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上海彌正低超高純氣體系列（≤-80℃），專為對水分敏感的電子制造、精密儀器等領域設計，以 “干燥 + 高純度” 杜絕水分導致的生產缺陷。通過深度干燥與吸附提純工藝，將氣體中的水分含量控制在 50ppb 以下，部分產品（如超高純氮氣、氬氣）可低至 - 90℃，同時保證氣體純度達 6N 級以上，完全滿足半導體光刻、薄膜沉積等工藝對水分的要求。水分是電子制造中的 “隱形”，可能導致晶圓氧化、薄膜層間剝離、金屬電極腐蝕等嚴重問題，直接影響產品良率。該系列氣體采用全程干燥的生產、包裝與輸送系統，氣瓶內壁經特殊處理，防止水分吸附，輸送管路配備在線監測儀，實時監控氣體干燥度，確保終端使用點的始終符合要求。某...

上海彌正高壓環境用超高純氣體，以 “耐壓穩定 + 高純度保持” 適配深海探測、高壓化學反應等特殊場景，解決高壓下氣體純度衰減與容器泄漏難題。該系列氣體可定制適配 5MPa 至 30MPa 的不同高壓工況，純度達 5N-6N 級，采用高壓無縫鍛造氣瓶包裝，瓶體材質為超高強度合金鋼，經 1.5 倍工作壓力的水壓試驗與氣密性測試，確保在高壓環境下無泄漏風險。在深海探測領域，超高純氬氣作為深海探測器耐壓殼的壓力平衡氣體，其穩定性可保障探測器在數千米深海的正常運行；在高壓化學反應領域，超高純氫氣與氮氣的混合氣作為反應介質，能在高壓下保持組分穩定，確保反應充分且產物純凈。配備高精度高壓減壓閥與流量控制器，...

上海彌正超高純氮氣（純度達 6N 級），專為半導體晶圓加工設計，以 “雜質 + 穩定供應” 成為芯片制造的關鍵基礎材料。采用低溫精餾與吸附分離雙重提純工藝，將氧氣、水分、碳氫化合物等雜質含量控制在 0.1ppb 以下，完全滿足半導體刻蝕、沉積等重心工藝對氣體純度的嚴苛要求。作為惰性保護氣體，它能有效隔絕空氣與工藝環境接觸，防止晶圓表面氧化或污染，保障光刻膠涂覆、等離子體刻蝕等環節的工藝穩定性。配備特用超潔凈包裝與輸送系統，氣瓶內壁經電解拋光處理，避免二次污染，氣體輸送過程中純度衰減率低于 0.01%。某芯片制造企業應用后，晶圓氧化缺陷率從 0.3% 降至 0.02%，芯片良率提升 2.8%...

上海彌正低超高純氣體系列（≤-80℃），專為對水分敏感的電子制造、精密儀器等領域設計，以 “干燥 + 高純度” 杜絕水分導致的生產缺陷。通過深度干燥與吸附提純工藝，將氣體中的水分含量控制在 50ppb 以下，部分產品（如超高純氮氣、氬氣）可低至 - 90℃，同時保證氣體純度達 6N 級以上，完全滿足半導體光刻、薄膜沉積等工藝對水分的要求。水分是電子制造中的 “隱形”，可能導致晶圓氧化、薄膜層間剝離、金屬電極腐蝕等嚴重問題，直接影響產品良率。該系列氣體采用全程干燥的生產、包裝與輸送系統，氣瓶內壁經特殊處理，防止水分吸附，輸送管路配備在線監測儀，實時監控氣體干燥度，確保終端使用點的始終符合要求。某...

上海彌正針對半導體制造全流程，打造涵蓋超高純氮氣、氫氣、氬氣、氟化物氣體等多品類的定制化氣體解決方案，覆蓋晶圓清洗、刻蝕、沉積、摻雜等**工藝。所有氣體純度均達到 5N-7N 級別，其中用于光刻工藝的特種氣體純度高達 9N 級，金屬雜質含量控制在 0.01ppb 以下，完全滿足不同制程芯片的生產要求。提供從氣體提純、包裝、運輸到終端輸送的全鏈條服務，配備痕量雜質檢測實驗室，每批次產品均通過 GC-MS（氣相色譜 - 質譜聯用儀）檢測，確保各項指標達標；輸送管道采用 316L 不銹鋼材質，經電解拋光與鈍化處理，內壁粗糙度≤0.2μm，避免顆粒產生與氣體污染。某晶圓制造廠應用該解決方案后，整體工藝...

