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  • 800A130GT250X
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    優(yōu)化的電極邊緣設計是ATC減少寄生參數(shù)、提升高頻性能的又一細節(jié)。通過特殊的電極幾何形狀設計和邊緣場控制技術,ATC有效降低了電極末端的場強集中和邊緣效應,從而進一步減少了ESL和ESR,并提高了電容的耐壓能力。這種對細節(jié)的追求,構成了ATC高性能的堅實基礎。很...

    2025-11-15
  • CDR13BG561BGSM
    CDR13BG561BGSM

    優(yōu)異的直流偏壓特性表現(xiàn)為容值對施加直流電壓的極低敏感性。普通高介電常數(shù)電容(如X7R)在直流偏壓下容值會大幅下降(可達50%甚至更多),而ATC的C0G電容容值變化通常小于5%。這一特性對于開關電源的輸出濾波電容(其工作于直流偏壓狀態(tài))至關重要,它確保了電源環(huán)...

    2025-11-15
  • 600F4R7CT250XT
    600F4R7CT250XT

    在高頻微波電路中,ATC電容可用于實現(xiàn)低插損的直流阻斷、阻抗變換和射頻耦合功能,其性能穩(wěn)定性明顯優(yōu)于分立傳輸線結構,有助于簡化電路設計并提高系統(tǒng)一致性。在電力電子領域,其高絕緣電阻(通常超過10GΩ)和低泄漏電流特性,使ATC電容適用于電能計量芯片的參考電容、...

    2025-11-15
  • CDR14BG130EGSM
    CDR14BG130EGSM

    ATC芯片電容的制造工藝采用了深槽刻蝕和薄膜沉積等半導體技術,實現(xiàn)了三維微結構和高純度電介質層,提供了很好的電氣性能和可靠性。在高溫應用中,ATC芯片電容能夠穩(wěn)定工作于高達+250℃的環(huán)境,滿足了汽車電子和工業(yè)控制中的高溫需求,避免了因過熱導致的性能退化或失效...

    2025-11-15
  • 100E201MW3600X
    100E201MW3600X

    在脈沖應用場景中,ATC電容具有極快的充放電速度和低等效串聯(lián)電阻,可有效抑制電壓尖峰和電流浪涌,為激光驅動器、雷達調制器和電磁發(fā)射裝置提供穩(wěn)定的能量存儲和釋放功能。其介質材料具有極低的電介質吸收率(通常低于0.1%),在采樣保持電路、積分器和精密模擬計算電路中...

    2025-11-15
  • 700A2R0BW150XT
    700A2R0BW150XT

    該類電容具有較好的抗直流偏壓特性,即使在較高直流電壓疊加情況下,電容值仍保持高度穩(wěn)定。這一性能使其特別適用于電源去耦、DC-DC轉換器輸出濾波及新能源車電控系統(tǒng)中的直流鏈路電容,有效避免了因電壓波動引發(fā)的系統(tǒng)性能退化。憑借半導體級制造工藝和精密電極成型技術,A...

    2025-11-15
  • CDR11AP301KJNM
    CDR11AP301KJNM

    其材料系統(tǒng)和制造工藝確保產品具有高度的一致性,批次間容值分布集中,便于自動化生產中的貼裝和調測,減少在線調整工序,提高大規(guī)模生產效率。在射頻識別(RFID)系統(tǒng)中,ATC電容用于標簽天線匹配和讀寫器濾波電路,其高Q值和穩(wěn)定的溫度特性可提高讀取距離和抗環(huán)境干擾能...

    2025-11-15
  • 600F2R7DT250XT
    600F2R7DT250XT

    ATC芯片電容的容值穩(wěn)定性是其另一大優(yōu)勢。相比于傳統(tǒng)MLCC(多層陶瓷電容),其容值隨溫度、偏壓和老化特性的漂移極小,通常不到MLCC的1/10。這得益于其采用的特殊材料(如C0G/NP0介質)和半導體級工藝,使得電容在不同溫度和頻率下容值變化微小,提供了極高...

    2025-11-14
  • 100C1R6DW2500X
    100C1R6DW2500X

    ATC芯片電容的耐壓能力非常突出,能夠承受較高的工作電壓(如200VDC或更高),確保電路的安全運行。其介質材料和結構設計經過優(yōu)化,提供了高擊穿電壓和低泄漏電流,避免了在高電壓應用中的失效風險。這種高耐壓特性使得它在電源管理、工業(yè)控制和汽車電子等領域中成為理想...

    2025-11-14
  • CDR14BG102AGSM
    CDR14BG102AGSM

    ATC芯片電容的容值穩(wěn)定性堪稱行業(yè)很好,其對于溫度、時間、電壓三大變量的敏感性被控制在極低水平。其C0G(NP0)介質的電容溫度系數(shù)(TCC)低至0±30ppm/°C,在-55°C至+125°C的全溫范圍內,容值變化率通常小于±0.5%。同時,其容值隨時間的老...

