這使得可以在工業水平上開發新的設備或工藝，這不僅需要高度的靈活性，而且需要可控和可重復的處理。EVG在要求苛刻的應用中積累了多年的旋涂和噴涂經驗，并將這些知識技能整合到EVG100系列中，可以利用我們的工藝知識為客戶提供支持。光刻膠處理設備有：EVG101光刻膠處理，EVG105光刻膠烘焙機，EVG120光刻膠處理自動化系統；EVG150光刻膠處理自動化系統。如果您需要了解每個型號的特點和參數，請聯系我們，我們會給您提供蕞新的資料?；蛘咴L問我們的官網獲取相關信息。EVG的掩模對準目標是適用于高達300mm的不同的厚度，尺寸，形狀的晶圓和基片。湖南光刻機有哪些品牌

光刻機處理結果:EVG在光刻技術方面的合心競爭力在于其掩模對準系統（EVG6xx和IQAligner系列）以及高度集成的涂層平臺（EVG1xx系列）的高吞吐量的接近和接觸曝光能力。EVG的所有光刻設備平臺均為300mm，可完全集成到HERCULES光刻軌道系統中，并輔以其用于從上到下側對準驗證的計量工具。高級封裝：在EVG®IQAligner®上結合NanoSpray?曝光的涂層TSV底部開口；在EVG的IQAlignerNT®上進行撞擊40μm厚抗蝕劑；負側壁，帶有金屬兼容的剝離抗蝕劑涂層;金屬墊在結構的中間；用于LIGA結構的高縱橫比結構，用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蝕劑的結果；西門子星狀測試圖暴露在EVG®6200NT上，展示了高分辨率的厚抗蝕劑圖形處理能力；MEMS結構在20μm厚的抗蝕劑圖形化的結果。湖南光刻機有哪些品牌EVG在1985年發明了世界上弟一個底部對準系統，對準晶圓鍵合和納米壓印光刻技術方面開創并建立了行業標準。

IQAligner工業自動化功能：盒式磁帶/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄，彎曲，翹曲，邊緣晶圓處理晶圓直徑（基板尺寸）：高達200毫米對準方式：上側對準：≤±0.5μm底側對準：≤±1,0μm紅外校準：≤±2,0μm/具體取決于基板材料曝光設定：真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式/彎曲模式曝光選項：間隔曝光/洪水曝光系統控制操作系統：Windows文件共享和備份解決方案/無限制程序和參數多語言用戶GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR實時遠程訪問，診斷和故障排除產能全自動：弟一批生產量：每小時85片全自動：吞吐量對準：每小時80片

IQAligner®NT特征：零輔助橋接工具-雙基板概念，支持200mm和300mm的生產靈活性吞吐量>200wph（手次打印）間端對準精度：頂側對準低至250nm背面對準低至500nm寬帶強度>120mW/cm2（300毫米晶圓）完整的明場掩模移動（FCMM）可實現靈活的圖案定位并兼容暗場掩模對準非接觸式原位掩膜到晶圓接近間隙驗證超平坦和快速響應的溫度控制晶片卡盤，出色的跳動補償手動基板裝載能力返工分揀晶圓管理和靈活的盒式系統遠程技術支持和GEM300兼容性智能過程控制和數據分析功能[FrameworkSoftwarePlatform]用于過程和機器控制的集成分析功能設備和過程性能根蹤功能并行/排隊任務處理功能智能處理功能發生和警報分析智能維護管理和跟蹤EVG101是光刻膠處理，EVG105是光刻膠烘焙機，EVG120、EVG150是光刻膠處理自動化系統。

EVG6200NT附加功能：鍵對準紅外對準納米壓印光刻（NIL）EVG6200NT技術數據：曝光源汞光源/紫外線LED光源先進的對準功能手動對準/原位對準驗證自動對準動態對準/自動邊緣對準對準偏移校正算法EVG6200NT產能：全自動：弟一批生產量：每小時180片全自動：吞吐量對準：每小時140片晶圓晶圓直徑（基板尺寸）：高達200毫米對準方式：上側對準：≤±0.5μm底側對準：≤±1,0μm紅外校準：≤±2,0μm/具體取決于基板材料鍵對準：≤±2,0μmNIL對準：≤±3.0μm曝光設定：真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式/彎曲模式楔形補償：全自動軟件控制曝光選項：間隔曝光/洪水曝光/扇區曝光系統控制操作系統：Windows文件共享和備份解決方案/無限制程序和參數多語言用戶GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR實時遠程訪問，診斷和故障排除工業自動化功能：盒式磁帶/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄，彎曲，翹曲，邊緣晶圓處理納米壓印光刻技術：SmartNILEVG通過不斷開發掩模對準器來為這些領域做出巨大的貢獻，以提高蕞重要的光刻技術的水平。山西LED光刻機

只有以客戶的需求為導向，研發才具有價值，也是我們不斷前進的動力。湖南光刻機有哪些品牌

HERCULES光刻軌道系統特征：生產平臺以蕞小的占地面積結合了EVG精密對準和光刻膠處理系統的所有優勢；多功能平臺支持各種形狀，尺寸，高度變形的模具晶片甚至托盤的全自動處理；高達52,000cP的涂層可制造高度高達300微米的超厚光刻膠特征；CoverSpinTM旋轉蓋可降低光刻膠消耗并優化光刻膠涂層的均勻性；OmniSpray®涂覆用于高地形表面的優化的涂層；納流®涂布，并通過結構的保護；自動面膜處理和存儲；光學邊緣曝光和/或溶劑清潔以去除邊緣顆粒；使用橋接工具系統對多種尺寸的晶圓進行易碎，薄或翹曲的晶圓處理；返工分揀晶圓管理和靈活的盒式系統；多用戶的概念（無限數量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權限，不同的用戶界面語言）。湖南光刻機有哪些品牌