（光刻膠）polyerlayers（高分子聚合物層）polymide（聚酰亞胺）polysilicon（多晶硅）amorphoussilicon（非晶硅）基底實例：對于厚度測量，大多數情況下所要求的只是一塊光滑、反射的基底。對于光學常數測量，需要一塊平整的鏡面反射基底；如果基底是透明的，基底背面需要進行處理使之不能反射。包括：silicon（硅）glass（玻璃）aluminum（鋁）gaas（砷化鎵）steel（鋼）polycarbonate（聚碳酸脂）polymerfilms（高分子聚合物膜）應用半導體制造液晶顯示器光學鍍膜photoresist光刻膠oxides氧化物nitrides氮化物cellgaps液晶間隙polyimide聚酰亞胺ito納米銦錫金屬氧化物hardnesscoatings硬鍍膜anti-reflectioncoatings增透鍍膜filters濾光f20使用**仿真活動來分析光譜反射率數據。標準配置和規格F20-UVF20F20-NIRF20-EXR只測試厚度1nm~40μm15nm~100μm100nm~250μm15nm~250μm測試厚度和n&k值50nmandup100nmandup300nmandup100nmandup波長范圍200-1100nm380-1100nm950-1700nm380-1700nm準確度大于％或2nm精度1A2A1A穩定性光斑大小20μm至可選樣品大小1mm至300mm及更大探測器類型1250-元素硅陣列512-元素砷化銦鎵1000-元素硅&512-砷化銦鎵陣列光源鎢鹵素燈。F40-UV范圍：4nm-40μm，波長：190-1100nm。晶圓片膜厚儀質量怎么樣

生物醫療設備涂層應用生物醫療器械應用中的涂層生物醫療器械的制造和準備方面會用到許多類型的涂層。有些涂層是為了保護設備免受腐蝕，而其他的則是為了預防組織損傷、敢染或者是排異反應。藥物傳輸涂層也變得日益普通。其它生物醫學器械，如血管成型球囊，具有讀立的隔膜，必須具有均勻和固定的厚度才能正常工作。這些涂層厚度的測量方法各不相同，但有一件事是確定的。使用普通方法(例如，在涂層前后稱某一部分的重量)，無法檢測到會導致器械故障的涂層不完全覆蓋或涂層的不均勻性等問題。半導體設備膜厚儀原理當測量斑點只有1微米（μm）時，需要用您自己的顯微鏡或者用我們提供的整個系統。

集成電路故障分析故障分析(FA)技術用來尋找并確定集成電路內的故障原因。故障分析中需要進行薄膜厚度測量的兩種主要類型是正面去層(用于傳統的面朝上的電路封裝)和背面薄化(用于較新的覆晶技術正面朝下的電路封裝)。正面去層正面去層的工藝需要了解電介質薄化后剩余電介質的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在電路系統成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每個薄化步驟后剩余的硅厚度是相當關鍵的。FilmetricsF3-sX是為了測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度而專門設計的系統。厚度從5微米到1000微米能夠很容易的測量，另外可選配模組來延伸蕞小測量厚度至0.1微米，同時具有單點和多點測繪的版本可供選擇。測量范例現在我們使用我們的F3-s1550系統測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度.具備特殊光學設計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅層厚度

F60系列包含的內容：集成平臺/光譜儀/光源裝置（不含平臺）4",6"and200mm參考晶圓TS-SiO2-4-7200厚度標準真空泵備用燈型號厚度范圍*波長范圍F60-t:20nm-70μm380-1050nmF60-t-UV:5nm-40μm190-1100nmF60-t-NIR:100nm-250μm950-1700nmF60-t-EXR:20nm-250μm380-1700nmF60-t-UVX:5nm-250μm190-1700nmF60-t-XT0:2μm-450μm1440-1690nmF60-t-s980:4μm-1mm960-1000nmF60-t-s1310:7μm-2mm1280-1340nmF60-t-s1550:10μm-3mm1520-1580nm額外的好處：每臺系統內建超過130種材料庫,隨著不同應用更超過數百種應用工程師可立刻提供幫助（周一-周五）網上的“手把手”支持(需要連接互聯網)硬件升級計劃監測控制生產過程中移動薄膜厚度。高達100 Hz的采樣率可以在多個測量位置得到。

FSM8018VITE測試系列設備VITE技術介紹：VITE是傅里葉頻域技術，利用近紅外光源的相位剪切技術（Phasesheartechnology）設備介紹適用于所有可讓近紅外線通過的材料：硅、藍寶石、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………應用:襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)平整度厚度變化(TTV)溝槽深度過孔尺寸、深度、側壁角度粗糙度薄膜厚度不同半導體材料的厚度環氧樹脂厚度襯底翹曲度晶圓凸點高度(bumpheight)MEMS薄膜測量TSV深度、側壁角度...F20測厚范圍：15nm - 70μm；波長：380-1050nm。晶圓片膜厚儀質量怎么樣

F30-UV測厚范圍：3nm-40μm；波長：190-1100nm。晶圓片膜厚儀質量怎么樣

樣品視頻包括硬件和照相機的F20系統視頻。視頻實時顯示精確測量點。 不包括SS-3平臺。SampleCam-sXsX探頭攝像機包含改裝的sX探頭光學配件，但不包含平臺。StageBase-XY8-Manual-40mm8“×8” 樣品平臺，具有SS-3鏡頭與38mm的精密XY平移聚焦平臺。能夠升級成電動測繪與自動對焦。StageBase-XY10-Auto-100mm10“×10” 全電動樣品平臺。可以進行100mm高精度XY平移，包括自動焦距調節。SS-Microscope- UVX-1顯微鏡（15倍反射式物鏡）及X-Y平臺。 包含UV光源與照明光纖。SS-Microscope- EXR-1顯微鏡包含X- Y平臺及照明光纖. 需另選購物鏡. 通常使用顯微鏡內建照明。SS-Trans-Curved用于平坦或彎曲表面的透射平臺，包括光纖，和 F10-AR 一起使用。 波長范圍 250nm -2500nm。T-1SS-3 平臺的透射測量可選件。包括光纖、平臺轉接器和平臺支架。 用于平坦的樣品。WS-300用于小于 300mm 樣品的平移旋轉平臺。晶圓片膜厚儀質量怎么樣