    2025-11-14
  • 600F620KT250XT
    600F620KT250XT

    ATC芯片電容的可靠性經過嚴格測試和驗證,包括壽命測試、熱沖擊、防潮性等多項環(huán)境試驗。例如,其可承受MIL-STD-202方法107的熱沖擊試驗和方法106的防潮試驗,確保了在惡劣環(huán)境下的長期穩(wěn)定性。這種高可靠性使得它在、航空航天和醫(yī)療設備等關鍵領域中得到***...

    2025-11-14
  • CDR13BP241CJSM
    CDR13BP241CJSM

    ATC芯片電容的容值穩(wěn)定性是其另一大優(yōu)勢。相比于傳統(tǒng)MLCC(多層陶瓷電容),其容值隨溫度、偏壓和老化特性的漂移極小,通常不到MLCC的1/10。這得益于其采用的特殊材料(如C0G/NP0介質)和半導體級工藝,使得電容在不同溫度和頻率下容值變化微小,提供了極高...

    2025-11-14
  • 118DCC1R8D100TT
    118DCC1R8D100TT

    在高頻功率處理能力方面,ATC電容能承受較高的射頻電流,其熱管理性能優(yōu)異,即使在連續(xù)波或脈沖功率應用中,仍能保持低溫升和高可靠性,適用于射頻能量傳輸、等離子發(fā)生器和工業(yè)加熱系統(tǒng)。其尺寸微型化系列(如0201、0402封裝)在保持高性能的同時極大節(jié)省了PCB空間...

    2025-11-14
  • 116XDB100J100TT
    116XDB100J100TT

    在汽車電子領域,ATC芯片符合AEC-Q200Rev-D標準,能夠承受汽車環(huán)境的嚴苛要求,如高溫、高濕和振動。其應用于發(fā)動機ECU電源濾波、車載信息娛樂系統(tǒng)和ADAS等領域,提供了高可靠性和長壽命。ATC芯片電容的抗老化特性優(yōu)異,其容值隨時間變化極小(如每十小...

    2025-11-14
  • 100E241GW3600X
    100E241GW3600X

    這使得它們能夠被直接安裝在汽車發(fā)動機控制單元(ECU)、渦輪增壓器附近、剎車系統(tǒng)或航空航天設備的熱敏感區(qū)域,無需復雜的冷卻系統(tǒng),簡化了設計并提高了系統(tǒng)的整體可靠性。其高溫下的低損耗特性,對于保證高溫環(huán)境下的電路效率尤為重要。極低的損耗角正切值(Dissipat...

    2025-11-14
  • 600F360JT250T
    600F360JT250T

    在高頻功率處理能力方面,ATC電容能承受較高的射頻電流,其熱管理性能優(yōu)異,即使在連續(xù)波或脈沖功率應用中,仍能保持低溫升和高可靠性,適用于射頻能量傳輸、等離子發(fā)生器和工業(yè)加熱系統(tǒng)。其尺寸微型化系列(如0201、0402封裝)在保持高性能的同時極大節(jié)省了PCB空間...

    2025-11-14
  • 116XJ470K100TT
    116XJ470K100TT

    高自諧振頻率(SRF)是ATC電容適用于現(xiàn)代高速電路的前提。由于其極低的寄生電感,其SRF可達數(shù)十GHz。這意味著在當今主流的高速數(shù)字和射頻電路工作頻段內,ATC電容仍然表現(xiàn)為一個純電容,發(fā)揮著預期的去耦、濾波作用,而不會因進入感性區(qū)域而失效,這是普通電容無法...

    2025-11-14
  • 116YGA122K100TT
    116YGA122K100TT

    高自諧振頻率(SRF)是ATC電容適用于現(xiàn)代高速電路的前提。由于其極低的寄生電感,其SRF可達數(shù)十GHz。這意味著在當今主流的高速數(shù)字和射頻電路工作頻段內,ATC電容仍然表現(xiàn)為一個純電容,發(fā)揮著預期的去耦、濾波作用,而不會因進入感性區(qū)域而失效,這是普通電容無法...

    2025-11-14
  • 800B1R1DT500X
    800B1R1DT500X

    針對高頻應用中的寄生效應,ATC芯片電容進行了性的電極結構優(yōu)化。其采用的三維多層電極設計,通過精細控制金屬層(通常為賤金屬鎳或銅,或貴金屬銀鈀)的厚度、平整度及疊層結構,比較大限度地減少了電流路徑的曲折度。這種設計將等效串聯(lián)電感(ESL)和等效串聯(lián)電阻(ESR...

    2025-11-14
  • 800B2R0BT500XT
    800B2R0BT500XT

    ATC芯片電容采用的鈦酸鍶鋇(BST)陶瓷配方,通過納米級晶界工程實現(xiàn)了介電常數(shù)的溫度補償特性。在40GHz毫米波頻段下仍能保持±2%容值偏差,這一指標達到國際電信聯(lián)盟(ITU)對6G候選頻段的元件要求。例如在衛(wèi)控陣雷達中,其群延遲波動小于0.1ps(相當于信...