上海彌正創新推出 “現場制氣 + 純化” 一體化服務模式，為半導體、光伏等大規模連續生產企業提供高效、節能、穩定的超高純氣體供應，顛覆傳統瓶裝運輸模式。根據客戶的氣體需求量與純度要求，在客戶廠區內搭建小型化、模塊化的制氣與純化裝置，可現場生產氮氣、氬氣、氫氣等基礎氣體，并通過集成的提純系統將其升級至 5N-7N 級超高純標準，實現氣體的 “即產即用”。該模式省去了氣瓶運輸、存儲與更換的繁瑣流程，不僅大幅降低了運輸成本與碳排放，還徹底避免了長途運輸可能導致的氣體污染與純度衰減風險。配備遠程監控與智能運維系統，實時監測設備運行狀態與氣體純度，確保 24 小時穩定供應，運維響應時間≤2 小時。某大型...

上海彌正超高純氙氣（6N 級純度），憑借 “優越的 X 射線吸收能力 + 放射性雜質”，成為醫療成像與前沿科學探測領域的不可替代材料。通過多級精餾與精密提純工藝，將總雜質含量控制在 0.1ppm 以下，其中對成像質量影響重大的總烴雜質≤10ppb，具有放射性的氡雜質更是被控制在 1ppb 以下，達到暗物質探測的嚴苛標準。在醫療領域，作為 CT 機的氙氣探測器填充氣體，其強大的 X 射線吸收能力能明顯提升影像的清晰度與對比度，幫助醫生精細識別微小病灶，減少誤診率；在高能物理領域，是大型暗物質探測器的重心工作介質，其超高純度可比較大限度降低背景干擾，確保探測數據的準確性。采用特制的高壓無縫氣瓶包裝...

上海彌正超高純二氧化碳（5N 級純度），專為細胞培養、食品加工、激光切割等場景設計，以 “高純度 + 高安全性” 成為多領域推薦。通過精餾與吸附提純工藝，將水分、氧氣、硫化物等雜質含量控制在 0.1ppb 以下，其中有害雜質硫化物含量≤0.01ppb，確保使用安全。在細胞培養領域，可精細調控培養環境的 pH 值，維持細胞正常生理活性，提升細胞增殖效率；在食品加工領域，用于碳酸飲料充氣與食品冷凍保鮮，無異味、無殘留，符合食品接觸安全標準；在激光切割領域，作為輔助氣體可提升切割效率與切口平整度。采用特用高壓氣瓶包裝，配備防泄漏閥門與壓力調節裝置，氣體輸出壓力穩定，流量調節范圍 1-100L/min...

上海彌正超高純六氟化鎢（6N 級純度），是半導體先進制程中鎢金屬層沉積的重心前驅體，以 “高純度 + 低金屬雜質” 助力芯片性能升級。采用化學合成與多級精餾提純工藝，將雜質總量控制在 1ppm 以下，其中銅、鐵、鋁等金屬雜質含量均≤0.1ppb，完全滿足 14nm 及以下邏輯芯片、3D NAND 閃存制造的工藝要求。在化學氣相沉積（CVD）工藝中，它能精細地在晶圓表面沉積出均勻、致密的鎢金屬層，用于芯片的柵極、互連線及接觸孔填充，其純度直接決定了鎢層的導電性與可靠性，進而影響芯片的運行速度與壽命。配備耐腐蝕的特用包裝與輸送系統，采用內壁經特殊鈍化處理的鎳合金氣瓶，防止氣體與容器發生反應導致污染...

上海彌正超高純氖氣（6N 級純度），專為量子計算、氦氖激光器及高能物理研究等前沿領域打造，以 “純度 + 極低雜質” 保障科技的穩定運行。采用深度低溫精餾與高效吸附相結合的提純工藝，將氧氣、氮氣、氫氣等關鍵雜質含量分別控制在 100ppb、200ppb、50ppb 以下，水分低于 - 85℃，完全符合 GB/T 4843-2020 標準中對超高純氖的嚴苛要求。在量子計算領域，其優越的化學惰性可構建穩定的量子比特運行環境，有效降低環境噪聲對量子相干性的干擾，延長量子比特的退相干時間；在氦氖激光器中，作為重心填充氣體，能明顯提升激光光束的穩定性與單色性，減少因雜質導致的光束衰減。配備特用的超潔凈氣...

