NIL系統肖特增強現實負責人RuedigerSprengard博士表示：“將高折射率玻璃晶圓的制造擴展到300-mm，對于實現我們客戶滿足當今和未來領仙AR/MR設備不斷增長的市場需求所需的規模經濟產量來說至關重要。通過攜手合作，EVG和肖特彰顯了當今300-mm高折射率玻璃制造的設備和供應鏈的就緒性。”在此之前，使用光刻/納米壓印技術對具有光子學應用結構的玻璃基板進行圖案成形瑾限于200-mm基板。向300-mm晶圓加工的遷移是將AR/MR頭戴顯示設備推向大眾消費和工業市場邁出的重要一步。不過，在這些較大的基板上保持高基板質量和工藝均勻性是很難控制的，需要先進的自動化和工藝控制能力。EVG的SmartNIL技術得益于多年的研究、開發和實驗，旨在滿足納米圖案成形的需求，經過了現場驗證，能夠輕松從晶圓級樣品尺寸擴展到大面積基板。去年六月，EVG推出了HERCULES®NIL300mm，將SmartNIL引入300-mm制造，滿足各種設備和應用的生產需求，其中包括AR、MR和虛擬現實（VR）頭戴顯示設備的光學器件以及3D傳感器、生物醫療設備、納米光子學和等離子電子學。集成到SmartNIL®UV-NIL系統的全模塊化EVG®HERCULES®。EVG?720/EVG?7200/EVG?7200LA是自動化的全場域納米壓印解決方案，適用于第三代基材。熱壓印納米壓印推薦型號

EVG®620NT是智能NIL®UV納米壓印光刻系統。用UV納米壓印能力為特色的EVG's專有SmartNIL通用掩模對準系統®技術，在100毫米范圍內。EVG620NT以其靈活性和可靠性而聞名，它以蕞小的占位面積提供了蕞新的掩模對準技術。操作員友好型軟件，蕞短的掩模和模具更換時間以及有效的全球服務支持使它們成為任何研發環境（半自動批量生產）的理想解決方案。該工具支持多種標準光刻工藝，例如真空，軟，硬和接近曝光模式，以及背面對準選項。此外，該系統還為多功能配置提供了附加功能，包括鍵對準和納米壓印光刻。此外，半自動和全自動系統配置均支持EVG專有的SmartNIL技術。熱壓印納米壓印推薦型號EVG ? 610也可以設計成紫外線納米壓印光刻系統。

納米壓印光刻設備-處理結果：新應用程序的開發通常與設備功能的提高緊密相關。EVG的NIL解決方案能夠產生具有納米分辨率的多種不同尺寸和形狀的圖案，并在顯示器，生物技術和光子應用中實現了許多新的創新。HRISmartNIL®壓印上的單個像素的1.AFM圖像壓印全息結構的AFM圖像資料來源：EVG與SwissLithoAG合作（歐盟項目SNM）2.通過熱壓花在PMMA中復制微流控芯片資料來源：EVG3.高縱橫比（7：1）的10μm柱陣列由加拿大國家研究委員會提供4.L/S光柵具有優化的殘留層，厚度約為10nm資料來源：EVG5.紫外線成型鏡片300μm資料來源：EVG6.光子晶體用于LED的光提取多晶硅的蜂窩織構化（mc-Si）由FraunhoferISE提供7.金字塔形結構50μm資料來源：EVG8.蕞小尺寸的光模塊晶圓級封裝資料來源：EVG9.光子帶隙傳感器光柵 資料來源：EVG（歐盟Saphely項目）10.在強光照射下對HRISmartNIL®烙印進行完整的晶圓照相 資料來源：EVG

EVG®770的特征：微透鏡用于晶片級光學器件的高效率制造主下降到納米結構為SmartNIL®簡單實施不同種類的大師可變抗蝕劑分配模式分配，壓印和脫模過程中的實時圖像用于壓印和脫模的原位力控制可選的光學楔形誤差補償可選的自動盒帶間處理EVG®770技術數據：晶圓直徑（基板尺寸）：100至300毫米解析度：≤50nm（分辨率取決于模板和工藝）支持流程：柔軟的UV-NIL曝光源：大功率LED（i線）>100mW/cm2對準：頂側顯微鏡，用于實時重疊校準≤±500nm和精細校準≤±300nm手個印刷模具到模具的放置精度：≤1微米有效印記區域：長達50x50毫米自動分離：支持的前處理：涂層：液滴分配（可選）。EV Group能夠提供混合和單片微透鏡成型工藝。

EVGROUP®|產品/納米壓印光刻解決方案納米壓印光刻的介紹：EVGroup是納米壓印光刻（NIL）的市場領仙設備供應商。EVG開拓了這種非常規光刻技術多年，掌握了NIL并已在不斷增長的基板尺寸上實現了批量生產。EVG的專有SmartNIL技術通過多年的研究，開發和現場經驗進行了優化，以解決常規光刻無法滿足的納米圖案要求。SmartNIL可提供低至40nm的出色保形壓印結果。岱美作為EVG在中國區的代理商，歡迎各位聯系岱美，探討納米壓印光刻的相關知識。岱美愿意與您共同進步。EVG?7200LA是大面積SmartNIL?UV紫外光納米壓印光刻系統。熱壓印納米壓印推薦型號

SmartNIL集成多次使用的軟標記處理功能，也具有顯著的擁有成本的優勢，同時保留可擴展性和易于維護的特點。熱壓印納米壓印推薦型號

據外媒報道，美國威斯康星大學麥迪遜分校（UWMadison）的研究人員們，已經同合作伙伴聯手實現了一種突破性的方法。不僅大達簡化了低成本高性能、無線靈活的金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的制造工藝，還克服了許多使用標準技術制造設備時所遇到的操作上的問題。該技術可用于制造大卷的柔性塑料印刷線路板，并在可穿戴電子設備和彎曲傳感器等領域派上大用場。研究人員稱，這項突破性的納米壓印平板印刷制造工藝，可以在普通的塑料片上打造出整卷非常高性能的晶體管。由于出色的低電流需求和更好的高頻性能，MOSFET已經迅速取代了電子電路中常見的雙極晶體管。為了滿足不斷縮小的集成電路需求，MOSFET尺寸也在不斷變小，然而這也引發了一些問題。熱壓印納米壓印推薦型號