遠程等離子源，是一種基于變壓器電感耦合等離子體技術的duli式自由基發生器（RPS），可以有效的解離輸入氣體。產生清洗或蝕刻所需的自由基(氟、氧原子等)，這些自由基通過腔室壓差傳輸，遠程等離子體內的電場保持在較低的水平，避免電荷可能損壞敏感的晶圓結構，利用自由基的強氧化特性，達到腔室清洗(Chamber Clean)或制程（On-Wafer PROCESS）的目的。該產品設計具有先進的HA或PEO涂層plasma block，先進的功率自適應模式，滿足多種鍍膜和刻蝕工藝需求，小體積的同時最大功率可達10kw。為催化材料研究提供可控表面改性平臺。北京RPS腔體清洗

RPS遠程等離子源在熱電材料制備中的創新應用在碲化鉍熱電材料圖案化中，RPS遠程等離子源通過Cl2/Ar遠程等離子體實現各向異性刻蝕，將側壁角度控制在88±1°。通過優化工藝參數，將材料ZT值提升至1.8，轉換效率達12%。在器件集成中，RPS遠程等離子源實現的界面熱阻<10mm2·K/W，使溫差發電功率密度達到1.2W/cm2。RPS遠程等離子源在超表面制造中的精密加工在光學超表面制造中，RPS遠程等離子源通過SF6/C4F8遠程等離子體刻蝕氮化硅納米柱，將尺寸偏差控制在±2nm以內。通過優化刻蝕選擇比，將深寬比提升至20:1，使超表面工作效率達到80%。實驗結果顯示，經RPS遠程等離子源加工的超透鏡，數值孔徑達0.9，衍射極限分辨率優于200nm。福建RPS哪家好在納米材料轉移過程中實現支撐層無損去除。

高性能光學透鏡、激光器和光通信器件對薄膜（如增透膜、高反膜）的附著力和長期穩定性要求極為苛刻。任何微弱的表面污染或附著力不足都可能導致薄膜在溫度循環或高能激光照射下脫落。RPS遠程等離子源應用領域在此發揮著關鍵的預處理作用。通過使用氧或氬的遠程等離子體產生的自由基，能夠在不引入物理損傷的前提下，徹底清潔光學元件表面，并使其表面能比較大化。這個過程能有效打破材料表面的化學鍵，形成高密度的懸空鍵和活性位點，使得后續沉積的薄膜能夠形成牢固的化學鍵合，而非較弱的物理吸附。這不僅明顯 提升了薄膜的附著力，還減少了界面缺陷，從而改善了光學薄膜的激光損傷閾值（LIDT）和環境耐久性，是制造高級 光學元件的必要工序。

PS遠程等離子源在生物芯片制造中的創新應用在微流控芯片鍵合工藝中，RPS遠程等離子源通過O2/N2混合氣體處理PDMS表面，將水接觸角從110°降至30°，明顯改善了親水性。在硅基生物傳感器制造中，采用NH3/H2遠程等離子體功能化表面，將抗體固定密度提升至1012/cm2量級。實驗數據顯示，經RPS遠程等離子源處理的生物芯片，檢測靈敏度提升兩個數量級，信噪比改善至50:1。RPS遠程等離子源在光學器件制造中的精密加工在AR眼鏡波導鏡片制造中，RPS遠程等離子源實現了納米級精度的表面處理。通過CF4/O2遠程等離子體刻蝕二氧化硅波導層，將側壁粗糙度控制在1nmRMS以下。在紅外光學器件制造中，采用H2/Ar遠程等離子體清洗鍺晶片，將表面顆粒污染降至5個/平方厘米以下，使光學透過率提升至99.5%。使用工藝氣體三氟化氮（NF3）/O2，在交變電場和磁場作用下，原材料氣體會被解離，從而釋放出自由基。

RPS遠程等離子源在納米壓印工藝中的關鍵作用在納米壓印模板清洗中，RPS遠程等離子源通過H2/N2遠程等離子體去除殘留抗蝕劑，將模板使用壽命延長至1000次以上。在壓印膠處理中，采用O2/Ar遠程等離子體改善表面能，將圖案轉移保真度提升至99.9%。實測數據顯示，采用RPS遠程等離子源輔助的納米壓印工藝，寬達10nm，套刻精度±2nm。RPS遠程等離子源在柔性電子制造中的低溫工藝針對PI/PET柔性基板，RPS遠程等離子源開發了80℃以下低溫處理工藝。通過He/O2遠程等離子體活化表面，將水接觸角從85°降至25°，使金屬布線附著力達到5B等級。在柔性OLED制造中，RPS遠程等離子源將電極刻蝕均勻性提升至98%，使器件彎折壽命超過20萬次。遠程等離子體源（Remote Plasma Source，RPS）作為一種先進的表面處理技術，正逐漸展現其獨特的價值。湖北RPS定制

在半導體前道制程中確保柵極界面質量。北京RPS腔體清洗

遠程等離子體源RPS反應原理：氧氣作為工藝氣體通入等離子發生腔后，會電離成氧離子，氧離子會與腔室里面的水分子、氧分子、氫分子、氮分子發生碰撞和產生化學反應。物理碰撞會讓這些腔室原有的分子，電離成離子態，電離后氧離子和氫離子，氧離子和氮離子，氧離子和氧離子都會由于碰撞或者發生化學反應生成新的物質或者功能基團。新形成的物質或者功能基團，會更容易被真空系統抽走，從而達到降低原有腔室的殘余氣體含量。當然，氧等離子進入到腔室所發生的反應，比以上分析的狀況會更復雜，但其機理是相類似的。北京RPS腔體清洗