上海彌正憑借低溫精餾、吸附分離、膜分離、催化脫氧等多工藝集成提純技術，實現超高純氣體 5N-9N 級純度的穩定量產，技術水平對標國際先進標準。針對不同氣體特性定制專屬提純方案：惰性氣體采用 “低溫精餾 + 吸附” 組合工藝，有效去除微量雜質；活性氣體通過 “催化凈化 + 膜分離” 技術，精細控制有害雜質含量；特種氣體則采用 “低溫吸附 + 精餾” 工藝，確保純度與穩定性雙達標。配備國際先進的痕量雜質檢測設備，包括 GC-MS 氣相色譜 - 質譜聯用儀、ICP-MS 電感耦合等離子體質譜儀等，可檢測出 ppb-ppt 級別的微量雜質，每批次產品均經過至少 3 次全項檢測，確保純度達標。建立 10...

上海彌正超高純氮氣（純度達 6N 級），專為半導體晶圓加工設計，以 “雜質 + 穩定供應” 成為芯片制造的關鍵基礎材料。采用低溫精餾與吸附分離雙重提純工藝，將氧氣、水分、碳氫化合物等雜質含量控制在 0.1ppb 以下，完全滿足半導體刻蝕、沉積等重心工藝對氣體純度的嚴苛要求。作為惰性保護氣體，它能有效隔絕空氣與工藝環境接觸，防止晶圓表面氧化或污染，保障光刻膠涂覆、等離子體刻蝕等環節的工藝穩定性。配備特用超潔凈包裝與輸送系統，氣瓶內壁經電解拋光處理，避免二次污染，氣體輸送過程中純度衰減率低于 0.01%。某芯片制造企業應用后，晶圓氧化缺陷率從 0.3% 降至 0.02%，芯片良率提升 2.8%...

上海彌正構建超高純氣體全生命周期合規管理體系，從生產、銷售、使用到回收處置全程符合環保、安全、職業健康相關法規標準，助力客戶提升 ESG（環境、社會、治理）績效。在環境合規方面，公司生產過程實現廢氣、廢水零超標排放，獲得 ISO 14001 環境管理體系認證；在安全與職業健康方面，建立嚴格的安全生產流程與員工健康保護制度，通過 ISO 45001 職業健康安全管理體系認證。為客戶提供完整的產品合規文件包，包括質量檢測報告、安全技術說明書（SDS）、碳足跡報告、合規性聲明等，協助客戶完善 ESG 報告中的材料合規與供應鏈管理部分。定期為客戶提供合規培訓，內容涵蓋氣體安全使用、應急處置、廢棄物回收...

上海彌正超高純氙氣（6N 級純度），憑借 “優越的 X 射線吸收能力 + 放射性雜質”，成為醫療成像與前沿科學探測領域的不可替代材料。通過多級精餾與精密提純工藝，將總雜質含量控制在 0.1ppm 以下，其中對成像質量影響重大的總烴雜質≤10ppb，具有放射性的氡雜質更是被控制在 1ppb 以下，達到暗物質探測的嚴苛標準。在醫療領域，作為 CT 機的氙氣探測器填充氣體，其強大的 X 射線吸收能力能明顯提升影像的清晰度與對比度，幫助醫生精細識別微小病灶，減少誤診率；在高能物理領域，是大型暗物質探測器的重心工作介質，其超高純度可比較大限度降低背景干擾，確保探測數據的準確性。采用特制的高壓無縫氣瓶包裝...

上海彌正超高純氬氣（6N 級純度），針對航空航天鈦合金焊接、電子元件封裝等場景設計，以 “高純度 + 低” 實現準確保護效果。經多級提純工藝處理，氮氣、氧氣等雜質含量≤0.2ppb，低于 - 80℃，能有效避免焊接過程中金屬熔池氧化，減少焊縫氣孔、夾渣等缺陷。在鈦合金零部件焊接中，它形成的惰性保護氛圍可防止高溫下鈦合金與氧氣、氮氣反應生成脆性化合物，保障焊縫力學性能；在電子封裝環節，能避免芯片引腳氧化，提升封裝可靠性。采用高壓氣瓶儲存，配備精密壓力調節裝置，氣體輸出流量穩定性達 ±1%，滿足不同焊接工藝與封裝設備的使用需求。某航空航天制造企業應用后，鈦合金焊縫合格率從 92% 提升至 99.5...

