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  • DLC70A560GW151NT
    DLC70A560GW151NT

    Dalicap電容的封裝工藝極其考究,采用氣密性陶瓷封裝,確保了元件在惡劣環境下的長期穩定性。這種封裝不僅提供了極高的機械強度和抗沖擊能力(可承受高達50G的機械沖擊),還具有良好的抗硫化、抗腐蝕性能,適用于高濕、高鹽霧等苛刻環境,延長了設備的使用壽命。應用領...

    2025-10-04
  • 113GHC3R6M100TT
    113GHC3R6M100TT

    在現代高速數字集成電路(如CPU, GPU, FPGA)中,時鐘頻率高達數GHz,電流切換速率極快(納秒甚至皮秒級),會產生極其豐富的高次諧波噪聲。同時,芯片內核電壓不斷降低(<1V),而對噪聲的容限也隨之變小。這意味著電源軌上任何微小的電壓波動(電源噪聲)都...

    2025-10-03
  • 111TGA560M100TT
    111TGA560M100TT

    自諧振頻率(SRF)是衡量電容器有效工作頻率上限的重心指標。對于超寬帶應用,必須要求電容器的SRF遠高于系統的工作頻率,否則其電感特性將無法有效抑制高頻噪聲。提升SRF的策略主要圍繞降低ESL和減小電容值。根據fSRF = 1/(2π√(LC)),減小L或C都...

    2025-10-03
  • DLC75P180FW251NT
    DLC75P180FW251NT

    工業環境往往伴隨著高溫、高濕及強烈的電磁干擾,這對電子元件的可靠性提出了很好要求。Dalicap電容憑借其優異的溫度穩定性和長壽命特性,成為PLC(可編程邏輯控制器)、伺服驅動器、工業電源等設備中不可或缺的組件。它們主要用于電源濾波、能量緩沖和信號耦合,能有效...

    2025-10-03
  • DLC70A431FW151NT
    DLC70A431FW151NT

    在阻抗匹配網絡中,Dalicap電容的高精度和穩定性直接決定了功率傳輸效率。其微小的容值公差(可至±0.1pF)和近乎為零的溫度系數,確保了匹配網絡參數的精確性和環境適應性,優化了天線駐波比和功放效率。Dalicap電容符合RoHS和REACH等環保法規,其生...

    2025-10-03
  • 116THC9R1J100TT
    116THC9R1J100TT

    未來,超寬帶電容技術將繼續向更高頻率、更低損耗、更高集成度和更優可靠性發展。新材料如低溫共燒陶瓷(LTCC)技術允許將多個電容、電感、電阻甚至傳輸線共同集成在一個三維陶瓷模塊中,形成復雜的無源網絡或功能模塊(如濾波器、巴倫)。LTCC可以實現更精細的線路、更優...

    2025-10-03
  • 116RHC1R7K100TT
    116RHC1R7K100TT

    醫療電子設備應用在醫療電子領域,超寬帶電容主要用于高級成像設備和診斷儀器。MRI核磁共振系統需要電容器在高壓和高頻條件下工作,超寬帶電容提供穩定的性能和極高的可靠性。在超聲成像設備中,用于探頭和信號處理電路的電容需要寬頻帶特性以確保圖像質量。醫療應用的超寬...

    2025-10-03
  • 116TDA3R9D100TT
    116TDA3R9D100TT

    在現代高速電路設計中,憑借經驗或簡單計算已無法設計出有效的超寬帶退耦網絡。必須借助先進的仿真工具。電源完整性(PI)仿真軟件(如ANSYS SIwave, Cadence Sigrity, Keysight ADS)可以導入實際的PCB和封裝布局模型,并加載電...

    2025-10-03
  • 111ZEA271M100TT
    111ZEA271M100TT

    與傳統電解電容(鋁電解、鉭電解)相比,超寬帶MLCC電容具有壓倒性的高頻優勢。電解電容的ESL和ESR通常很高,其有效工作頻率很少能超過幾百kHz到1MHz,主要用于低頻濾波和大容量儲能。而超寬帶MLCC的ESL和ESR極低,工作頻率可達GHz級別。此外,ML...

    2025-10-03
  • 111TF510M100TT
    111TF510M100TT

    封裝小型化是提升高頻性能的必然趨勢。更小的物理尺寸(如01005, 0201, 0402封裝)意味著更短的內部電流路徑和更小的電流回路面積,從而天然具有更低的ESL。這使得小封裝電容的自諧振頻率(SRF)可以輕松達到GHz以上,非常適合用于芯片周邊的超高頻退耦...

