隨著量子計算技術的發展,傳統的加密算法面臨著被解惑的風險。后量子算法隨機數發生器芯片應運而生,為應對這一挑戰提供了有效的策略。后量子算法隨機...
薄膜高Q值電容具有獨特的性能特點。薄膜材料具有良好的絕緣性能和介電性能,使得薄膜高Q值電容具有低損耗、高穩定性、溫度特性好等優點。其高Q值特...
蘇州凌存科技有限公司(以下簡稱凌存科技)成立于2021年12月,坐落于美麗的陽澄湖畔。公司是基于電壓控制磁性技術開發不同品類產品的高科技初創公司,并在該領域處于先進的地位。凌存科技取得技術原始、核心專利授權20項,涵蓋材料、器件、工藝與電路等全套技術。此外,公司已申請國家發明專利15項。目前,凌存科技已經完成涵蓋8英寸和12英寸多種技術節點的流片,性能指標處于先進地位。 公司擁有一支國際化團隊,成員來自中國大陸,美國,中國臺灣,日本等地。公司研發人員占比超70%。凌存科技將助力我國突破“卡脖子”技術,旨在開發出世界上高速度、高容量、低成本和低功耗的第三代磁存儲芯片---電壓控制磁存儲器(MeRAM)芯片,磁性真隨機數發生器芯片。