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校準的基本要求校準應滿足的基本要求如下：1.環境條件校準如在檢定(校準)室進行，則環境條件應滿足實驗室要求的溫度、濕度等規定。校準如在現場進行，則環境條件以能滿足儀表現場使用的條件為準。2.儀器作為校準用的標準儀器其誤差限應是被校表誤差限的1/3~1/10。3...

在拍攝廣闊的大場面時，攝影者一般都依靠廣角鏡頭焦距短，表現的景物景深長的特點，將從近到遠的整個景物都納入清晰表現的范圍。此外，用廣角鏡頭拍攝時，如果同時采用較小的光圈，則景物的景深就會變得更長。例如，攝影者用一個28毫米的廣角鏡頭拍攝，焦點對在約3米左右的被攝...

半導體器件和集成電路對光刻曝光技術提出了越來越高的要求，在單位面積上要求完善傳遞圖像的信息量已接近常規光學的極限。光刻曝光的常用波長是3650～4358 埃，預計實用分辨率約為1微米。幾何光學的原理，允許將波長向下延伸至約2000埃的遠紫外波長，此時可達到的實...

2006年時，萊特完成了他相信幾乎正確的復制品。萊特和安提基特拉機械研究計劃成員仍同時進行安提基特拉機械的研究。萊特稍微修改他的模型，引進了計劃團隊建議的針狀和槽狀嚙合齒輪，這更精確模擬了月球的角速度異常變化。2007年3月6日他在希臘的雅典國家考古博物館展示...

兩種工藝常規光刻技術是采用波長為2000～4500埃的紫外光作為圖像信息載體，以光致抗蝕劑為中間（圖像記錄）媒介實現圖形的變換、轉移和處理，**終把圖像信息傳遞到晶片(主要指硅片)或介質層上的一種工藝。在廣義上，它包括光復印和刻蝕工藝兩個主要方面。①光復印工藝...

33、固定板固定板是固定凸模的板狀零件。34、固定卸料板固定卸料板是固定在沖模上位置不動的卸料板。(參閱“卸料板”)。35、固定擋料銷（板）固定擋料銷（板）是在模具內固定不動的擋料銷（板）。(參閱“擋料銷（板）”)。36、卸件器卸件器是從凸模外表面卸脫工（序）...

按接口C型鏡頭法蘭焦距是安裝法蘭到入射鏡頭平行光的匯聚點之間的距離。法蘭焦距為17.526mm或0.690in。安裝羅紋為：直徑1in，32牙.in。鏡頭可以用在長度為0.512in (13mm)以內的線陣傳感器。但是，由于幾何變形和市場角特性，必須鑒別短焦鏡...

01:50光刻機為什么難造？看看他的黑科技！提高光刻技術分辨率的傳統方法是增大鏡頭的NA或縮 短 波 長，通 常 首 先 采 用 的 方 法 是 縮 短 波長。早在80年代，極紫外光刻技術就已經開始理論的研究和初步的實 驗，該技術 的光源是波 長 為11～14...

對于新影像的進一步研究促使萊特提出新看法。首先他將普萊斯的模式進一步發展，認為該儀器相當于一個天象儀。萊特的天象儀不只可模擬日月運動，還可顯示內側行星（水星和金星）和外側行星（火星、木星和土星）的運動。萊特提出該機械的日月運動是基于喜帕恰斯的理論，五顆古典行星...

廣角鏡頭是一種焦距短于標準鏡頭、視角大于標準鏡頭、焦距長于魚眼鏡頭、視角小于魚眼鏡頭的攝影鏡頭。廣角鏡頭又分為普通廣角鏡頭和超廣角鏡頭兩種。普通廣角鏡頭的焦距一般為38－24毫米，視角為60－84度；超廣角鏡頭的焦距為20－13毫米，視角為94-118度。由于...

光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液體。在光刻工藝過程中，用作抗腐蝕涂層材料。半導體材料在表面加工時...

2024年9月工信部發布的技術指標顯示，國產浸沒式光刻機已實現：1.套刻精度≤8nm [1]2.滿足28nm制程需求 [1]3.具備多重曝光技術適配能力研發過程中需突破：超純水循環系統的納米級污染控制高速掃描下的液體湍流抑制光路折射率穩定性維持林本堅團隊在浸液...

光刻系統是一種用于半導體器件制造的精密科學儀器，是制備高性能光電子和微電子器件不可或缺的**工藝設備 [1] [6-7]。其技術發展歷經紫外（UV）、深紫外（DUV）到極紫外（EUV）階段，推動集成電路制程不斷進步 [3] [6]。當前**的EUV光刻系統已實...

選購廣角數碼相機時除了要注意相機的整體性能外，還需要著重考察其鏡頭表現。鏡頭畸變情況是我們首先需要考慮的因素。一般來說廣角下拍攝更容易產生畸變，但不同的相機所拍攝的照片變形的程度也不同，總體而言畸變越輕微越好。其次也要注意畫面的解析度，由于受到成本的限制，數碼...

其主要成像原理是光波波長為10～14nm的極端遠紫外光波經過周期性多層膜反射鏡投射到反射式掩模版上，通過反射式掩模版反射出的極紫外光波再通過由多面反射鏡組成的縮小投影系統，將反射式掩模版上的集成電路幾何圖形投影成像到硅片表面的光刻膠中，形成集成電路制造所需要的...

