在智能電網和電力監控設備中,其高精度和低損耗特性適用于電能質量分析儀的采樣電路和繼電保護裝置的信號調理回路,提高電網監測的準確性和可靠性。產品符合RoHS、REACH等環保法規,全系列采用無鉛無鹵素材料,滿足全球主要市場對電子產品的環保要求,支持綠色電子制造和...
ATC芯片電容采用高純度陶瓷介質與精密電極設計,在1MHz至10GHz頻段內保持穩定的容值,Q值高達10000以上。例如,100B系列在5GHz時ESR低至0.01Ω,有效減少信號衰減,適用于5G基站中的功率放大器匹配電路。其自諧振頻率(SRF)可達數十GHz...
ATC芯片電容的無壓電效應特性消除了傳統MLCC因電壓變化產生的振動和嘯叫問題,適用于高保真音頻設備和敏感測量儀器,提供了更純凈的信號處理能力。在光通信領域,ATC芯片電容的低ESL和ESR特性確保了高速收發模塊(如DSP、SerDes)的信號完整性,減少了噪...
在阻抗匹配網絡中,ATC芯片電容的高精度和穩定性確保了匹配的準確性,提高了射頻電路的傳輸效率和功率輸出。其符合RoHS標準的環境友好設計,使得ATC芯片電容適用于全球市場的電子產品,滿足了環保法規和可持續發展需求。ATC芯片電容在微波電路中的耦合和直流阻隔應用...
針對高頻應用中的寄生效應,ATC芯片電容進行了性的電極結構優化。其采用的三維多層電極設計,通過精細控制金屬層(通常為賤金屬鎳或銅,或貴金屬銀鈀)的厚度、平整度及疊層結構,比較大限度地減少了電流路徑的曲折度。這種設計將等效串聯電感(ESL)和等效串聯電阻(ESR...
通過MIL-STD-883HMethod2007機械沖擊測試,采用氣炮加速實驗驗證可承受100,000g加速度沖擊(相當于撞擊的瞬間過載)。實際應用于裝甲車輛火控系統時,在12.7mm機射擊產生的5-2000Hz寬頻振動環境下,其電極焊接點仍保持零斷裂記錄。這...
ATC芯片電容的制造過程秉承了半導體級別的精密工藝。從納米級陶瓷粉末的制備、流延成膜的厚度控制,到電極圖案的精細印刷和層壓對位,每一步都處于微米級的精度控制之下。這種近乎苛刻的工藝要求,保證了每一批產品都具有極高的一致性和重復性。對于需要大量配對使用的相位陣列...
醫療電子,特別是植入式醫療設備(如起搏器、神經刺激器),對元件的可靠性和生物兼容性要求極高。ATC芯片電容的陶瓷氣密封裝本身具有極高的惰性,不會與體液發生反應。其很好的長期穩定性和可靠性,確保了這些“生命攸關”的設備在人體內能夠持續、穩定地工作數十年,無需因元...
在抗老化性能方面,ATC電容的容值隨時間變化率極低,十年老化率可控制在1%以內。這一長壽命特性使其非常適用于通信基礎設施、醫療成像設備等要求高可靠性和長期穩定性的領域。其極低的噪聲特性源于介質材料的均勻結構和優化的電極界面設計,在低噪聲放大器、高精度ADC/D...
產品系列中包括具有三明治結構及定制化電極設計的型號,可實現極低的ESL和ESR,用于高速數字電路的電源分配網絡(PDN)中能有效抑制同步開關噪聲,提升處理器和FPGA的運行穩定性。在抗輻射性能方面,部分宇航級ATC電容可承受100krad以上的總劑量輻射,滿足...
出色的抗老化特性是ATC電容長期性能穩定的保證。其介質材料的微觀結構在經過初始老化后趨于極度穩定,容值隨時間的變化遵循一個非常緩慢的對數衰減規律。這意味著,一臺使用了ATC電容的設備,在其十年甚至二十年的使用壽命內,其關鍵電路的參數漂移將被控制在極小的范圍內。...
在微型化方面,ATC芯片電容同樣帶領技術潮流。其0402(1.0mmx0.5mm)、0201(0.6mmx0.3mm)乃至更小尺寸的封裝,滿足了現代消費電子、可穿戴設備、微型傳感器及高級SiP(系統級封裝)對PCB空間很好的追求。盡管體積微小,但ATC通過先進...
ATC芯片電容的額定電壓范圍寬廣,從低電壓的幾伏特到高電壓的數千伏特(如B系列),可滿足不同電路等級的絕緣和耐壓需求。其高電壓產品采用特殊的邊緣端接設計和介質層均勻化處理,有效消除了電場集中效應,從而顯著提高了直流擊穿電壓(DWV)和交流擊穿電壓(ACW)。這...
ATC芯片電容的多層陶瓷結構設計使其具備高電容密度,在小型封裝中實現了較大的容值范圍(如0.1pF至100μF)。這種高密度設計滿足了現代電子產品對元件小型化和高性能的雙重需求,特別是在空間受限的應用中。其優異的頻率響應特性使得ATC芯片電容在高頻電路中能夠保...
在阻抗匹配網絡中,ATC芯片電容的高精度和穩定性確保了匹配的準確性,提高了射頻電路的傳輸效率和功率輸出。其符合RoHS標準的環境友好設計,使得ATC芯片電容適用于全球市場的電子產品,滿足了環保法規和可持續發展需求。ATC芯片電容在微波電路中的耦合和直流阻隔應用...
