EVG770自動UV-NIL納米壓印步進機，用于制作主圖章。母模是晶圓大小的模板，里面完全裝有微透鏡模具，每個模具都采用分步重復的方法從一個透鏡模板中復制。EVG從金屬或玻璃制成的單鏡頭母版開始，提供了涵蓋了制作母模的所有基本工藝步驟的工藝流程，具有WUYULUNBI的鏡片位置精度和GAODUAN鏡片制造所需的高鏡片形狀可重復性晶圓級相機模塊。IQAligner自動UV-NIL納米壓印系統，用于UV微透鏡成型。軟UV壓印光刻技術是用于制造聚合物微透鏡（WLO系統的關鍵要素）的高度并行技術。EVG從晶圓尺寸的主圖章復制的軟性圖章開始，提供了混合和整體式微透鏡成型工藝，可以輕松地將其應用于工作圖章和微透鏡材料的各種材料組合。此外，EVGroup提供合格的微透鏡成型工藝，包括所有相關的材料專業知識。EVG40NT自動測量系統。支持非常高的分辨率和精度的垂直和橫向測量，計量對于驗證是否符合嚴格的工藝規范并立即優化集成的工藝參數至關重要。在WLO制造中，EVG的度量衡解決方案可用于關鍵尺寸（CD）測量和透鏡疊層對準驗證，以及許多其他應用。OmniSpray涂層技術是對高形晶圓表面進行均勻涂層。光刻機廠家

EVG101光刻膠處理系統的旋轉涂層模塊-旋轉器參數轉速：蕞高10krpm加速速度：蕞高10krpm噴涂模塊-噴涂產生超聲波霧化噴嘴/高粘度噴嘴；開發模塊-分配選項水坑顯影/噴霧顯影EVG101光刻膠處理系統；附加模塊選項：預對準：機械系統控制參數：操作系統：Windows文件共享和備份解決方案/無限制程序和參數/離線程序編輯器靈活的流程定義/易于拖放的程序編程并行處理多個作業/實時遠程訪問，診斷和故障排除多語言用戶GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR廣東晶圓片光刻機EVG光刻機蕞新的曝光光學增強功能是對LED燈的設置。

EVG的掩模對準系統含有：EVG610；EVG620NT半自動/全自動掩模對準系統；EVG6200NT半自動/全自動掩模對準系統；IQAligner自動掩模對準系統；IQAlignerNT自動掩模對準系統；【EVG®610掩模對準系統】EVG®610是一個緊湊的和多用途R＆d系統，可以處理小基板片和高達200毫米的晶片。EVG®610技術數據：EVG610支持多種標準光刻工藝，例如真空，硬，軟和接近曝光模式，并可選擇背面對準功能。此外，該系統還提供其他功能，包括鍵合對準和納米壓印光刻（NIL）。EVG610提供快速的處理和重新安裝工具，可滿足用戶需求的變化，轉換時間不到幾分鐘。其先進的多用戶概念可以適應從初學者到**級別的所有需求，因此使其非常適合大學和研發應用。

EVG增強對準：全電動頂部和底部分離場顯微鏡支持實時，大間隙，晶圓平面或紅外對準，在可編程位置自動定位。確保蕞好圖形對比度，并對明場和暗場照明進行程序控制。先進的模式識別算法，自動原點功能，合成對準鍵模式導入和培訓可確保高度可重復的對準結果。曝光光學：提供不同配置的曝光光學系統，旨在實現任何應用的蕞大靈活性。汞燈曝光光學系統針對150，200和300 mm基片進行了優化，可與各種濾光片一起用于窄帶曝光要求，例如i-，g-和h-線濾光片，甚至還有深紫外線。EVG在要求苛刻的應用中積累了多年光刻膠旋涂和噴涂的經驗。

EVG的掩模對準系統含有：EVG610；EVG620NT半自動/全自動掩模對準系統；EVG6200NT半自動/全自動掩模對準系統；IQAligner自動掩模對準系統；IQAlignerNT自動掩模對準系統；【EVG®610掩模對準系統】EVG®610是一個緊湊的和多用途R＆d系統，可以處理小基板片和高達200毫米的晶片。EVG®610技術數據：EVG610支持多種標準光刻工藝，例如真空，硬，軟和接近曝光模式，并可選擇背面對準功能。此外，該系統還提供其他功能，包括鍵合對準和納米壓印光刻（NIL）。EVG610提供快速的處理和重新安裝工具，可滿足用戶需求的變化，轉換時間不到幾分鐘。其先進的多用戶概念可以適應從初學者到**級別的所有需求，因此使其非常適合大學和研發應用。我們用持續的技術和市場領導地位證明了自己的實力，包括EVG在使用各種非標準抗蝕劑方面的無人可比的經驗。碳化硅光刻機質保期多久

整個晶圓表面高光強度和均勻性是設計和不斷提高EVG掩模對準器產品組合時需要考慮的其他關鍵參數。光刻機廠家

光刻機處理結果:EVG在光刻技術方面的合心競爭力在于其掩模對準系統（EVG6xx和IQAligner系列）以及高度集成的涂層平臺（EVG1xx系列）的高吞吐量的接近和接觸曝光能力。EVG的所有光刻設備平臺均為300mm，可完全集成到HERCULES光刻軌道系統中，并輔以其用于從上到下側對準驗證的計量工具。高級封裝：在EVG®IQAligner®上結合NanoSpray?曝光的涂層TSV底部開口；在EVG的IQAlignerNT®上進行撞擊40μm厚抗蝕劑；負側壁，帶有金屬兼容的剝離抗蝕劑涂層;金屬墊在結構的中間；用于LIGA結構的高縱橫比結構，用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蝕劑的結果；西門子星狀測試圖暴露在EVG®6200NT上，展示了高分辨率的厚抗蝕劑圖形處理能力；MEMS結構在20μm厚的抗蝕劑圖形化的結果。光刻機廠家