介紹04:54新型DUV光刻機公布，套刻精度達8納米！與全球前列設備差多少？直接分步重復曝光系統 (DSW) 超大規模集成電路需要有高分辨率、高套刻精度和大直徑晶片加工。直接分步重復曝光系統是為適應這些相互制約的要求而發展起來的光學曝光系統。主要技術特點是：...

安提基特拉機械以其小型化和其部分裝置的復雜性可與19世紀機械鐘表相比而聞名。它有超過30個齒輪，雖然麥可·萊特認為它可多達72個有正三角形齒的齒輪。當借由一個曲柄輸入一個日期，該機械就可算出日月或行星等其他天**置。因為該機械是以地球表面觀測天球者為參考座標，...

能使前后被攝物產生壓縮感。遠攝鏡頭的另一個***的效果是將遠處被攝體“拉近”，從而使前后被攝物產生被壓縮的感覺。在一些重大體育賽事中，成群的攝影記者往往架起大炮般的遠攝鏡頭拍攝馬拉松賽跑起跑時運動員重重疊疊的場景，這是因為在這種場合中，攝影者依賴遠攝鏡頭遠離被...

前方的轉盤可能至少有三個指針，***個指針指示日期，另外兩個則分別指示太陽和月球位置。月球的指針已被調整過**月球軌道的變化，因此相信太陽的指針也有過類似的調整，但相關機制的齒輪（如有）已經不存。前方轉盤的第二個功能則是有一個月球的球形，做為月相指示。該機械上...

01:50光刻機為什么難造？看看他的黑科技！提高光刻技術分辨率的傳統方法是增大鏡頭的NA或縮 短 波 長，通 常 首 先 采 用 的 方 法 是 縮 短 波長。早在80年代，極紫外光刻技術就已經開始理論的研究和初步的實 驗，該技術 的光源是波 長 為11～14...

光學鏡頭是機器視覺系統中必不可少的部件，直接影響成像質量的優劣，影響算法的實現和效果。光學鏡頭從焦距上可分為短焦鏡頭、中焦鏡頭，長焦鏡頭；從視場大小分為廣角、標準，遠攝鏡頭；從結構上分為固定光圈定焦鏡頭，手動光圈定焦鏡頭，自動光圈定焦鏡頭，手動變焦鏡頭、自動變...

得指出的是，EUV光刻技術的研發始于20世紀80年代。**早希望在半周期為70nm的節點（對應邏輯器件130nm節點）就能用上EUV光刻機 [1]?？墒?，這一技術一直達不到晶圓廠量產光刻所需要的技術指標和產能要求。一拖再拖，直到2016年，EUV光刻機仍然沒能...

所有實際電子束曝光、顯影后圖形的邊緣要往外擴展，這就是所謂的“電子束鄰近效應。同時，半導體基片上如果有絕緣的介質膜，電子通過它時也會產生一定量的電荷積累，這些積累的電荷同樣會排斥后續曝光的電子，產生偏移，而不導電的絕緣體（如玻璃片）肯定不能采用電子束曝光。還有...

特點長焦鏡頭以適用于35毫米單鏡頭反光照相機的交換鏡頭為例，遠攝鏡頭通常是指焦距約在80至400毫米之間的攝影鏡頭。遠攝鏡頭**基本的特點是，鏡頭視角小，所以視野范圍相對狹窄；能把遠處的景物拉近，使之充滿畫面，具有“望遠”的功能，從而使景物的遠近感消失；縮短了...

長焦距鏡頭是指比標準鏡頭的焦距長的攝影鏡頭。長焦距鏡頭分為普通遠攝鏡頭和超遠攝鏡頭兩類。普通遠攝鏡頭的焦距長度接近標準鏡頭，而超遠攝鏡頭的焦距卻遠遠大于標準鏡頭。以135照相機為例，其鏡頭焦距從85毫米-300毫米的攝影鏡頭為普通遠攝鏡頭，300毫米以上的為超...

準分子光刻技術作為當前主流的光刻技術，主要包括：特征尺寸為0．1μm的248 nm KrF準分子激光技術；特征尺寸為90 nm的193 nm ArF準分子激光技術；特征尺寸為65 nm的193 nm ArF浸沒式技術（Immersion，193i）。其中193...

用廣角鏡頭拍攝的畫面。能在突出**主體和前景的同時，能有***的背景。可以在較小的環境里，拍到較多的景物，在相同的拍攝距離時，得到的景象比用標準鏡頭拍攝的要小。當拍攝較近的景物時，會產生******變形，還會使前后景物之間的距離感增大。由于它的景深長，很容易把...

后烘方法：熱板，110～130C,1分鐘。目的：a、減少駐波效應；b、激發化學增強光刻膠的PAG產生的酸與光刻膠上的保護基團發生反應并移除基團使之能溶解于顯影液。顯影方法：a、整盒硅片浸沒式顯影（Batch Development）。缺點：顯影液消耗很大；顯影...

實際上，由于液體介質的折射率相比空氣介質更接近曝光透鏡鏡片材料的折射率，等效地加大了透鏡口徑尺寸與數值孔徑（NA），同時可以 ***提高焦深（DOF）和曝光工藝的寬容度（EL），浸沒式光 刻 技 術 正 是 利 用 這 個 原 理 來 提 高 其 分 辨率。世...

安提基特拉機械，是為了計算天體在天空中的位置而設計的古希臘青銅機器，屬于模擬計算機。該機器于1900年在希臘安提基特拉島附近的安提基特拉沉船里被發現。制造年代約在西元前150年到100年之間?，F藏于希臘國家考古博物館。 [4]類似的工藝技術（天文鐘）在歐洲直到...