EVG®150--光刻膠自動(dòng)處理系統(tǒng)

EVG®150是全自動(dòng)化光刻膠處理系統(tǒng)中提供高吞吐量的性能與在直徑承晶片高達(dá)300毫米。EVG150設(shè)計(jì)為完全模塊化的平臺(tái)，可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)噴涂/旋轉(zhuǎn)/顯影過程和高通量性能。EVG150可確保涂層高度均勻并提高重復(fù)性。具有高形貌的晶片可以通過EVG的OmniSpray技術(shù)進(jìn)行均勻涂覆，而傳統(tǒng)的旋涂技術(shù)則受到限制。EVG®150特征：晶圓尺寸可達(dá)300毫米多達(dá)六個(gè)過程模塊可自定義的數(shù)量-多達(dá)二十個(gè)烘烤/冷卻/汽化堆多達(dá)四個(gè)FOUP裝載端口或盒式磁帶裝載 EVG與研究機(jī)構(gòu)合作超過35年，能夠深入了解他們的獨(dú)特需求。氮化鎵光刻機(jī)參數(shù)

IQAligner®■晶圓規(guī)格高達(dá)200mm/300mm■某一時(shí)間內(nèi)（弟一次印刷/對(duì)準(zhǔn)）>90wph/80wph■頂/底部對(duì)準(zhǔn)精度達(dá)到±0.5μm/±1.0μm■接近過程100/%無觸點(diǎn)■可選Ergoload磁盤，SMIF或者FOUP■經(jīng)準(zhǔn)的跳動(dòng)補(bǔ)償，實(shí)現(xiàn)ZUI佳的重疊對(duì)準(zhǔn)■手動(dòng)裝載晶圓的功能■IR對(duì)準(zhǔn)能力–透射或者反射IQAligner®NT■零輔助橋接工具-雙基片，支持200mm和300mm規(guī)格■無以倫比的吞吐量（弟一次印刷/對(duì)準(zhǔn)）>200wph/160wph■頂/底部對(duì)準(zhǔn)精度達(dá)到±250nm/±500nm■接近過程100/%無觸點(diǎn)■暗場對(duì)準(zhǔn)能力/全場青除掩模（FCMM）■經(jīng)準(zhǔn)的跳動(dòng)補(bǔ)償，實(shí)現(xiàn)ZUI佳的重疊對(duì)準(zhǔn)■智能過程控制和性能分析框架軟件平臺(tái)氮化鎵光刻機(jī)參數(shù)EVG通過不斷開發(fā)掩模對(duì)準(zhǔn)器來為這些領(lǐng)域做出巨大的貢獻(xiàn)，以提高蕞重要的光刻技術(shù)的水平。

EVG620NT技術(shù)數(shù)據(jù)：曝光源：汞光源/紫外線LED光源先進(jìn)的對(duì)準(zhǔn)功能：手動(dòng)對(duì)準(zhǔn)/原位對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)對(duì)準(zhǔn)/自動(dòng)邊緣對(duì)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)偏移校正算法EVG620NT產(chǎn)量:全自動(dòng)：弟一批生產(chǎn)量：每小時(shí)180片全自動(dòng)：吞吐量對(duì)準(zhǔn)：每小時(shí)140片晶圓晶圓直徑（基板尺寸）：高達(dá)150毫米對(duì)準(zhǔn)方式：上側(cè)對(duì)準(zhǔn)：≤±0.5μm底側(cè)對(duì)準(zhǔn)：≤±1,0μm紅外校準(zhǔn)：≤±2,0μm/具體取決于基材鍵對(duì)準(zhǔn)：≤±2,0μmNIL對(duì)準(zhǔn)：≤±3.0μm曝光設(shè)定：真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式/彎曲模式楔形補(bǔ)償：全自動(dòng)軟件控制曝光選項(xiàng)：間隔曝光/洪水曝光/扇區(qū)曝光系統(tǒng)控制：操作系統(tǒng)：Windows文件共享和備份解決方案/無限制程序和參數(shù)多語言用戶GUI和支持：CN，DE，F(xiàn)R，IT，JP，KR實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程訪問，診斷和故障排除工業(yè)自動(dòng)化功能：盒式磁帶/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄，彎曲，翹曲，邊緣晶圓處理納米壓印光刻技術(shù)：SmartNIL®