    2025-11-14
  • CDR11AP820KJNM
    CDR11AP820KJNM

    ATC芯片電容采用的鈦酸鍶鋇(BST)陶瓷配方,通過納米級晶界工程實現(xiàn)了介電常數(shù)的溫度補償特性。在40GHz毫米波頻段下仍能保持±2%容值偏差,這一指標達到國際電信聯(lián)盟(ITU)對6G候選頻段的元件要求。例如在衛(wèi)控陣雷達中,其群延遲波動小于0.1ps(相當于信...

    2025-11-14
  • 100C200GW2500X
    100C200GW2500X

    ATC芯片電容的可靠性經過嚴格測試和驗證,包括壽命測試、熱沖擊、防潮性等多項環(huán)境試驗。例如,其可承受MIL-STD-202方法107的熱沖擊試驗和方法106的防潮試驗,確保了在惡劣環(huán)境下的長期穩(wěn)定性。這種高可靠性使得它在、航空航天和醫(yī)療設備等關鍵領域中得到***...

    2025-11-14
  • 100B0R5CP500XT
    100B0R5CP500XT

    該類電容具有較好的抗直流偏壓特性,即使在較高直流電壓疊加情況下,電容值仍保持高度穩(wěn)定。這一性能使其特別適用于電源去耦、DC-DC轉換器輸出濾波及新能源車電控系統(tǒng)中的直流鏈路電容,有效避免了因電壓波動引發(fā)的系統(tǒng)性能退化。憑借半導體級制造工藝和精密電極成型技術,A...

    2025-11-14
  • 800B0R8DT500X
    800B0R8DT500X

    ATC芯片電容在材料科學上取得了重大突破,其采用的超精細、高純度鈦酸鹽陶瓷介質體系是很好性能的基石。這種材料不僅具備極高的介電常數(shù),允許在微小體積內實現(xiàn)更大的電容值,更重要的是,其晶體結構異常穩(wěn)定。通過精密的摻雜和燒結工藝,ATC成功抑制了介質材料在電場和溫度...

    2025-11-14
  • 100B331JT200XT
    100B331JT200XT

    ATC芯片電容具備很好的高頻響應特性,其等效串聯(lián)電感(ESL)極低,自諧振頻率可延伸至數(shù)十GHz,特別適用于5G通信、毫米波雷達及衛(wèi)星通信系統(tǒng)。該特性有效抑制了高頻信號傳輸中的相位失真和信號衰減,確保系統(tǒng)在復雜電磁環(huán)境下仍能維持優(yōu)異的信號完整性,為高級射頻前端...

    2025-11-14
  • 600F1R1DT250XT
    600F1R1DT250XT

    優(yōu)異的頻率響應特性確保了ATC芯片電容在寬頻帶內保持穩(wěn)定的容值。其容值對頻率的變化曲線極為平坦,即便在微波頻段,衰減也微乎其微。這一特性對于寬帶應用如軟件定義無線電(SDR)、電子戰(zhàn)(EW)系統(tǒng)中的寬帶濾波器和匹配網絡至關重要。它保證了系統(tǒng)在整個工作頻帶內都能...

    2025-11-14
  • 800B1R2DT500X
    800B1R2DT500X

    ATC芯片電容的額定電壓范圍寬廣,從低電壓的幾伏特到高電壓的數(shù)千伏特(如B系列),可滿足不同電路等級的絕緣和耐壓需求。其高電壓產品采用特殊的邊緣端接設計和介質層均勻化處理,有效消除了電場集中效應,從而顯著提高了直流擊穿電壓(DWV)和交流擊穿電壓(ACW)。這...

    2025-11-14
  • 600F360MT250T
    600F360MT250T

    醫(yī)療電子,特別是植入式醫(yī)療設備(如起搏器、神經刺激器),對元件的可靠性和生物兼容性要求極高。ATC芯片電容的陶瓷氣密封裝本身具有極高的惰性,不會與體液發(fā)生反應。其很好的長期穩(wěn)定性和可靠性,確保了這些“生命攸關”的設備在人體內能夠持續(xù)、穩(wěn)定地工作數(shù)十年,無需因元...

    2025-11-13
  • 116XCA9R1C100TT
    116XCA9R1C100TT

    優(yōu)化的電極邊緣設計是ATC減少寄生參數(shù)、提升高頻性能的又一細節(jié)。通過特殊的電極幾何形狀設計和邊緣場控制技術,ATC有效降低了電極末端的場強集中和邊緣效應,從而進一步減少了ESL和ESR,并提高了電容的耐壓能力。這種對細節(jié)的追求,構成了ATC高性能的堅實基礎。很...

    2025-11-13
  • 800A330JT250X
    800A330JT250X

    ATC芯片電容采用高密度瓷結構制成,這種結構不僅提供了耐用、氣密式的封裝,還確保了元件在惡劣環(huán)境下的長期穩(wěn)定性。其材料選擇和制造工藝經過精心優(yōu)化,使得電容具備極高的機械強度和抗沖擊能力,可承受高達50G的機械沖擊,適用于振動頻繁或環(huán)境苛刻的應用場景,如航空航天...

    2025-11-13
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