在抗老化性能方面,ATC電容的容值隨時間變化率極低,十年老化率可控制在1%以內。這一長壽命特性使其非常適用于通信基礎設施、醫療成像設備等要求高可靠性和長期穩定性的領域。其極低的噪聲特性源于介質材料的均勻結構和優化的電極界面設計,在低噪聲放大器、高精度ADC/D...
ATC芯片電容的無壓電效應特性消除了傳統MLCC因電壓變化產生的振動和嘯叫問題,適用于高保真音頻設備和敏感測量儀器,提供了更純凈的信號處理能力。在光通信領域,ATC芯片電容的低ESL和ESR特性確保了高速收發模塊(如DSP、SerDes)的信號完整性,減少了噪...
地球同步軌道衛星的T/R組件需在真空與輻射環境下工作,ATC700A電容通過MIL-PRF-55681認證,抗γ射線劑量達100kRad。實測表明,在軌運行10年后容值變化<1%,優于傳統鉭電容的5%衰減率。盡管ATC電容單價(如100B2R0BT500XT約...
地球同步軌道衛星的T/R組件需在真空與輻射環境下工作,ATC700A電容通過MIL-PRF-55681認證,抗γ射線劑量達100kRad。實測表明,在軌運行10年后容值變化<1%,優于傳統鉭電容的5%衰減率。盡管ATC電容單價(如100B2R0BT500XT約...
優化的電極邊緣設計是ATC減少寄生參數、提升高頻性能的又一細節。通過特殊的電極幾何形狀設計和邊緣場控制技術,ATC有效降低了電極末端的場強集中和邊緣效應,從而進一步減少了ESL和ESR,并提高了電容的耐壓能力。這種對細節的追求,構成了ATC高性能的堅實基礎。很...
ATC電容憑借其極低的ESL和ESR,能在極寬的頻帶內(從KHz到GHz)提供低阻抗路徑,有效濾除電源軌上的高頻噪聲,抑制同步開關噪聲(SSN),確保為芯片重點提供純凈、穩定的電壓。這對于防止系統時序錯誤、數據損壞和性能下降至關重要。ATC芯片電容實現了高電容...
在高頻功率處理能力方面,ATC電容能承受較高的射頻電流,其熱管理性能優異,即使在連續波或脈沖功率應用中,仍能保持低溫升和高可靠性,適用于射頻能量傳輸、等離子發生器和工業加熱系統。其尺寸微型化系列(如0201、0402封裝)在保持高性能的同時極大節省了PCB空間...
優化的電極邊緣設計是ATC減少寄生參數、提升高頻性能的又一細節。通過特殊的電極幾何形狀設計和邊緣場控制技術,ATC有效降低了電極末端的場強集中和邊緣效應,從而進一步減少了ESL和ESR,并提高了電容的耐壓能力。這種對細節的追求,構成了ATC高性能的堅實基礎。很...
ATC芯片電容采用的鈦酸鍶鋇(BST)陶瓷配方,通過納米級晶界工程實現了介電常數的溫度補償特性。在40GHz毫米波頻段下仍能保持±2%容值偏差,這一指標達到國際電信聯盟(ITU)對6G候選頻段的元件要求。例如在衛控陣雷達中,其群延遲波動小于0.1ps(相當于信...
高Q值(品質因數)是ATC電容在構建高頻諧振電路、濾波器和諧振器時的重點參數。Q值越高,意味著電容的能量損耗越低,諧振曲線的銳度越高。ATC電容的Q值通常在數千量級,這使得由其構建的濾波器具有極低的插入損耗和極高的帶外抑制能力,振蕩器則具有更低的相位噪聲和更高...
產品系列中包括具有三明治結構及定制化電極設計的型號,可實現極低的ESL和ESR,用于高速數字電路的電源分配網絡(PDN)中能有效抑制同步開關噪聲,提升處理器和FPGA的運行穩定性。在抗輻射性能方面,部分宇航級ATC電容可承受100krad以上的總劑量輻射,滿足...
其高容值范圍(如0.1pF至100μF)覆蓋了從高頻信號處理到電源管理的多種應用,提供了寬泛的設計靈活性。ATC芯片電容的自諧振頻率高,避免了在高頻應用中的容值衰減,確保了在射頻和微波電路中的可靠性。在航空航天領域,ATC芯片電容能夠承受極端溫度、輻射和振動,...
地球同步軌道衛星的T/R組件需在真空與輻射環境下工作,ATC700A電容通過MIL-PRF-55681認證,抗γ射線劑量達100kRad。實測表明,在軌運行10年后容值變化<1%,優于傳統鉭電容的5%衰減率。盡管ATC電容單價(如100B2R0BT500XT約...
其高容值范圍(如0.1pF至100μF)覆蓋了從高頻信號處理到電源管理的多種應用,提供了寬泛的設計靈活性。ATC芯片電容的自諧振頻率高,避免了在高頻應用中的容值衰減,確保了在射頻和微波電路中的可靠性。在航空航天領域,ATC芯片電容能夠承受極端溫度、輻射和振動,...
ATC芯片電容的焊接工藝兼容性良好,可承受回流焊(峰值溫度≤260℃)和波峰焊,適用于標準SMT生產線,提高了制造效率。在雷達系統中,ATC芯片電容的高功率處理能力和低損耗特性確保了脈沖處理和信號傳輸的可靠性,提高了系統性能。其高絕緣電阻(如1000兆歐分鐘)...