隨著Chiplet技術(shù)的興起，晶圓切割需要更高的位置精度以保證后續(xù)的異構(gòu)集成。中清航科開發(fā)的納米級定位切割系統(tǒng)，采用氣浮導(dǎo)軌與光柵尺閉環(huán)控制，定位精度達(dá)到±0.1μm，配合雙頻激光干涉儀進(jìn)行實時校準(zhǔn)，確保切割道位置與設(shè)計圖紙的偏差不超過0.5μm，為Chiplet的高精度互聯(lián)奠定基礎(chǔ)。中清航科深諳半導(dǎo)體設(shè)備的定制化需求，可為客戶提供從工藝驗證到設(shè)備交付的全流程服務(wù)。其技術(shù)團(tuán)隊會深入了解客戶的晶圓規(guī)格、材料特性與產(chǎn)能要求，定制專屬切割方案，如針對特殊異形Die的切割路徑優(yōu)化、大尺寸晶圓的分片切割策略等，已成功為多家頭部半導(dǎo)體企業(yè)完成定制化項目交付。中清航科提供切割工藝認(rèn)證服務(wù)，助客戶通過車規(guī)級標(biāo)準(zhǔn)。宿遷碳化硅半導(dǎo)體晶圓切割劃片廠

UV膜殘膠導(dǎo)致芯片貼裝失效。中清航科研發(fā)酶解清洗液，在50℃下選擇性分解膠層分子鏈，30秒清理99.9%殘膠且不損傷鋁焊盤，替代高污染溶劑清洗。針對3DNAND多層堆疊結(jié)構(gòu)，中清航科采用紅外視覺穿透定位+自適應(yīng)焦距激光，實現(xiàn)128層晶圓的同步切割。垂直對齊精度±1.2μm，層間偏移誤差<0.3μm。中清航科綠色方案整合電絮凝+反滲透技術(shù)，將切割廢水中的硅粉、金屬離子分離回收，凈化水重復(fù)利用率達(dá)98%，符合半導(dǎo)體廠零液體排放（ZLD）標(biāo)準(zhǔn)。徐州碳化硅陶瓷晶圓切割針對柔性晶圓，中清航科開發(fā)低溫切割工藝避免材料變性。

面對全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的區(qū)域化布局趨勢，中清航科建立了覆蓋亞洲、歐洲、北美地區(qū)的本地化服務(wù)網(wǎng)絡(luò)。其7×24小時在線技術(shù)支持團(tuán)隊，可通過遠(yuǎn)程診斷系統(tǒng)快速定位設(shè)備故障，配合就近備件倉庫，將平均故障修復(fù)時間（MTTR）控制在4小時以內(nèi)，確保客戶生產(chǎn)線的連續(xù)穩(wěn)定運行。綠色制造已成為半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展共識，中清航科在晶圓切割設(shè)備的設(shè)計中融入多項節(jié)能技術(shù)。其研發(fā)的變頻激光電源，能源轉(zhuǎn)換效率達(dá)到92%，較傳統(tǒng)設(shè)備降低30%的能耗；同時采用水循環(huán)冷卻系統(tǒng)，水資源回收率達(dá)95%以上，幫助客戶實現(xiàn)環(huán)保指標(biāo)與生產(chǎn)成本的雙重優(yōu)化。

在碳化硅晶圓切割領(lǐng)域，由于材料硬度高達(dá)莫氏9級，傳統(tǒng)切割方式面臨效率低下的問題。中清航科創(chuàng)新采用超高壓水射流與激光復(fù)合切割技術(shù)，利用水射流的冷卻作用抑制激光切割產(chǎn)生的熱影響區(qū)，同時借助激光的預(yù)熱作用降低材料強(qiáng)度，使碳化硅晶圓的切割效率提升3倍，熱影響區(qū)控制在10μm以內(nèi)。晶圓切割設(shè)備的可靠性是大規(guī)模生產(chǎn)的基礎(chǔ)保障。中清航科對中心部件進(jìn)行嚴(yán)格的可靠性測試，其中激光振蕩器經(jīng)過10萬小時連續(xù)運行驗證，機(jī)械導(dǎo)軌的壽命測試達(dá)到200萬次往復(fù)運動無故障。設(shè)備平均無故障時間（MTBF）突破1000小時，遠(yuǎn)超行業(yè)800小時的平均水平，為客戶提供穩(wěn)定可靠的生產(chǎn)保障。晶圓切割機(jī)預(yù)防性維護(hù)中清航科定制套餐，設(shè)備壽命延長5年。

晶圓切割/裂片是芯片制造過程中的重要工序，屬于先進(jìn)封裝(advancedpackaging)的后端工藝(back-end)之一，該工序可以將晶圓分割成單個芯片，用于隨后的芯片鍵合。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，對高性能和更小型電子器件的需求增加，晶圓切割/裂片精度及效率控制日益不可或缺。晶圓切割的重要性在于它能夠在不損壞嵌入其中的精細(xì)結(jié)構(gòu)和電路的情況下分離單個芯片，成功與否取決于分離出來的芯片的質(zhì)量和產(chǎn)量，以及整個過程的效率。為了實現(xiàn)這些目標(biāo)，目前已經(jīng)開發(fā)了多種切割技術(shù)，每種技術(shù)都有其獨特的優(yōu)點和缺點。超窄街切割方案中清航科實現(xiàn)30μm道寬，芯片數(shù)量提升18%。紹興半導(dǎo)體晶圓切割刀片

中清航科真空吸附晶圓托盤，解決超薄晶圓切割變形難題。宿遷碳化硅半導(dǎo)體晶圓切割劃片廠

對于高價值的晶圓產(chǎn)品，切割過程中的追溯性尤為重要。中清航科的切割設(shè)備內(nèi)置二維碼追溯系統(tǒng)，每片晶圓進(jìn)入設(shè)備后都會生成單獨的二維碼標(biāo)識，全程記錄切割時間、操作人員、工藝參數(shù)、檢測結(jié)果等信息，可通過掃碼快速查詢?nèi)鞒虜?shù)據(jù)，為質(zhì)量追溯與問題分析提供完整依據(jù)。在晶圓切割的邊緣處理方面，中清航科突破傳統(tǒng)工藝限制，開發(fā)出激光倒角技術(shù)。可在切割的同時完成晶圓邊緣的圓弧處理，倒角半徑可精確控制在5-50μm范圍內(nèi)，有效減少邊緣應(yīng)力集中，提高晶圓的機(jī)械強(qiáng)度。該技術(shù)特別適用于需要多次搬運與清洗的晶圓加工流程。宿遷碳化硅半導(dǎo)體晶圓切割劃片廠