RPS遠程等離子源是一款基于電感耦合等離子體技術的自成一體的原子發生器，它的功能是用于半導體設備工藝腔體原子級別的清潔，使用工藝氣體三氟化氮（NF3）/O2，在交變電場和磁場作用下，原材料氣體會被解離，從而釋放出自由基，活性離子進入工藝室與工藝室上沉積的污染材料（SIO/SIN）或者殘余氣體（H2O、O2、H2、N2）等物質產生化學反應，聚合為高活性氣態分子經過真空泵組抽出處理腔室，提高處理腔室內部潔凈度；利用原子的高活性強氧化特性，達到清洗CVD或其他腔室后生產工藝的目的，為了避免不必要的污染和工作人員的強度和高風險的濕式清洗工作，提高生產效率。為量子計算超導電路提供無損傷表面清潔。河南遠程等離子源處理cvd腔室RPS石英舟清洗

RPS遠程等離子源如何應對高深寬比結構的清洗挑戰：在半導體制造中，高深寬比結構（如深孔或溝槽）的清洗極為困難，傳統方法難以滲透。RPS遠程等離子源通過其高擴散性的自由基，能夠深入微觀結構，均勻去除殘留物。例如，在3D NAND閃存制造中，RPS遠程等離子源可用于蝕刻間隔層或清理 蝕刻副產物，而不導致結構坍塌。其精確的化學控制避免了過度刻蝕，確保了關鍵尺寸的完整性。隨著器件結構日益復雜，RPS遠程等離子源成為實現下一代技術的關鍵賦能工具。安徽推薦RPS石墨舟處理為功率模塊封裝提供優化的界面散熱處理方案。

RPS遠程等離子源在半導體設備維護中的經濟效益統計數據顯示，采用RPS遠程等離子源進行預防性維護，可將PECVD設備平均無故障時間延長至2000小時，維護成本降低40%。在刻蝕設備中，RPS遠程等離子源將清潔周期從50批次延長至200批次，備件更換頻率降低60%。某晶圓廠年度報告顯示，各方面 采用RPS遠程等離子源后，設備綜合效率提升15%，年均節約維護費用超500萬元。RPS遠程等離子源在科研領域的多功能平臺RPS遠程等離子源模塊化設計支持快速更換反應腔室，可適配從基礎研究到中試生產的各種需求。通過配置多種氣體入口和功率調節系統，功率調節范圍覆蓋100-5000W，適用基底尺寸從2英寸到300mm。在材料科學研究中，RPS遠程等離子源實現了石墨烯無損轉移、碳納米管定向排列等前沿應用，助力發表SCI論文200余篇。

在材料科學的基礎研究和新材料開發中，獲得一個清潔、無污染的原始表面對于準確分析其本征物理化學性質至關重要。無論是進行XPS、AFM還是SIMS等表面分析技術，微量的表面吸附物都會嚴重干擾測試結果。RPS遠程等離子源應用領域為此提供的解決方案。其能夠在高真空或超高真空環境下，通過產生純凈的氫或氬自由基，對樣品表面進行原位（in-situ）清洗。氫自由基能高效還原并去除金屬表面的氧化物，而氬自由基能物理性地濺射掉表層的污染物，整個過程幾乎不引入新的污染或造成晶格損傷。這為研究人員揭示材料的真實表面態、界面電子結構以及催化活性位點等本征特性提供了可能，是連接材料制備與性能表征的關鍵橋梁。在超導腔處理中實現原子級潔凈表面制備。

RPS遠程等離子源應用領域已深度擴展至2.5D/3D先進封裝技術中。在硅通孔（TSV）工藝中，深硅刻蝕后會在孔內留下氟碳聚合物側壁鈍化層，必須在導電材料填充前將其完全去除，否則會導致電阻升高或互聯開路。RPS遠程等離子源利用其產生的氟捕獲劑或還原性自由基，能選擇性地高效清理 這些殘留物，同時保護暴露的硅襯底和底部金屬。另一方面，在晶圓-晶圓鍵合或芯片-晶圓鍵合前，表面潔凈度與活化程度直接決定了鍵合強度與良率。RPS遠程等離子源應用領域在此環節通過氧或氮的自由基對鍵合表面（如SiO2、SiN）進行處理，能有效去除微量有機污染物并大幅增加表面羥基（-OH）密度，從而在低溫下實現極高的鍵合能量。這為高性能計算、人工智能芯片等需要高密度垂直集成的產品提供了可靠的互聯解決方案。在文化遺產保護中實現文物無損清潔。安徽推薦RPS石墨舟處理

適用于特種材料科研開發的超真空表面處理。河南遠程等離子源處理cvd腔室RPS石英舟清洗

RPS遠程等離子源在量子計算器件中的前沿應用在超導量子比特制造中，RPS遠程等離子源通過O2/Ar遠程等離子體去除表面磁噪聲源，將量子比特退相干時間延長至100μs以上。在約瑟夫森結制備中，采用H2/N2遠程等離子體精確控制勢壘層厚度，將結電阻均勻性控制在±2%以內。實驗結果顯示，經RPS遠程等離子源處理的量子芯片，保真度提升至99.95%。RPS遠程等離子源在先進傳感器制造中的精度突破在MEMS壓力傳感器制造中，RPS遠程等離子源通過XeF2遠程等離子體釋放硅膜結構，將殘余應力控制在10MPa以內。在紅外探測器制造中，采用SF6/O2遠程等離子體刻蝕懸臂梁結構，將熱響應時間縮短至5ms。實測數據表明，采用RPS遠程等離子源制造的傳感器，精度等級達到0.01%FS，溫度漂移<0.005%/℃。河南遠程等離子源處理cvd腔室RPS石英舟清洗