不管是參與對顯示器的基礎研究還是制造，Thetametrisis都能夠提供您所需要的...測量液晶層-聚酰亞胺、硬涂層、液晶、間隙測量有機發光二極管層-發光、電注入、緩沖墊、封裝對于空白樣品，我們建議使用FR-Scanner系列儀器。對于圖案片，Thetametrisis的FR-Scanner用于測量薄膜厚度已經找到了顯示器應用廣范使用。測量范例此案例中，我們成功地測量了藍寶石和硼硅玻璃基底上銦錫氧化物薄膜厚度，可以很容易地在380納米到1700納米內同時測量透射率和反射率以確定厚度，折射率，消光系數。由于ITO薄膜在各種基底上不同尋常的的擴散，這個擴展的波長范圍是必要的。重復性: 0.1 μm (1 sigma)單探頭* ；0.8 μm (1 sigma)雙探頭*。四川膜厚儀自動化測量

厚度測量產品：我們的膜厚測量產品可適用于各種應用。我們大部分的產品皆備有庫存以便快速交貨。請瀏覽本公司網頁產品資訊或聯系我們的應用工程師針對您的厚度測量需求提供立即協助。單點厚度測量：一鍵搞定的薄膜厚度和折射率臺式測量系統。測量1nm到13mm的單層薄膜或多層薄膜堆。大多數產品都有庫存而且可立即出貨。F20全世界銷量蕞hao的薄膜測量系統。有各種不同附件和波長覆蓋范圍。微米(顯微)級別光斑尺寸厚度測量當測量斑點只有1微米（μm）時，需要用自己的顯微鏡或者用我們提供的整個系統。安徽研究所膜厚儀不同的 F50 儀器是根據波長范圍來加以區分的。

集成電路故障分析故障分析(FA)技術用來尋找并確定集成電路內的故障原因。故障分析中需要進行薄膜厚度測量的兩種主要類型是正面去層(用于傳統的面朝上的電路封裝)和背面薄化(用于較新的覆晶技術正面朝下的電路封裝)。正面去層正面去層的工藝需要了解電介質薄化后剩余電介質的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在電路系統成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每個薄化步驟后剩余的硅厚度是相當關鍵的。FilmetricsF3-sX是為了測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度而專門設計的系統。厚度從5微米到1000微米能夠很容易的測量，另外可選配模組來延伸蕞小測量厚度至0.1微米，同時具有單點和多點測繪的版本可供選擇。測量范例現在我們使用我們的F3-s1550系統測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度.具備特殊光學設計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅層厚度

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F50系列包含的內容：集成光譜儀/光源裝置光纖電纜4",6"and200mm參考晶圓TS-SiO2-4-7200厚度標準BK7參考材料整平濾波器(用于高反射基板)真空泵備用燈型號厚度范圍*波長范圍F50：20nm-70μm380-1050nmF50-UV：5nm-40μm190-1100nmF50-NIR：100nm-250μm950-1700nmF50-EXR：20nm-250μm380-1700nmF50-UVX：5nm-250μm190-1700nmF50-XT：0.2μm-450μm1440-1690nmF50-s980：4μm-1mm960-1000nmF50-s1310：7μm-2mm1280-1340nmF50-s1550：10μm-3mm1520-1580nm額外的好處：每臺系統內建超過130種材料庫,隨著不同應用更超過數百種應用工程師可立刻提供幫助（周一-周五）網上的“手把手”支持(需要連接互聯網)硬件升級計劃。膜厚儀廣泛應用于材料科學、光學、電子、化工等領域，用于質量控制、研發和生產過程中的膜厚測量。四川膜厚儀自動化測量

Filmetrics F60-t 系列就像我們的 F50產品一樣測繪薄膜厚度和折射率，但它增加了許多用于生產環境的功能。四川膜厚儀自動化測量

技術介紹：紅外干涉測量技術,非接觸式測量。采用Michaelson干涉方法，紅外波段的激光能更好的穿透被測物體，準確的得到測試結果。產品簡介：FSM413EC紅外干涉測量設備適用于所有可讓紅外線通過的材料：硅、藍寶石、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………應用:襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)平整度溝槽深度過孔尺寸、深度、側壁角度粗糙度薄膜厚度硅片厚度環氧樹脂厚度襯底翹曲度晶圓凸點高度(bumpheight)MEMS薄膜測量TSV深度、側壁角度。四川膜厚儀自動化測量