中清航科ESG解決方案：設(shè)備內(nèi)置能源管理模塊，智能調(diào)節(jié)激光功率與主軸轉(zhuǎn)速，單次切割能耗降低42%。碳追蹤平臺(tái)每8小時(shí)生成減排報(bào)告，助力客戶達(dá)成碳中和目標(biāo)，已獲全球25家代工廠采購(gòu)認(rèn)證。功率器件背面金層在切割中易翹曲。中清航科開發(fā)脈沖電流輔助切割，在刀片-晶圓界面施加微電流（<10mA），瞬時(shí)加熱至150℃軟化金層，剝離風(fēng)險(xiǎn)下降90%，剪切強(qiáng)度保持>45MPa。中清航科推出粉塵組分診斷系統(tǒng)：通過LIBS（激光誘導(dǎo)擊穿光譜）在線分析顆粒元素構(gòu)成，自動(dòng)推薦冷卻液配方調(diào)整方案。幫助客戶減少因金屬污染導(dǎo)致的芯片失效，良率提升1.2%。切割粉塵回收模塊中清航科集成，重金屬污染減排90%以上。徐州碳化硅陶瓷晶圓切割劃片廠

大規(guī)模量產(chǎn)場(chǎng)景中，晶圓切割的穩(wěn)定性與一致性至關(guān)重要。中清航科推出的全自動(dòng)切割生產(chǎn)線，集成自動(dòng)上下料、在線檢測(cè)與NG品分揀功能，單臺(tái)設(shè)備每小時(shí)可處理30片12英寸晶圓，且通過工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)實(shí)現(xiàn)多設(shè)備協(xié)同管控，設(shè)備綜合效率（OEE）提升至90%以上，明顯降低人工干預(yù)帶來(lái)的質(zhì)量波動(dòng)。隨著芯片集成度不斷提高，晶圓厚度逐漸向超薄化發(fā)展，目前主流晶圓厚度已降至50-100μm，切割過程中極易產(chǎn)生變形與破損。中清航科創(chuàng)新采用低溫輔助切割技術(shù)，通過局部深冷處理增強(qiáng)晶圓材料剛性，配合特制真空吸附平臺(tái)，確保超薄晶圓切割后的翹曲度小于20μm，為先進(jìn)封裝工藝提供可靠的晶圓預(yù)處理保障。衢州碳化硅半導(dǎo)體晶圓切割測(cè)試切割冷卻液在線凈化裝置中清航科研發(fā)，雜質(zhì)濃度自動(dòng)控制＜1ppm。

晶圓切割的主要目標(biāo)之一是從每片晶圓中獲得高產(chǎn)量的、功能完整且無(wú)損的芯片。產(chǎn)量是半導(dǎo)體制造中的一個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)，因?yàn)樗苯佑绊戨娮悠骷a(chǎn)的成本和效率。更高的產(chǎn)量意味著每個(gè)芯片的成本更造能力更大，制造商更能滿足不斷增長(zhǎng)的電子器件需求。晶圓切割直接影響到包含這些分離芯片的電子器件的整體性能。切割過程的精度和準(zhǔn)確性需要確保每個(gè)芯片按照設(shè)計(jì)規(guī)格分離，尺寸和對(duì)準(zhǔn)的變化小。這種精度對(duì)于在終設(shè)備中實(shí)現(xiàn)比較好電氣性能、熱管理和機(jī)械穩(wěn)定性至關(guān)重要。

中清航科開放6條全自動(dòng)切割產(chǎn)線，支持從8英寸化合物半導(dǎo)體到12英寸邏輯晶圓的來(lái)料加工。云端訂單系統(tǒng)實(shí)時(shí)追蹤進(jìn)度，平均交貨周期48小時(shí)，良率承諾99.2%。先進(jìn)封裝RDL層切割易引發(fā)銅箔撕裂。中清航科應(yīng)用超快飛秒激光（脈寬400fs）配合氦氣保護(hù)，在銅-硅界面形成納米級(jí)熔融區(qū)，剝離強(qiáng)度提升5倍。中清航科搭建全球較早切割工藝共享平臺(tái)，收錄3000+材料參數(shù)組合。客戶輸入晶圓類型/厚度/目標(biāo)良率，自動(dòng)生成比較好參數(shù)包，工藝開發(fā)周期縮短90%。中清航科切割機(jī)節(jié)能模式降低功耗40%，年省電費(fèi)超15萬(wàn)元。

晶圓切割作為半導(dǎo)體制造流程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，直接影響芯片的良率與性能。中清航科憑借多年行業(yè)積淀，研發(fā)出高精度激光切割設(shè)備，可實(shí)現(xiàn)小切割道寬達(dá)20μm，滿足5G芯片、車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體等領(lǐng)域的加工需求。其搭載的智能視覺定位系統(tǒng)，能實(shí)時(shí)校準(zhǔn)晶圓位置偏差，將切割精度控制在±1μm以內(nèi)，為客戶提升30%以上的生產(chǎn)效率。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速迭代的當(dāng)下，晶圓材料呈現(xiàn)多元化趨勢(shì)，從傳統(tǒng)硅基到碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體，切割工藝面臨更大挑戰(zhàn)。中清航科針對(duì)性開發(fā)多材料適配切割方案，通過可調(diào)諧激光波長(zhǎng)與動(dòng)態(tài)功率控制技術(shù)，完美解決硬脆材料切割時(shí)的崩邊問題，崩邊尺寸可控制在5μm以下，助力第三代半導(dǎo)體器件的規(guī)模化生產(chǎn)。中清航科真空吸附晶圓托盤，解決超薄晶圓切割變形難題。蘇州碳化硅陶瓷晶圓切割刀片

晶圓切割粉塵控制選中清航科靜電吸附系統(tǒng)，潔凈度達(dá)標(biāo)Class1。徐州碳化硅陶瓷晶圓切割劃片廠

對(duì)于高價(jià)值的晶圓產(chǎn)品，切割過程中的追溯性尤為重要。中清航科的切割設(shè)備內(nèi)置二維碼追溯系統(tǒng)，每片晶圓進(jìn)入設(shè)備后都會(huì)生成單獨(dú)的二維碼標(biāo)識(shí)，全程記錄切割時(shí)間、操作人員、工藝參數(shù)、檢測(cè)結(jié)果等信息，可通過掃碼快速查詢?nèi)鞒虜?shù)據(jù)，為質(zhì)量追溯與問題分析提供完整依據(jù)。在晶圓切割的邊緣處理方面，中清航科突破傳統(tǒng)工藝限制，開發(fā)出激光倒角技術(shù)。可在切割的同時(shí)完成晶圓邊緣的圓弧處理，倒角半徑可精確控制在5-50μm范圍內(nèi)，有效減少邊緣應(yīng)力集中，提高晶圓的機(jī)械強(qiáng)度。該技術(shù)特別適用于需要多次搬運(yùn)與清洗的晶圓加工流程。徐州碳化硅陶瓷晶圓切割劃片廠