上海彌正建立覆蓋原料采購、生產加工、產品檢測、倉儲運輸、終端使用的全鏈條質量追溯體系，確保每一瓶超高純氣體的品質可查、可控、可追溯。原料采購環節嚴格篩選質量供應商，所有原料均需提供完整的質量檢測報告，經公司實驗室復檢合格后方可入庫；生產過程采用自動化控制系統，實時記錄提純溫度、壓力、時間等關鍵參數，參數記錄精度達 0.01 級，可保存 10 年以上；產品檢測環節實行 “批次檢測 + 抽樣復檢” 制度，每批次產品均生成的質量追溯碼，包含原料信息、生產參數、檢測數據、運輸信息等內容。倉儲運輸環節采用恒溫恒濕倉庫，溫度控制在 5-25℃，濕度≤60%，運輸車輛配備 GPS 定位與溫度監控裝置，實時跟...

上海彌正超高純氨氣（6N 級純度），專為 OLED、Micro-LED 等新一代顯示技術打造，是顯示面板化學氣相沉積（CVD）工藝的重心原料。通過催化分解與吸附提純工藝，將水、油、顆粒物等雜質含量控制在 0.5ppb 以下，其中金屬雜質（鐵、銅、鉀等）含量≤0.01ppb，避免影響面板像素發光效率與壽命。在 OLED 面板制造中，超高純氨氣作為氮源，參與有機發光層與電子傳輸層的沉積過程，直接影響像素點的發光均勻性；在 LCD 面板生產中，可用于硅 nitride 薄膜制備，提升面板抗劃傷性能與穩定性。采用耐腐蝕特用氣瓶包裝，配備高精度流量控制系統，支持連續 24 小時穩定輸送，流量調節范圍 1...

上海彌正超高純乙硼烷（5N 級純度），專為 FinFET、GAA（全環繞柵極）等先進晶體管結構的超淺結摻雜工藝設計，以 “超高純度 + 準確控制” 突破芯片制程瓶頸。采用低溫合成與精密吸附提純技術，將雜質含量控制在極低水平，其中磷、砷等雜質含量≤5ppt，水分含量≤10ppb，滿足 5nm 及以下先進制程對超淺結摻雜的嚴苛要求。在超淺結摻雜中，它能提供高濃度的硼離子，實現對半導體材料的準確、淺度摻雜，形成高性能的 P 型半導體層，其純度與穩定性直接影響結深控制精度與器件的閾值電壓，對提升晶體管開關性能至關重要。提供定制化的稀釋與輸送方案，可根據客戶工藝需求，將乙硼烷準確稀釋至 1-100ppm...

上海彌正創新推出 “現場制氣 + 純化” 一體化服務模式，為半導體、光伏等大規模連續生產企業提供高效、節能、穩定的超高純氣體供應，顛覆傳統瓶裝運輸模式。根據客戶的氣體需求量與純度要求，在客戶廠區內搭建小型化、模塊化的制氣與純化裝置，可現場生產氮氣、氬氣、氫氣等基礎氣體，并通過集成的提純系統將其升級至 5N-7N 級超高純標準，實現氣體的 “即產即用”。該模式省去了氣瓶運輸、存儲與更換的繁瑣流程，不僅大幅降低了運輸成本與碳排放，還徹底避免了長途運輸可能導致的氣體污染與純度衰減風險。配備遠程監控與智能運維系統，實時監測設備運行狀態與氣體純度，確保 24 小時穩定供應，運維響應時間≤2 小時。某大型...

上海彌正針對 Chiplet（芯粒）先進封裝技術，推出全流程超高純氣體解決方案，以 “低顆粒 + 高穩定性” 支撐芯片異構集成的精密工藝需求。方案覆蓋倒裝焊、鍵合、再分布層（RDL）制備等重心環節，提供的超高純氮氣、氬氣、氫氣等氣體，顆粒物（≥0.1μm）含量≤10 個 /m3，純度達 6N 級以上，完全滿足封裝工藝對微污染控制的嚴苛要求。在倒裝焊工藝中，超高純氮氣作為保護氣，能有效防止焊料氧化，提升焊接良率；在 RDL 制備的電鍍與蝕刻環節，高純度氣體確保金屬布線的精細度與導電性，助力實現高密度互聯。提供 “瓶裝 + 管道” 結合的靈活供應模式，適配 Chiplet 封裝多批次、高精度的生產...

