GaN材料硬度高且易產生解理裂紋。中清航科創新水導激光切割（WaterJetGuidedLaser），利用高壓水柱約束激光束，冷卻與沖刷同步完成。崩邊尺寸<8μm，熱影響區只2μm，滿足射頻器件高Q值要求。設備振動導致切割線寬波動。中清航科應用主動磁懸浮阻尼系統，通過6軸加速度傳感器實時生成反向抵消力，將振幅壓制在50nm以內。尤其適用于超窄切割道（<20μm）的高精度需求。光學器件晶圓需避免邊緣微裂紋影響透光率。中清航科紫外皮秒激光系統（波長355nm）配合光束整形模塊，實現吸收率>90%的冷加工，切割面粗糙度Ra<0.05μm，突破攝像頭模組良率瓶頸。復合材料晶圓切割選中清航科多工藝集成設備，兼容激光與刀片。杭州碳化硅線晶圓切割寬度

中清航科為晶圓切割設備提供全生命周期的服務支持，從設備安裝調試、操作人員培訓、工藝優化指導到設備升級改造，形成完整的服務鏈條。建立客戶服務檔案，定期進行設備巡檢與性能評估，根據客戶的生產需求變化提供定制化的升級方案，確保設備始終保持先進的技術水平。隨著半導體技術向更多新興領域滲透，晶圓切割的應用場景不斷拓展。中清航科積極布局新興市場，開發適用于可穿戴設備芯片、柔性電子、生物芯片等領域的切割設備。例如，針對柔性晶圓的切割，采用低溫冷凍切割技術，解決柔性材料切割時的拉伸變形問題，為新興半導體應用提供可靠的制造保障。南京碳化硅半導體晶圓切割企業中清航科推出晶圓切割應力補償算法，翹曲晶圓良率提升至98.5%。

隨著Chiplet技術的興起，晶圓切割需要更高的位置精度以保證后續的異構集成。中清航科開發的納米級定位切割系統，采用氣浮導軌與光柵尺閉環控制，定位精度達到±0.1μm，配合雙頻激光干涉儀進行實時校準，確保切割道位置與設計圖紙的偏差不超過0.5μm，為Chiplet的高精度互聯奠定基礎。中清航科深諳半導體設備的定制化需求，可為客戶提供從工藝驗證到設備交付的全流程服務。其技術團隊會深入了解客戶的晶圓規格、材料特性與產能要求，定制專屬切割方案，如針對特殊異形Die的切割路徑優化、大尺寸晶圓的分片切割策略等，已成功為多家頭部半導體企業完成定制化項目交付。

中清航科在切割頭集成聲波傳感器，通過頻譜分析實時識別崩邊、裂紋等缺陷（靈敏度1μm）。異常事件觸發自動停機，避免批量損失，每年減少廢片成本$2.5M。為提升CIS有效感光面積，中清航科將切割道壓縮至8μm：激光隱形切割（SD）配合智能擴膜系統，崩邊<3μm，使1/1.28英寸傳感器邊框縮減40%，暗電流降低至0.12nA/cm2。中清航科金剛石刀片再生技術：通過等離子體刻蝕去除表層磨損層，重新鍍覆納米金剛石顆粒。再生刀片壽命達新品90%，成本降低65%，已服務全球1200家客戶。5G射頻芯片切割中清航科特殊工藝，金線偏移量＜0.8μm。

隨著芯片輕薄化趨勢，中清航科DBG（先切割后研磨）與SDBG（半切割后研磨）設備采用漸進式壓力控制技術，切割階段只切入晶圓1/3厚度，經背面研磨后自動分離。該方案將100μm以下晶圓碎片率降至0.01%，已應用于5G射頻模塊量產線。冷卻液純度直接影響切割良率。中清航科納米級過濾系統可去除99.99%的0.1μm顆粒，配合自主研發的抗靜電添加劑，減少硅屑附著造成的短路風險。智能溫控模塊維持液體粘度穩定，延長刀片壽命200小時以上呢。晶圓切割后清洗設備中清航科專利設計，殘留顆粒＜5個/片。鎮江12英寸半導體晶圓切割

中清航科定制刀輪應對超薄晶圓切割，碎片率降至0.1%以下。杭州碳化硅線晶圓切割寬度

中清航科開放6條全自動切割產線，支持從8英寸化合物半導體到12英寸邏輯晶圓的來料加工。云端訂單系統實時追蹤進度，平均交貨周期48小時，良率承諾99.2%。先進封裝RDL層切割易引發銅箔撕裂。中清航科應用超快飛秒激光（脈寬400fs）配合氦氣保護，在銅-硅界面形成納米級熔融區，剝離強度提升5倍。中清航科搭建全球較早切割工藝共享平臺，收錄3000+材料參數組合。客戶輸入晶圓類型/厚度/目標良率，自動生成比較好參數包，工藝開發周期縮短90%。杭州碳化硅線晶圓切割寬度