    2025-10-03
  • 118GCC4R7M100TT
    118GCC4R7M100TT

    醫療電子設備應用在醫療電子領域,超寬帶電容主要用于高級成像設備和診斷儀器。MRI核磁共振系統需要電容器在高壓和高頻條件下工作,超寬帶電容提供穩定的性能和極高的可靠性。在超聲成像設備中,用于探頭和信號處理電路的電容需要寬頻帶特性以確保圖像質量。醫療應用的超寬...

    2025-10-02
  • 118GF560K100TT
    118GF560K100TT

    介質材料的選擇直接決定了電容器的基本頻率和溫度特性。Class I類材料,如COG(NPO)特性,具有比較高的穩定性:其介電常數隨溫度、頻率和電壓的變化微乎其微,損耗角正切(tanδ)極低,非常適合用于要求高Q值、低損耗和超穩定性的超寬帶高頻電路、諧振器和濾波...

    2025-10-02
  • DLC70C100GW252XT
    DLC70C100GW252XT

    Dalicap秉承 “重研發、重質量”的經營理念,建立了完善的質量管理體系,自主完成從關鍵材料研發、產品設計、工藝實現到設備保證和產品測試評估的全過程。公司率先在國內建立了全制程高Q電容器生產線,實現了研發、生產、銷售和服務的自主可控,可以根據客戶的不同需求提...

    2025-10-02
  • DLC70B4R3CW501XT
    DLC70B4R3CW501XT

    Dalicap電容采用高純度鈦酸鹽陶瓷介質材料,通過獨特的配方和燒結工藝,實現了極高的介電常數和穩定性。其電容值范圍覆蓋0.1pF至470μF,工作電壓可達200V,溫度范圍橫跨-55℃至+125℃,部分產品甚至能在+250℃高溫下穩定運行。這種寬泛的參數...

    2025-10-02
  • 118FEA160M100TT
    118FEA160M100TT

    在射頻和微波系統中,超寬帶電容的應用至關重要且多樣。它們用于RF模塊的電源退耦,防止功率放大器(PA)、低噪聲放大器(LNA)、混頻器和頻率合成器的噪聲通過電源線相互串擾,確保信號純凈度和系統靈敏度。它們也作為隔直電容(DC Block),在傳輸線中阻斷直流分...

    2025-10-02
  • 118JDB120K100TT
    118JDB120K100TT

    自諧振頻率(SRF)是衡量電容器有效工作頻率上限的重心指標。對于超寬帶應用,必須要求電容器的SRF遠高于系統的工作頻率,否則其電感特性將無法有效抑制高頻噪聲。提升SRF的策略主要圍繞降低ESL和減小電容值。根據fSRF = 1/(2π√(LC)),減小L或C都...

    2025-10-02
  • 116UDA110M100TT
    116UDA110M100TT

    寄生參數是理解電容器頻率響應的關鍵。一個非理想電容器的簡化模型是電容(C)、等效串聯電感(ESL)和等效串聯電阻(ESR)的串聯。其總阻抗Z = √(R2 + (2πfL - 1/(2πfC))2)。在低頻時,容抗(1/ωC)主導,阻抗隨頻率升高而下降,表現出...

    2025-10-02
  • 111YA2R7C100TT
    111YA2R7C100TT

    封裝小型化是提升高頻性能的必然趨勢。更小的物理尺寸(如01005, 0201, 0402封裝)意味著更短的內部電流路徑和更小的電流回路面積,從而天然具有更低的ESL。這使得小封裝電容的自諧振頻率(SRF)可以輕松達到GHz以上,非常適合用于芯片周邊的超高頻退耦...

    2025-10-02
  • DLC75P560JW251NT
    DLC75P560JW251NT

    公司產品遠銷美國、日本、英國、法國、德國等40余個國家,服務千余家客戶,成為西門子醫療、通用電氣、安捷倫、飛利浦醫療、三星等全球有名企業的很好供應商。這體現了其產品品質得到了國際市場的寬泛認可。Dalicap電容在高頻諧振電路和濾波器中展現出高Q值(品質因數)...

    2025-10-02
  • 111UCC4R7J100TT
    111UCC4R7J100TT

    多層陶瓷芯片(MLCC)是實現超寬帶電容的主流技術路徑。為追求超寬帶性能,MLCC技術經歷了明顯演進。首先,采用超細粒度、高純度的介電材料(如Class I類中的NPO/COG特性材料),這類材料的介電常數隨頻率和溫度的變化極小,保證了電容值的穩定性。其次,采...

