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入門的定焦鏡頭當(dāng)然以50為優(yōu)先。古典的三鏡組合是這樣子的：35、50、135，有了這三個(gè)鏡頭，足可應(yīng)付大多數(shù)的場(chǎng)合需要。日后若有需要，再作擴(kuò)充。定焦鏡頭另外提供幾個(gè)不同的組合給大家參考。愛拍風(fēng)景的人可以考慮的三鏡組合為24、35（用35代替50）、135。愛拍...

***，安提基特拉機(jī)械前方面板是現(xiàn)代天文年鑒的前身（Parapegma），可以設(shè)定標(biāo)記特定恒星的升起。一般認(rèn)為每顆恒星都以機(jī)械上一個(gè)希臘文字母做標(biāo)記。在機(jī)械后面上方的轉(zhuǎn)盤是螺旋形，每次旋轉(zhuǎn)分成47個(gè)部分，**19年或235個(gè)朔望月的默冬章。該循環(huán)對(duì)于歷法修正很...

機(jī)械手關(guān)節(jié)減速機(jī)是一種通過電機(jī)驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化角度調(diào)整的精密傳動(dòng)裝置，具有重復(fù)定位精度≤5秒的特點(diǎn)，適配AC伺服或步進(jìn)馬達(dá)。其穩(wěn)重承載能力和高精度特性使其廣泛應(yīng)用于精密加工機(jī)床、航太工業(yè)、半導(dǎo)體設(shè)備、印刷機(jī)械，食品包裝、自動(dòng)化產(chǎn)業(yè)、工業(yè)機(jī)器人、醫(yī)療檢驗(yàn)、精密測(cè)試...

兩種工藝常規(guī)光刻技術(shù)是采用波長(zhǎng)為2000～4500埃的紫外光作為圖像信息載體，以光致抗蝕劑為中間（圖像記錄）媒介實(shí)現(xiàn)圖形的變換、轉(zhuǎn)移和處理，**終把圖像信息傳遞到晶片(主要指硅片)或介質(zhì)層上的一種工藝。在廣義上，它包括光復(fù)印和刻蝕工藝兩個(gè)主要方面。①光復(fù)印工藝...

四是，鏡頭的焦距越長(zhǎng)，相機(jī)就必須把握得越穩(wěn)定，以避免影像模糊。經(jīng)驗(yàn)準(zhǔn)則是只有當(dāng)快門速度至少等于鏡頭焦距毫米數(shù)的倒數(shù)時(shí)才能夠手持鏡頭進(jìn)行拍攝，也稱為“安全快門”。也就是說，當(dāng)快門速度低于1/100秒時(shí)就不能手持100mm鏡頭拍攝，低于1/500秒時(shí)就不能手持50...

光學(xué)變焦是通過鏡頭、物體和焦點(diǎn)三方的位置發(fā)生變化而產(chǎn)生的。當(dāng)成像面在水平方向運(yùn)動(dòng)的時(shí)候，視覺和焦距就會(huì)發(fā)生變化，更遠(yuǎn)的景物變得更清晰，讓人感覺像物體遞進(jìn)的感覺。顯而易見，要改變視角必然有兩種辦法，一種是改變鏡頭的焦距。用攝影的話來說，這就是光學(xué)變焦。通過改變變...

安提基特拉機(jī)械以其小型化和其部分裝置的復(fù)雜性可與19世紀(jì)機(jī)械鐘表相比而聞名。它有超過30個(gè)齒輪，雖然麥可·萊特認(rèn)為它可多達(dá)72個(gè)有正三角形齒的齒輪。當(dāng)借由一個(gè)曲柄輸入一個(gè)日期，該機(jī)械就可算出日月或行星等其他天**置。因?yàn)樵摍C(jī)械是以地球表面觀測(cè)天球者為參考座標(biāo)，...

浸沒式光刻技術(shù)所面臨的挑戰(zhàn)主要有：如何解決曝光中產(chǎn)生的氣泡和污染等缺陷的問題；研發(fā)和水具有良好的兼容性且折射率大于1．8的光刻膠的問題；研發(fā)折射率較大的光學(xué)鏡頭材料和浸沒液體材料；以 及 有 效 數(shù) 值 孔 徑NA值 的 拓 展 等 問題。針 對(duì) 這 些 難 ...

特點(diǎn)長(zhǎng)焦鏡頭以適用于35毫米單鏡頭反光照相機(jī)的交換鏡頭為例，遠(yuǎn)攝鏡頭通常是指焦距約在80至400毫米之間的攝影鏡頭。遠(yuǎn)攝鏡頭**基本的特點(diǎn)是，鏡頭視角小，所以視野范圍相對(duì)狹窄；能把遠(yuǎn)處的景物拉近，使之充滿畫面，具有“望遠(yuǎn)”的功能，從而使景物的遠(yuǎn)近感消失；縮短了...

