為滿足汽車電子追溯要求，中清航科在切割機集成區(qū)塊鏈模塊。每片晶圓生成單獨工藝參數(shù)數(shù)字指紋（含切割速度、溫度、振動數(shù)據(jù)），直通客戶MES系統(tǒng)，實現(xiàn)零缺陷溯源。面向下一代功率器件，中清航科開發(fā)等離子體輔助切割（PAC）。利用微波激發(fā)氧等離子體軟化切割區(qū)材料，同步機械分離，切割效率較傳統(tǒng)方案提升5倍，成本降低60%。邊緣失效區(qū)（EdgeExclusionZone）浪費高達3%晶圓面積。中清航科高精度邊緣定位系統(tǒng)通過AI識別有效電路邊界，定制化切除輪廓，使8英寸晶圓可用面積增加2.1%，年省材料成本數(shù)百萬。中清航科切割機節(jié)能模式降低功耗40%，年省電費超15萬元。連云港芯片晶圓切割測試

半導體晶圓是一種薄而平的半導體材料圓片，組成通常為硅，主要用于制造集成電路（IC）和其他電子器件的基板。晶圓是構建單個電子組件和電路的基礎，各種材料和圖案層在晶圓上逐層堆疊形成。由于優(yōu)異的電子特性，硅成為了常用的半導體晶圓材料。根據(jù)摻雜物的添加，硅可以作為良好的絕緣體或導體。此外，硅的儲量也十分豐富，上述這些特性都使其成為半導體行業(yè)的成本效益選擇。其他材料如鍺、氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和碳化硅（SiC）也具有一定的適用場景，但它們的市場份額遠小于硅。蘇州晶圓切割寬度中清航科推出切割工藝保險服務，承保因切割導致的晶圓損失。

隨著半導體市場需求的快速變化，產品迭代周期不斷縮短，這對晶圓切割的快速響應能力提出更高要求。中清航科建立了快速工藝開發(fā)團隊，承諾在收到客戶新樣品后72小時內完成切割工藝驗證，并提供工藝報告與樣品測試數(shù)據(jù)，幫助客戶加速新產品研發(fā)進程，搶占市場先機。晶圓切割設備的操作安全性至關重要，中清航科嚴格遵循SEMIS2安全標準，在設備設計中融入多重安全保護機制。包括激光安全聯(lián)鎖、急停按鈕、防護門檢測、過載保護等，同時配備安全警示系統(tǒng)，實時顯示設備運行狀態(tài)與潛在風險，確保操作人員的人身安全與設備的安全運行。

面對全球半導體設備供應鏈的不確定性，中清航科構建了多元化的供應鏈體系。與國內200余家質優(yōu)供應商建立長期合作關系，關鍵部件實現(xiàn)多源供應，同時在各地建立備件中心，儲備充足的易損件與中心部件，確保設備維修與升級時的備件及時供應，縮短設備停機時間。晶圓切割設備的能耗成本在長期運行中占比較大，中清航科通過能效優(yōu)化設計，使設備的單位能耗降低至0.5kWh/片（12英寸晶圓），較行業(yè)平均水平降低35%。采用智能休眠技術，設備閑置時自動進入低功耗模式，進一步節(jié)約能源消耗，為客戶降低長期運營成本。中清航科全自動切割線配備AI視覺定位，精度達±1.5μm。

對于高價值的晶圓產品，切割過程中的追溯性尤為重要。中清航科的切割設備內置二維碼追溯系統(tǒng)，每片晶圓進入設備后都會生成單獨的二維碼標識，全程記錄切割時間、操作人員、工藝參數(shù)、檢測結果等信息，可通過掃碼快速查詢全流程數(shù)據(jù)，為質量追溯與問題分析提供完整依據(jù)。在晶圓切割的邊緣處理方面，中清航科突破傳統(tǒng)工藝限制，開發(fā)出激光倒角技術。可在切割的同時完成晶圓邊緣的圓弧處理，倒角半徑可精確控制在5-50μm范圍內，有效減少邊緣應力集中，提高晶圓的機械強度。該技術特別適用于需要多次搬運與清洗的晶圓加工流程。中清航科切割耗材全球供應鏈，保障客戶生產連續(xù)性。碳化硅陶瓷晶圓切割廠

晶圓切割大數(shù)據(jù)平臺中清航科開發(fā)，實時分析10萬+工藝參數(shù)。連云港芯片晶圓切割測試

中清航科兆聲波清洗技術結合納米氣泡噴淋，去除切割道深槽內的微顆粒。流體仿真設計使清洗液均勻覆蓋15:1深寬比結構，殘留物<5ppb，電鏡檢測達標率100%。中清航科推出刀片/激光器租賃服務：通過云平臺監(jiān)控耗材使用狀態(tài)，按實際切割長度計費。客戶CAPEX（資本支出）降低40%，并享受技術升級，實現(xiàn)輕資產運營。中清航科VirtualCut軟件構建切割過程3D物理模型，輸入材料參數(shù)即可預測崩邊尺寸、應力分布。虛擬調試功能將新工藝驗證周期從3周壓縮至72小時，加速客戶產品上市。中清航科綠色切割方案：冷卻液循環(huán)利用率達95%，激光系統(tǒng)能耗降低30%（對比行業(yè)均值）。碳足跡追蹤平臺量化每片晶圓加工排放，助力客戶達成ESG目標，已獲ISO14064認證。連云港芯片晶圓切割測試