遠程等離子源，是一種基于變壓器電感耦合等離子體技術的duli式自由基發(fā)生器（RPS），可以有效的解離輸入氣體。產(chǎn)生清洗或蝕刻所需的自由基(氟、氧原子等)，這些自由基通過腔室壓差傳輸，遠程等離子體內(nèi)的電場保持在較低的水平，避免電荷可能損壞敏感的晶圓結構，利用自由基的強氧化特性，達到腔室清洗(Chamber Clean)或制程（On-Wafer PROCESS）的目的。該產(chǎn)品設計具有先進的HA或PEO涂層plasma block，先進的功率自適應模式，滿足多種鍍膜和刻蝕工藝需求，小體積的同時最大功率可達10kw。在半導體前道制程中確保柵極界面質(zhì)量。江蘇RPS原理

在薄膜沉積工藝（如PVD、CVD）中，腔室內(nèi)壁會逐漸積累殘留膜層，這些沉積物可能由聚合物、金屬或氧化物組成。隨著工藝次數(shù)的增加，膜層厚度不斷增長，容易剝落形成顆粒污染物，導致器件缺陷和良品率下降。RPS遠程等離子源通過非接觸式清洗方式，將高活性自由基（如氧自由基或氟基自由基）引入腔室，與殘留物發(fā)生化學反應，將其轉化為揮發(fā)性氣體并排出。這種方法不僅避免了機械清洗可能帶來的物理損傷，還能覆蓋復雜幾何結構，確保清洗均勻性。對于高級 CVD設備，定期使用RPS遠程等離子源進行維護，可以明顯 減少工藝中斷和缺陷風險，延長設備壽命。湖南遠程等離子電源RPS石墨舟腔體清洗RPS包含電源和電離腔體兩部分，不同的工藝氣體流量對應匹配的電源功率。

服務于航空航天和電動汽車的SiC/GaN功率模塊，其散熱能力直接決定了系統(tǒng)的輸出功率和壽命。功率芯片與散熱基板（如DBC）之間的界面熱阻是散熱路徑上的關鍵瓶頸。RPS遠程等離子源應用領域在此環(huán)節(jié)通過表面活化來優(yōu)化界面質(zhì)量。在焊接或燒結前，使用RPS對芯片背面和DBC基板表面進行清洗和活化，能徹底去除有機污染物和弱邊界層，并大幅提高表面能。這使得液態(tài)焊料或銀燒結膏在界面處能實現(xiàn)充分的潤濕和鋪展，形成致密、均勻且空洞率極低的連接層。一個高質(zhì)量的連接界面能明顯 降低熱阻，確保功率器件產(chǎn)生的熱量被快速導出，從而允許模塊在更高的功率密度和更惡劣的溫度環(huán)境下穩(wěn)定運行，滿足了車規(guī)級AEC-Q101和航空AS9100等嚴苛標準的要求。

三維NAND閃存堆疊層數(shù)的不斷增加，對刻蝕后高深寬比結構的清洗帶來了巨大挑戰(zhàn)。其深孔或深溝槽底部的刻蝕殘留物（如聚合物）若不能徹底清理 ，將嚴重影響后續(xù)多晶硅或鎢填充的質(zhì)量，導致電荷陷阱和器件性能劣化。在此RPS遠程等離子源應用領域展現(xiàn)出其獨特優(yōu)勢。由于等離子體在遠程生成，其主要產(chǎn)物是電中性的自由基，這些自由基具有較好的擴散能力，能夠無阻礙地深入深寬比超過60:1的結構底部，與殘留物發(fā)生化學反應并將其轉化為揮發(fā)性氣體排出。相較于直接等離子體，RPS技術避免了因離子鞘層效應導致的清洗不均勻問題，確保了從結構頂部到底部的均勻清潔，且不會因離子轟擊造成結構側壁的物理損傷。這使得RPS遠程等離子源應用領域成為3D NAND制造中實現(xiàn)高良率、高可靠性的主要 技術之一。適用于防腐涂層前處理的綠色表面活化。

RPS遠程等離子源在納米壓印工藝中的關鍵作用在納米壓印模板清洗中，RPS遠程等離子源通過H2/N2遠程等離子體去除殘留抗蝕劑，將模板使用壽命延長至1000次以上。在壓印膠處理中，采用O2/Ar遠程等離子體改善表面能，將圖案轉移保真度提升至99.9%。實測數(shù)據(jù)顯示，采用RPS遠程等離子源輔助的納米壓印工藝，寬達10nm，套刻精度±2nm。RPS遠程等離子源在柔性電子制造中的低溫工藝針對PI/PET柔性基板，RPS遠程等離子源開發(fā)了80℃以下低溫處理工藝。通過He/O2遠程等離子體活化表面，將水接觸角從85°降至25°，使金屬布線附著力達到5B等級。在柔性OLED制造中，RPS遠程等離子源將電極刻蝕均勻性提升至98%，使器件彎折壽命超過20萬次。在傳感器制造中實現(xiàn)敏感薄膜的均勻沉積。湖南遠程等離子電源RPS石墨舟腔體清洗

與傳統(tǒng)等離子體源不同的是，RPS 通常不直接接觸要處理的表面，而是在一定距離之外產(chǎn)生等離子體。江蘇RPS原理

晟鼎遠程等離子體電源RPS的應用類型：1.CVD腔室清潔①清潔HDP-CVD腔（使用F原子）②清潔PECVD腔（使用F原子）③清潔Low-kCVD腔（使用O原子、F原子）④清潔WCVD腔（使用F原子）2.表面處理、反應性刻蝕和等離子體輔助沉積①通過反應替代 （biao面氧化）進行表面改性②輔助PECVD③使用預活化氧氣和氮氣輔助低壓反應性濺射沉積④使用預活化氧氣和氮氣進行反應性蒸發(fā)沉積⑤等離子體增強原子層沉積（PEALD）3.刻蝕：①灰化（除去表面上的碳類化合物）；②使用反應性含氧氣體粒子處理光刻膠。江蘇RPS原理