28、頂板頂板是在凹模或模塊內(nèi)活動(dòng)的板狀零件，以向上動(dòng)作直接或間接頂出工（序）件或廢料。29、齒圈齒圈是精沖凹模或帶齒壓料板上的成圈齒形突起，是凹模或帶齒壓料板的局部結(jié)構(gòu)而不是單獨(dú)的零件。30、限位套限位套是用于限制沖模**小閉合高度的管狀零件，一般套于導(dǎo)柱外...

EUV光刻系統(tǒng)的發(fā)展歷經(jīng)應(yīng)用基礎(chǔ)研究至量產(chǎn)四個(gè)階段，其突破得益于多元主體協(xié)同創(chuàng)新和全產(chǎn)業(yè)鏈資源整合 [3]。截至2024年12月，EUV技術(shù)已應(yīng)用于2nm芯片量產(chǎn)，但仍需優(yōu)化光源和光刻膠性能。下一代技術(shù)如納米壓印和定向自組裝正在研發(fā)中 [6]。**光刻系統(tǒng)主要...

電子束光刻基本上分兩大類，一類是大生產(chǎn)光掩模版制造的電子束曝光系統(tǒng)，另一類是直接在基片上直寫納米級(jí)圖形的電子束光刻系統(tǒng)。電子束光刻技術(shù)起源于掃描電鏡，**早由德意志聯(lián)邦共和國(guó)杜平根大學(xué)的G．Mollenstedt等人在20世紀(jì)60年代提出。電子束曝光的波長(zhǎng)取決...

c、水坑（旋覆浸沒）式顯影（Puddle Development）。噴覆足夠（不能太多，**小化背面濕度）的顯影液到硅片表面，并形成水坑形狀（顯影液的流動(dòng)保持較低，以減少邊緣顯影速率的變化）。硅片固定或慢慢旋轉(zhuǎn)。一般采用多次旋覆顯影液：***次涂覆、保持10～...

2、廣角鏡頭使用遮光罩或?yàn)V色鏡時(shí)，很容易遮擋鏡頭視角的周圍，使像場(chǎng)發(fā)暗，而這一情況，在取景時(shí)不容易察覺，但在照片上卻很明顯。因此，運(yùn)用附件時(shí)， 一定要從說明書上了解清楚它們的使用范圍。如果說明書中沒有說明，拍攝時(shí)就要加倍小心。3、電子閃光燈閃光涵蓋角一般與13...

EUV光刻采用波長(zhǎng)為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長(zhǎng)一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術(shù)擴(kuò)展到32nm以下的特征尺寸。根據(jù)瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），這么短的波長(zhǎng)可以提供極高的光刻分辨率。換個(gè)角度講，使用193i與EUV光刻機(jī)曝同一個(gè)...

b、堅(jiān)膜，以提高光刻膠在離子注入或刻蝕中保護(hù)下表面的能力；c、進(jìn)一步增強(qiáng)光刻膠與硅片表面之間的黏附性；d、進(jìn)一步減少駐波效應(yīng)（Standing Wave Effect）。常見問題：a、烘烤不足（Underbake）。減弱光刻膠的強(qiáng)度（抗刻蝕能力和離子注入中的阻...

使用長(zhǎng)焦距鏡頭拍攝具有以下幾個(gè)方面的特點(diǎn)：一是視角小。所以，拍攝的景物空間范圍也小，在相同的拍攝距離處，所拍攝的影像大于標(biāo)準(zhǔn)鏡頭，適用于拍攝遠(yuǎn)處景物的細(xì)部和拍攝不易接近的被攝體。二是景深短。所以，能使處于雜亂環(huán)境中的被攝主體得到突出。但給精確調(diào)焦帶來了一定的困...

38、卸料螺釘卸料螺釘是固定在彈壓卸料板上的螺釘，用于限制彈壓卸料板的靜止位置。39、單工序模單工序模是在壓力機(jī)一次行程中只完成一道工序的沖模。40、廢料切刀廢料切刀有兩種。1．裝于拉深件凸緣切邊模上用于割斷整圈切邊廢料以利***的切刀。2．裝于壓力機(jī)或模具上...