上海彌正超高純六氟化鎢（6N 級純度），是半導體先進制程中鎢金屬層沉積的重心前驅體，以 “高純度 + 低金屬雜質” 助力芯片性能升級。采用化學合成與多級精餾提純工藝，將雜質總量控制在 1ppm 以下，其中銅、鐵、鋁等金屬雜質含量均≤0.1ppb，完全滿足 14nm 及以下邏輯芯片、3D NAND 閃存制造的工藝要求。在化學氣相沉積（CVD）工藝中，它能精細地在晶圓表面沉積出均勻、致密的鎢金屬層，用于芯片的柵極、互連線及接觸孔填充，其純度直接決定了鎢層的導電性與可靠性，進而影響芯片的運行速度與壽命。配備耐腐蝕的特用包裝與輸送系統，采用內壁經特殊鈍化處理的鎳合金氣瓶，防止氣體與容器發生反應導致污染...

上海彌正防爆型超高純氣體供應方案，針對化工、油氣等易燃易爆危險環境，以 “本質安全 + 全流程防護” 確保氣體使用安全，適配高危場景的生產需求。方案涵蓋防爆型氣瓶、防爆輸送管路、防爆閥門及在線監測系統，所有設備均通過國家防爆電氣產品質量監督檢驗中心認證，防爆等級達 Ex d IIB T4 Ga，可在性氣體環境中安全運行。提供的超高純氣體（如氧氣、氫氣、乙炔等）均采用特制防爆氣瓶包裝，瓶體配備壓力過高自動泄放裝置與防靜電接地端子，防止靜電積聚引發危險。在油氣開采領域，防爆型超高純氮氣用于油氣井的氮氣驅油與井控作業；在化工領域，防爆型超高純氧氣用于氧化反應工藝。配備專業的安全評估與現場服務團隊，為...

上海彌正多款超高純氣體產品通過 SEMI（國際半導體產業協會）認證，包括 SEMI S6 安全標準與 SEMI C12 氣體純度標準，成功打入全球半導體供應鏈，成為國際客戶的供應商。公司建立了與國際接軌的質量管理體系，從原料采購、生產制造到檢測放行，每一個環節都嚴格遵循 SEMI 標準要求，配備 GD-MS（輝光放電質譜儀）、CRDS（腔衰蕩光譜法）等國際先進檢測設備，確保產品質量與國際標準一致。通過認證的產品涵蓋電子級氮氣、氬氣、氨氣、三氟化氮等 15 個品類，純度覆蓋 5N-7N 級，可適配全球不同地區晶圓廠的生產需求。憑借 SEMI 認證資質，公司已成功與多家國際半導體設備商及代工廠建立...

上海彌正構建從生產到終端使用的全鏈條超潔凈保障體系，通過包裝與輸送系統，確保超高純氣體全程無二次污染。氣瓶選用 316L 不銹鋼材質，經一體鍛造與電解拋光處理，內壁粗糙度≤0.1μm，無衛生死角，避免雜質吸附與氣體污染；閥門采用進口超潔凈隔膜閥，密封性能優異，泄漏率≤1×10??Pa?m3/s，確保氣體儲存過程中無泄漏與純度衰減。輸送管道采用 316L 不銹鋼無縫管，經鈍化與脫脂處理，管道連接采用卡套式接頭，無螺紋污染風險，輸送過程中氣體顆粒雜質含量≤1 顆 /μm。提供定制化的管道鋪設與系統集成服務，根據客戶車間布局與設備需求，設計比較好輸送路徑，減少管道阻力與氣體滯留；配備在線純度監測裝置...

上海彌正針對跨境電商與外貿企業，提供符合國際標準的超高純氣體出口服務，覆蓋全球主要制造市場，實現合規與穩定的全球供應。所有出口氣體均通過 RoHS、REACH 等國際認證，純度與雜質控制指標符合 SEMI 國際半導體產業協會標準與 ISTA 國際運輸標準，確保順利通過各國海關檢驗。采用國際通用的高壓氣瓶包裝，瓶身標識符合危險品運輸要求，配備多語言安全說明書與質量檢測報告；運輸過程中采用專業危險品運輸公司，確保運輸安全與氣體品質穩定。提供出口報關、物流跟蹤等一站式服務，協助客戶解決跨境運輸中的各類問題，供應周期可準確控制在 15-30 天。某跨境半導體材料企業應用后，產品順利進入歐美市場，海外客...