EVG®610掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)■晶圓規(guī)格：100mm/150mm/200mm■頂/底部對(duì)準(zhǔn)精度達(dá)到±0.5μm/±1.0μm■用于雙面對(duì)準(zhǔn)高/分辨率頂部和底部分裂場顯微鏡■軟件，硬件，真空和接近式曝光■自動(dòng)楔形補(bǔ)償■鍵合對(duì)準(zhǔn)和NIL可選■支持蕞新的UV-LED技術(shù)EVG®620NT/EVG®6200NT掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)（自動(dòng)化和半自動(dòng)化）■晶圓產(chǎn)品規(guī)格：150mm/200mm■接近式楔形錯(cuò)誤補(bǔ)償■多種規(guī)格晶圓轉(zhuǎn)換時(shí)間少于5分鐘■初次印刷高達(dá)180wph/自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)模式為140wph■可選獨(dú)力的抗震型花崗巖平臺(tái)■動(dòng)態(tài)對(duì)準(zhǔn)實(shí)時(shí)補(bǔ)償偏移■支持蕞新的UV-LED技術(shù)EVG在1985年發(fā)明了世界上弟一個(gè)底部對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，對(duì)準(zhǔn)晶圓鍵合和納米壓印光刻技術(shù)方面開創(chuàng)并建立了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

G®105—晶圓烘烤模塊設(shè)計(jì)理念：單機(jī)EVG®105烘烤模塊是專為軟或后曝光烘烤過程而設(shè)計(jì)。特點(diǎn)：可以在EVG105烘烤模塊上執(zhí)行軟烘烤，曝光后烘烤和硬烘烤過程。受控的烘烤環(huán)境可確保均勻蒸發(fā)。可編程的接近銷可提供對(duì)光刻膠硬化過程和溫度曲線的ZUI佳控制。EVG105烘烤模塊可以同時(shí)處理300mm的晶圓尺寸或4個(gè)100mm的晶圓。特征獨(dú)力烘烤模塊晶片尺寸ZUI大為300毫米，或同時(shí)ZUI多四個(gè)100毫米晶片溫度均勻性≤±1°C@100°C，ZUI高250°C烘烤溫度用于手動(dòng)和安全地裝載/卸載晶片的裝載銷烘烤定時(shí)器基材真空（直接接觸烘烤）N2吹掃和近程烘烤0-1mm距離晶片至加熱板可選不規(guī)則形狀的基材技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）：高達(dá)300毫米烤盤：溫度范圍：≤250°C手動(dòng)將升降桿調(diào)整到所需的接近間隙。EVG同樣為客戶提供量產(chǎn)型掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)。芯片光刻機(jī)測樣

可以使用用于壓印光刻的工具，例如紫外光納米壓印光刻，熱壓印或微接觸印刷。氮化鎵光刻機(jī)參數(shù)

EVG®105—晶圓烘烤模塊設(shè)計(jì)理念：單機(jī)EVG®105烘烤模塊是專為軟或后曝光烘烤過程而設(shè)計(jì)。特點(diǎn)：可以在EVG105烘烤模塊上執(zhí)行軟烘烤，曝光后烘烤和硬烘烤過程。受控的烘烤環(huán)境可確保均勻蒸發(fā)。可編程的接近銷可提供對(duì)光刻膠硬化過程和溫度曲線的蕞佳控制。EVG105烘烤模塊可以同時(shí)處理300mm的晶圓尺寸或4個(gè)100mm的晶圓。特征獨(dú)力烘烤模塊晶片尺寸蕞大為300毫米，或同時(shí)蕞多四個(gè)100毫米晶片溫度均勻性≤±1°C@100°C，蕞高250°C烘烤溫度用于手動(dòng)和安全地裝載/卸載晶片的裝載銷烘烤定時(shí)器基材真空（直接接觸烘烤）N2吹掃和近程烘烤0-1mm距離晶片至加熱板可選不規(guī)則形狀的基材技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）：高達(dá)300毫米烤盤：溫度范圍：≤250°C手動(dòng)將升降桿調(diào)整到所需的接近間隙。氮化鎵光刻機(jī)參數(shù)