真空氣氛爐在隕石模擬撞擊實(shí)驗(yàn)中的應(yīng)用：研究隕石撞擊對行星表面的影響，需要模擬極端的真空和高溫環(huán)境，真空氣氛爐為此提供了實(shí)驗(yàn)平臺(tái)。實(shí)驗(yàn)時(shí)，將模擬行星表面的巖石樣品和小型隕石模擬物置于爐內(nèi)特制的靶架上。先將爐內(nèi)抽至 10?? Pa 的超高真空，模擬宇宙空間環(huán)境；然后通過高能激光裝置對隕石模擬物進(jìn)行瞬間加熱，使其溫度在毫秒級時(shí)間內(nèi)達(dá)到 2000℃以上，隨后高速撞擊巖石樣品。爐內(nèi)配備的高速攝像機(jī)和壓力傳感器，可實(shí)時(shí)記錄撞擊過程中的溫度變化、壓力波動(dòng)以及巖石的破碎形態(tài)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在真空氣氛爐中模擬的撞擊坑形態(tài)、熔融產(chǎn)物成分與實(shí)際隕石坑的觀測數(shù)據(jù)高度吻合，為研究行星演化和天體撞擊事件提供了可靠的實(shí)驗(yàn)依據(jù)。真空氣氛爐可定制不同尺寸爐膛，滿足多樣需求。陜西箱式真空氣氛爐

真空氣氛爐的智能視覺引導(dǎo)與機(jī)器人協(xié)同作業(yè)系統(tǒng)：智能視覺引導(dǎo)與機(jī)器人協(xié)同作業(yè)系統(tǒng)提升真空氣氛爐的自動(dòng)化水平。在工件裝卸環(huán)節(jié)，工業(yè)相機(jī)采集爐內(nèi)空間位置信息，通過視覺識(shí)別算法生成機(jī)器人運(yùn)動(dòng)路徑。六軸機(jī)器人在真空密封艙內(nèi)準(zhǔn)確抓取工件，避免人工操作的誤差與安全風(fēng)險(xiǎn)。系統(tǒng)還具備自適應(yīng)調(diào)整功能，當(dāng)檢測到工件擺放位置偏差時(shí)，自動(dòng)修正機(jī)器人運(yùn)動(dòng)軌跡。在光伏硅片的真空退火工藝中，該系統(tǒng)使裝卸效率提高 70%，硅片破損率降低至 0.1% 以下，同時(shí)減少操作人員暴露在高溫、真空環(huán)境中的時(shí)間，保障人身安全。陜西箱式真空氣氛爐實(shí)驗(yàn)室開展新材料實(shí)驗(yàn)，真空氣氛爐是重要設(shè)備。

真空氣氛爐在超導(dǎo)材料制備中的梯度溫場控制工藝：超導(dǎo)材料的性能對制備過程中的溫度和氣氛極為敏感，真空氣氛爐通過梯度溫場控制工藝滿足其嚴(yán)苛要求。在爐體內(nèi)部設(shè)置多層單獨(dú)控溫區(qū)，通過精密的加熱元件布局和溫度傳感器分布，可實(shí)現(xiàn)縱向和徑向的溫度梯度調(diào)節(jié)。以釔鋇銅氧（YBCO）超導(dǎo)材料制備為例，在爐體下部設(shè)定 800℃的高溫區(qū)，中部為 750℃的過渡區(qū)，上部為 700℃的低溫區(qū)，形成自上而下的溫度梯度。在通入氬氣和氧氣混合氣氛的同時(shí)，控制不同溫區(qū)的升溫速率和保溫時(shí)間，使超導(dǎo)材料在生長過程中實(shí)現(xiàn)元素的定向擴(kuò)散和晶格的有序排列。經(jīng)該工藝制備的超導(dǎo)材料，臨界轉(zhuǎn)變溫度達(dá)到 92K，較傳統(tǒng)均勻溫場制備的材料提升 5%，臨界電流密度提高 30%，為超導(dǎo)技術(shù)的實(shí)際應(yīng)用提供了很好的材料基礎(chǔ)。

