(jí)之間是部分結(jié)晶硅。部分結(jié)晶硅又被叫做多晶硅。非晶硅和多晶硅的光學(xué)常數(shù)(n和k)對(duì)不同沉積條件是獨(dú)特的，必須有精確的厚度測量。測量厚度時(shí)還必須考慮粗糙度和硅薄膜結(jié)晶可能的風(fēng)化。Filmetrics設(shè)備提供的復(fù)雜的測量程序同時(shí)測量和輸出每個(gè)要求的硅薄膜參數(shù)，并且“一鍵”出結(jié)果。測量范例多晶硅被廣范用于以硅為基礎(chǔ)的電子設(shè)備中。這些設(shè)備的效率取決于薄膜的光學(xué)和結(jié)構(gòu)特性。隨著沉積和退火條件的改變，這些特性隨之改變，所以準(zhǔn)確地測量這些參數(shù)非常重要。監(jiān)控晶圓硅基底和多晶硅之間，加入二氧化硅層，以增加光學(xué)對(duì)比，其薄膜厚度和光學(xué)特性均可測得。F20可以很容易地測量多晶硅薄膜的厚度和光學(xué)常數(shù)，以及二氧化硅夾層厚度。Bruggeman光學(xué)模型被用來測量多晶硅薄膜光學(xué)特性。

電介質(zhì)成千上萬的電解質(zhì)薄膜被用于光學(xué)，半導(dǎo)體，以及其它數(shù)十個(gè)行業(yè),而Filmetrics的儀器幾乎可以測量所有的薄膜。測量范例氮化硅薄膜作為電介質(zhì)，鈍化層，或掩膜材料被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。這個(gè)案例中，我們用F20-UVX成功地測量了硅基底上氮化硅薄膜的厚度，折射率，和消光系數(shù)。有趣的事，氮化硅薄膜的光學(xué)性質(zhì)與薄膜的分子當(dāng)量緊密相關(guān)。使用Filmetrics專有的氮化硅擴(kuò)散模型，F(xiàn)20-UVX可以很容易地測量氮化硅薄膜的厚度和光學(xué)性質(zhì)，不管他們是富硅，貧硅，還是分子當(dāng)量。F30 系列是監(jiān)控薄膜沉積，蕞強(qiáng)有力的工具。

FSM360拉曼光譜系統(tǒng)FSM紫外光和可見光拉曼系統(tǒng),型號(hào)360FSM拉曼的應(yīng)用l局部應(yīng)力；l局部化學(xué)成分l局部損傷紫外光可測試的深度優(yōu)袖的薄膜（SOI或Si-SiGe）或者厚樣的近表面局部應(yīng)力可見光可測試的深度良好的厚樣以及多層樣品的局部應(yīng)力系統(tǒng)測試應(yīng)力的精度小于15mpa(0.03cm-1)全自動(dòng)的200mm和300mm硅片檢查自動(dòng)檢驗(yàn)和聚焦的能力。以上的信息比較有限，如果您有更加詳細(xì)的技術(shù)問題，請(qǐng)聯(lián)系我們的技術(shù)人員為您解答。或者訪問我們的官網(wǎng)了解更多信息。F50測厚范圍：20nm-70μm；波長：380-1050nm。臺(tái)積電膜厚儀有哪些品牌

重復(fù)性: 0.1 μm (1 sigma)單探頭* ；0.8 μm (1 sigma)雙探頭*。四川三星膜厚儀

接觸探頭測量彎曲和難測的表面CP-1-1.3測量平面或球形樣品，結(jié)實(shí)耐用的不銹鋼單線圈。CP-1-AR-1.3可以抑制背面反射，對(duì)1.5mm厚的基板可抑制96%。鋼制單線圈外加PVC涂層，蕞大可測厚度15um。CP-2-1.3用于探入更小的凹表面，直徑17.5mm。CP-C6-1.3探測直徑小至6mm的圓柱形和球形樣品外側(cè)。CP-C12-1.3用于直徑小至12mm圓柱形和球形樣品外側(cè)。CP-C26-1.3用于直徑小至26mm圓柱形和球形樣品外側(cè)。CP-BendingRod-L350-2彎曲長度300mm，總長度350mm的接觸探頭。用于難以到達(dá)的區(qū)域，但不會(huì)自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)表面。CP-ID-0to90Deg-2用于食品和飲料罐頭內(nèi)壁的接觸探頭。CP-RA-3mmDia-200mmL-2直徑蕞小的接觸探頭，配備微型直角反射鏡，用來測量小至直徑3mm管子的內(nèi)壁，不能自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)表面。CP-RA-10mmHigh-2配備微型直角反射鏡，可以在相隔10mm的兩個(gè)平坦表面之間進(jìn)行測量。四川三星膜厚儀

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司屬于儀器儀表的高新企業(yè)，技術(shù)力量雄厚。是一家其他有限責(zé)任公司企業(yè)，隨著市場的發(fā)展和生產(chǎn)的需求，與多家企業(yè)合作研究，在原有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上經(jīng)過不斷改進(jìn)，追求新型，在強(qiáng)化內(nèi)部管理，完善結(jié)構(gòu)調(diào)整的同時(shí)，良好的質(zhì)量、合理的價(jià)格、完善的服務(wù)，在業(yè)界受到寬泛好評(píng)。公司業(yè)務(wù)涵蓋半導(dǎo)體工藝設(shè)備，半導(dǎo)體測量設(shè)備，光刻機(jī) 鍵合機(jī)，膜厚測量儀，價(jià)格合理，品質(zhì)有保證，深受廣大客戶的歡迎。岱美中國順應(yīng)時(shí)代發(fā)展和市場需求，通過**技術(shù)，力圖保證高規(guī)格高質(zhì)量的半導(dǎo)體工藝設(shè)備，半導(dǎo)體測量設(shè)備，光刻機(jī) 鍵合機(jī)，膜厚測量儀。