42、QFJ（quad flat J-leaded package）四側J形引腳扁平封裝。表面貼裝封裝之一。引腳從封裝四個側面引出，向下呈J字形。是日本電子機械工業(yè)會規(guī)定的名稱。引腳中心距1.27mm。材料有塑料和陶瓷兩種。塑料QFJ多數(shù)情況稱為PLCC（見PLCC），用于微機、門陳列、DRAM、ASSP、OTP 等電路。引腳數(shù)從18至84。陶瓷QFJ也稱為CLCC、JLCC（見CLCC）。帶窗口的封裝用于紫外線擦除型EPROM以及帶有EPROM的微機芯片電路。引腳數(shù)從32至84。43、QFN（quad flat non-leaded package）集成電路四側無引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。90年代后期多稱為LCC。QFN是日本電子機械工業(yè)會規(guī)定的名稱。封裝四側配置有電極觸點，由于無引腳，貼裝占有面積比QFP小，高度比QFP低。J形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC和帶窗口的陶瓷QFJ的別稱（見CLCC和QFJ）。部分半導體廠家采用的名稱。新吳區(qū)質量集成電路廠家供應

集成電路的產(chǎn)生，任何發(fā)明創(chuàng)造背后都是有驅動力的，而驅動力往往來源于問題。那么集成電路產(chǎn)生之前的問題是，看一下1946年在美國誕生的世界上***臺電子計算機，它是一個占地150平方米、重達30噸的龐然大物，里面的電路使用了17468只電子管、7200只電阻、10000只電容、50萬條線，耗電量150千瓦 [1]。顯然，占用面積大、無法移動是它**直觀和突出的問題；如果能把這些電子元件和連線集成在一小塊載體上該有多好，相信，有很多人思考過這個問題，也提出過各種想法。典型的如英國雷達研究所的科學家達默，他在1952年的一次會議上提出：可以把電子線路中的分立元器件，集中制作在一塊半導體晶片上，一小塊晶片就是一個完整電路，這樣一來，電子線路的體積就可**縮小，可靠性大幅提高。常州節(jié)能集成電路產(chǎn)品介紹模擬集成電路又稱線性電路,用來產(chǎn)生、放大和處理各種模擬信號（指幅度隨時間變化的信號。

QUIP的別稱（見QUIP）。51、QUIP（quad in-line package）四列引腳直插式封裝。引腳從封裝兩個側面引出，每隔一根交錯向下彎曲成四列。引腳中心距1.27mm，當插入印刷基板時，插入中心距就變成2.5mm。因此可用于標準印刷線路板。是比標準DIP更小的一種封裝。日本電氣公司在臺式計算機和家電產(chǎn)品等的微機芯片中采用了些種封裝。材料有陶瓷和塑料兩種。引腳數(shù)64。52、SDIP（shrink dual in-line package）收縮型DIP。插裝型封裝之一，形狀與DIP相同，但引腳中心距（1.778mm）小于DIP（2.54mm），

19、H-（with heat sink）表示帶散熱器的標記。例如，HSOP表示帶散熱器的SOP。20、pin grid array（surface mount type）集成電路表面貼裝型PGA。通常PGA為插裝型封裝，引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA在封裝的底面有陳列狀的引腳，其長度從1.5mm到2.0mm。貼裝采用與印刷基板碰焊的方法，因而也稱為碰焊PGA。因為引腳中心距只有1.27mm，比插裝型PGA小一半，所以封裝本體可制作得不怎么大，而引腳數(shù)比插裝型多（250～528），是大規(guī)模邏輯LSI用的封裝。封裝的基材有多層陶瓷基板和玻璃環(huán)氧樹脂印刷基數(shù)。以多層陶瓷基材制作封裝已經(jīng)實用化。2025年將持續(xù)推進集成電路領域標準研制。

16、FQFP（fine pitch quad flat package）小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm的QFP（見QFP）。部分導導體廠家采用此名稱。17、CPAC（globe top pad array carrier）美國Motorola公司對BGA的別稱（見BGA）。18、CQFP（quad fiat package with guard ring）帶保護環(huán)的四側引腳扁平封裝。塑料QFP之一，引腳用樹脂保護環(huán)掩蔽，以防止彎曲變形。在把LSI組裝在印刷基板上之前，從保護環(huán)處切斷引腳并使其成為海鷗翼狀（L形狀）。這種封裝在美國Motorola公司已批量生產(chǎn)。引腳中心距0.5mm，引腳數(shù)**多為208左右。是高速和高頻IC用封裝，也稱為陶瓷QFN或QFN－C（見QFN）。錫山區(qū)質量集成電路廠家供應

陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁，基導熱率比氧化鋁高7～8倍，具有較好的散熱性。新吳區(qū)質量集成電路廠家供應

使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層。然后使用微影、擴散、CMP等技術制成MOSFET或BJT等組件，然后利用微影、薄膜、和CMP技術制成導線，如此便完成芯片制作。因產(chǎn)品性能需求及成本考量，導線可分為鋁制程和銅制程。IC由很多重疊的層組成，每層由圖像技術定義，通常用不同的顏色表示。一些層標明在哪里不同的摻雜劑擴散進基層（成為擴散層），一些定義哪里額外的離子灌輸（灌輸層），一些定義導體（多晶硅或金屬層），一些定義傳導層之間的連接（過孔或接觸層）。所有的組件由這些層的特定組合構成。新吳區(qū)質量集成電路廠家供應

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