安提基特拉機(jī)械，是為了計(jì)算天體在天空中的位置而設(shè)計(jì)的古希臘青銅機(jī)器，屬于模擬計(jì)算機(jī)。該機(jī)器于1900年在希臘安提基特拉島附近的安提基特拉沉船里被發(fā)現(xiàn)。制造年代約在西元前150年到100年之間。現(xiàn)藏于希臘國(guó)家考古博物館。 [4]類似的工藝技術(shù)（天文鐘）在歐洲直到...

對(duì)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)方法：a、預(yù)對(duì)準(zhǔn)，通過硅片上的notch或者flat進(jìn)行激光自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)；b、通過對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志（Align Mark），位于切割槽（Scribe Line）上。另外層間對(duì)準(zhǔn)，即套刻精度（Overlay），保證圖形與硅片上已經(jīng)存在的圖形之間的對(duì)準(zhǔn)。曝光曝光中**...

CS型鏡頭With a 5 mm adapter ring, a C lens can be used on a CS-mount camera.U型鏡頭一種可變焦距的鏡頭，其法蘭焦距為47.526mm或1.7913in，安裝羅紋為M42×1。主要設(shè)計(jì)作35m...

● 儀表盤面為MPa刻度值直接讀取● 精度等級(jí)0.25% 0.4%● 雙層鏡面表盤● 設(shè)有度盤調(diào)零裝置● 鐵噴塑表殼● 銅合金內(nèi)機(jī)部件● 測(cè)量范圍-0.1至60MPa 外型尺寸示意圖精密壓力表的測(cè)量范圍分類：1.微壓表（指儀表測(cè)量上限值小于0.1MPa的儀表）...

使用長(zhǎng)焦距鏡頭拍攝具有以下幾個(gè)方面的特點(diǎn)： [3]視角小所以，拍攝的景物空間范圍也小，在相同的拍攝距離處，所拍攝的影像大于標(biāo)準(zhǔn)鏡頭，適用于拍攝遠(yuǎn)處景物的細(xì)部和拍攝不易接近的被攝體 [3]。景深短所以，能使處于雜亂環(huán)境中的被攝主體得到突出。但給精確調(diào) 焦帶來了一...

集成電路制造中利用光學(xué)- 化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術(shù)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個(gè)數(shù)量級(jí)（從毫米級(jí)到亞微米級(jí)），已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、...

英特爾高級(jí)研究員兼技術(shù)和制造部先進(jìn)光刻技術(shù)總監(jiān)YanBorodovsky在去年說過“針對(duì)未來的IC設(shè)計(jì)，我認(rèn)為正確的方向是具有互補(bǔ)性的光刻技術(shù)。193納米光刻是當(dāng)前能力**強(qiáng)且**成熟的技術(shù)，能夠滿足精確度和成本要求，但缺點(diǎn)是分辨率低。利用一種新技術(shù)作為193...

光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。是對(duì)半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進(jìn)行開孔，以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測(cè)等工序。硅片清洗烘干方...

22、壓料檻壓料檻是斷面呈矩形的壓料筋特稱。參閱“壓料筋”。23、承料板承料板是用于接長(zhǎng)凹模上平面，承托沖壓材料的板狀零件。24、連續(xù)模連續(xù)模是具有兩個(gè)或更多工位的沖模，材料隨壓力機(jī)行程逐次送進(jìn)一工位，從而使沖件逐步成形。25、側(cè)刃側(cè)刃是在條（帶、卷）料側(cè)面切...

光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。是對(duì)半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進(jìn)行開孔，以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測(cè)等工序。硅片清洗烘干方...

目前，安提基特拉機(jī)械已被基本復(fù)原。 [5]以下是托尼·弗里思研究團(tuán)隊(duì)的***復(fù)原成果。安提基特拉裝置的制作者無論使用什么周期數(shù)據(jù)，都需要遵循三個(gè)標(biāo)準(zhǔn)：精確性、可分解性與經(jīng)濟(jì)性。簡(jiǎn)省且高效，是安提基特拉裝置齒輪傳動(dòng)系統(tǒng)的一個(gè)關(guān)鍵特征。新的行星周期數(shù)據(jù)可以納入齒輪...

自動(dòng)精密沖床是一種用于金屬?zèng)_壓成型的工業(yè)設(shè)備，主要應(yīng)用于汽車、電子、五金制造等領(lǐng)域，可適配自動(dòng)化送料系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)高效生產(chǎn)。其機(jī)身采用鋼板焊接結(jié)構(gòu)并經(jīng)過熱處理，具有高剛性和穩(wěn)定性。設(shè)備**部件包含曲軸、齒輪軸等硬化研磨組件，結(jié)合重心平衡設(shè)計(jì)保障沖壓精度。配置雙聯(lián)電磁...