真空氣氛爐的智能氣體循環(huán)凈化系統(tǒng)：為保證爐內(nèi)氣氛的純度，真空氣氛爐配備智能氣體循環(huán)凈化系統(tǒng)。系統(tǒng)通過分子篩吸附劑去除氣體中的水分和二氧化碳，利用催化氧化裝置消除氧氣和有機(jī)雜質(zhì)，采用低溫冷凝技術(shù)捕獲揮發(fā)性物質(zhì)。在進(jìn)行貴金屬熔煉時(shí)，通入的高純氬氣經(jīng)過循環(huán)凈化后，氧氣含量從 5ppm 降低至 0.1ppm，水分含量低于 0.5ppm。凈化后的氣體可重復(fù)使用，氣體消耗量減少 80%，降低生產(chǎn)成本的同時(shí)，避免了因氣體雜質(zhì)導(dǎo)致的貴金屬氧化和污染，提高了產(chǎn)品純度。系統(tǒng)還可根據(jù)工藝需求自動(dòng)切換凈化模式，確保不同工藝對氣氛的嚴(yán)格要求。真空氣氛爐的電源線路需配置，避免電路過載。

真空氣氛爐的柔性波紋管密封門結(jié)構(gòu)：傳統(tǒng)真空氣氛爐爐門密封易因高溫變形導(dǎo)致泄漏，柔性波紋管密封門結(jié)構(gòu)有效解決這一難題。該結(jié)構(gòu)采用多層不銹鋼波紋管嵌套設(shè)計(jì)，內(nèi)層波紋管直接接觸高溫環(huán)境，選用耐高溫的 Inconel 合金材質(zhì)，可承受 1300℃高溫；外層波紋管用普通不銹鋼增強(qiáng)結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。當(dāng)爐門關(guān)閉時(shí)，液壓驅(qū)動(dòng)裝置使波紋管受壓變形，緊密貼合門框，形成連續(xù)密封面。在 10?? Pa 高真空環(huán)境下測試，該密封門漏氣率低于 10?? Pa?m3/s，且在頻繁開關(guān)過程中，波紋管的彈性形變可自動(dòng)補(bǔ)償因熱膨脹產(chǎn)生的縫隙。相比傳統(tǒng)密封結(jié)構(gòu)，其使用壽命延長 3 倍，維護(hù)頻率降低 70%，尤其適用于需要頻繁裝卸工件的熱處理工藝。磁性材料的退磁處理，真空氣氛爐提供合適環(huán)境。陜西箱式真空氣氛爐

操作真空氣氛爐前需檢查密封件狀態(tài)，硅橡膠圈耐溫范圍為260℃至350℃。陜西箱式真空氣氛爐

真空氣氛爐的磁控濺射與分子束外延復(fù)合沉積技術(shù)：在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域，真空氣氛爐集成磁控濺射與分子束外延（MBE）復(fù)合沉積技術(shù)，實(shí)現(xiàn)薄膜材料的高精度制備。磁控濺射可快速沉積緩沖層與導(dǎo)電層，通過調(diào)節(jié)濺射功率與氣體流量，能精確控制薄膜厚度在納米級精度；分子束外延則用于生長高質(zhì)量的半導(dǎo)體單晶層，在超高真空環(huán)境（10?? Pa）下，原子束以精確的流量和角度沉積在基底表面，形成原子級平整的薄膜。在制備 5G 芯片的氮化鎵（GaN）外延層時(shí)，該復(fù)合技術(shù)使薄膜的位錯(cuò)密度降低至 10? cm?2，電子遷移率提升至 2000 cm2/(V?s)，相比單一工藝性能提高明顯。兩種技術(shù)的協(xié)同作業(yè)，還能減少中間工藝環(huán)節(jié)，將芯片制造周期縮短 20%。陜西箱式真空氣氛爐