上海彌正超高純氖氣（6N 級純度），專為量子計算、氦氖激光器及高能物理研究等前沿領域打造，以 “純度 + 極低雜質” 保障科技的穩定運行。采用深度低溫精餾與高效吸附相結合的提純工藝，將氧氣、氮氣、氫氣等關鍵雜質含量分別控制在 100ppb、200ppb、50ppb 以下，水分低于 - 85℃，完全符合 GB/T 4843-2020 標準中對超高純氖的嚴苛要求。在量子計算領域，其優越的化學惰性可構建穩定的量子比特運行環境，有效降低環境噪聲對量子相干性的干擾，延長量子比特的退相干時間；在氦氖激光器中，作為重心填充氣體，能明顯提升激光光束的穩定性與單色性，減少因雜質導致的光束衰減。配備特用的超潔凈氣...

上海彌正超高純二氧化碳（5N 級純度），專為細胞培養、食品加工、激光切割等場景設計，以 “高純度 + 高安全性” 成為多領域推薦。通過精餾與吸附提純工藝，將水分、氧氣、硫化物等雜質含量控制在 0.1ppb 以下，其中有害雜質硫化物含量≤0.01ppb，確保使用安全。在細胞培養領域，可精細調控培養環境的 pH 值，維持細胞正常生理活性，提升細胞增殖效率；在食品加工領域，用于碳酸飲料充氣與食品冷凍保鮮，無異味、無殘留，符合食品接觸安全標準；在激光切割領域，作為輔助氣體可提升切割效率與切口平整度。采用特用高壓氣瓶包裝，配備防泄漏閥門與壓力調節裝置，氣體輸出壓力穩定，流量調節范圍 1-100L/min...

上海彌正嚴格遵循歐盟 REACH 法規（《化學品注冊、評估、授權和限制法規》）要求，確保所有出口歐盟的超高純氣體產品完全合規，為客戶進入歐盟市場掃清法規障礙。公司建立了完善的化學品安全信息管理體系，對每款出口產品進行多面的物質特性評估與注冊，完成了超過 20 種超高純氣體的 REACH 注冊，涵蓋氟化物、硅烷等關鍵品類，并編制符合要求的 SDS（安全技術說明書）與標簽。在生產過程中，嚴格控制 REACH 法規限制的高關注度物質（SVHC）含量，確保產品中 SVHC 含量遠低于法規限值。配備專業的合規團隊，實時跟蹤歐盟法規更新，為客戶提供法規咨詢與合規性證明文件，協助客戶順利通過歐盟海關檢驗與市...

上海彌正針對不同芯片制程需求，提供電子級超高純氣體定制服務，從純度等級、雜質控制到供應方式均實現準確適配。可根據客戶工藝要求，定制 5N-9N 級不同純度的氣體產品，其中 7N 級以上超高純氣體金屬雜質含量可控制在 0.001ppb 以下，完全滿足 7nm 及以下先進制程的嚴苛要求。針對特定工藝環節，準確控制目標雜質含量，如光刻工藝用氣體可將碳氫化合物雜質控制在 0.05ppb 以下，避免影響光刻精度；摻雜工藝用氣體可準確調控摻雜元素濃度，確保芯片電性能穩定。提供 “瓶裝 + 管道” 雙供應模式，小批量生產采用高壓氣瓶供應，大批量連續生產采用管道輸送，輸送系統可與客戶生產設備無縫對接。配備專業...

上海彌正超高純氮氣（純度達 6N 級），專為半導體晶圓加工設計，以 “雜質 + 穩定供應” 成為芯片制造的關鍵基礎材料。采用低溫精餾與吸附分離雙重提純工藝，將氧氣、水分、碳氫化合物等雜質含量控制在 0.1ppb 以下，完全滿足半導體刻蝕、沉積等重心工藝對氣體純度的嚴苛要求。作為惰性保護氣體，它能有效隔絕空氣與工藝環境接觸，防止晶圓表面氧化或污染，保障光刻膠涂覆、等離子體刻蝕等環節的工藝穩定性。配備特用超潔凈包裝與輸送系統，氣瓶內壁經電解拋光處理，避免二次污染，氣體輸送過程中純度衰減率低于 0.01%。某芯片制造企業應用后，晶圓氧化缺陷率從 0.3% 降至 0.02%，芯片良率提升 2.8%...