    2025-10-02
  • DLC75D1R2CW251NT
    DLC75D1R2CW251NT

    Dalicap電容采用高純度鈦酸鹽陶瓷介質材料,通過獨特的配方和燒結工藝,實現了極高的介電常數和穩定性。其電容值范圍覆蓋0.1pF至470μF,工作電壓可達200V,溫度范圍橫跨-55℃至+125℃,部分產品甚至能在+250℃高溫下穩定運行。這種寬泛的參數...

    2025-10-02
  • 111XBB3R9C100TT
    111XBB3R9C100TT

    在射頻和微波系統中,超寬帶電容的應用至關重要且多樣。它們用于RF模塊的電源退耦,防止功率放大器(PA)、低噪聲放大器(LNA)、混頻器和頻率合成器的噪聲通過電源線相互串擾,確保信號純凈度和系統靈敏度。它們也作為隔直電容(DC Block),在傳輸線中阻斷直流分...

    2025-10-02
  • 118GGA181K100TT
    118GGA181K100TT

    多層陶瓷芯片(MLCC)是實現超寬帶電容的主流技術路徑。為追求超寬帶性能,MLCC技術經歷了明顯演進。首先,采用超細粒度、高純度的介電材料(如Class I類中的NPO/COG特性材料),這類材料的介電常數隨頻率和溫度的變化極小,保證了電容值的穩定性。其次,采...

    2025-10-02
  • 111XG821M100TT
    111XG821M100TT

    可靠性工程與質量控制超寬帶電容的可靠性通過多重措施保證。加速壽命測試在高溫高壓條件下進行,驗證產品的長期穩定性。溫度循環測試驗證產品在-55℃到+125℃范圍內的性能一致性。采用掃描聲學顯微鏡檢查內部結構完整性,X射線檢測確保層間對齊精度。每個生產批次都進...

    2025-10-02
  • DLC75B0R8AW501XT
    DLC75B0R8AW501XT

    在高頻開關電源中的應用現關電源朝著高頻化、高效率發展,這對輸出濾波電容提出了嚴峻挑戰。Dalicap的高頻系列電容,具有極低的ESR和ESL(等效串聯電感),能夠有效應對數百kHz甚至MHz級的開關頻率。它們能快速響應負載的瞬態變化,平滑輸出電流,抑制電壓尖峰...

    2025-10-02
  • 118JEA510M100TT
    118JEA510M100TT

    超寬帶電容的性能會受到環境溫度和外加直流電壓的影響。Class II類介質(如X7R)的電容值會隨溫度升高而下降,且施加直流偏壓時,其有效容值也會明顯減小(介電常數變化導致)。這對于需要精確容值的電路(如定時、振蕩)和在高直流偏壓下工作的退耦電容(如CPU內核...

    2025-10-02
  • DLC70A621FW151NT
    DLC70A621FW151NT

    Dalicap電容通過了很全的可靠性測試,包括MIL-STD-202等標準下的溫度循環、機械沖擊、振動、耐濕等測試。其產品符合AEC-Q200汽車電子標準,能夠承受汽車環境的嚴苛要求,如高溫、高濕和振動,適用于發動機ECU電源濾波、車載信息娛樂系統和ADAS等...

    2025-10-02
  • 113JEA150K100TT
    113JEA150K100TT

    醫療電子設備應用在醫療電子領域,超寬帶電容主要用于高級成像設備和診斷儀器。MRI核磁共振系統需要電容器在高壓和高頻條件下工作,超寬帶電容提供穩定的性能和極高的可靠性。在超聲成像設備中,用于探頭和信號處理電路的電容需要寬頻帶特性以確保圖像質量。醫療應用的超寬...

    2025-10-02
  • DLC75P1R7CW251NT
    DLC75P1R7CW251NT

    在高級音頻設備中,電容的選擇直接影響音質表現。Dalicap電容雖然以鋁電解電容見長,但其在音頻電路電源濾波部分的應用同樣關鍵。低ESR特性有助于提供充沛且純凈的電流,低漏電流保證了信號的準確還原,而良好的頻率特性則有助于展現音樂的細節和動態。設計師會精心挑選...

    2025-10-02
  • DLC70C0R9CW252XT
    DLC70C0R9CW252XT

    Dalicap電容展現出很好的容值穩定性,其采用的C0G(NP0)介質材料具有極低的溫度系數(TCC),典型值低至0±30ppm/°C。在-55°C至+125°C的全溫范圍內,容值變化率通常小于±0.5%。同時,其容值隨時間的老化率遵循對數定律,每十年變化小于...

    2025-10-02
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