6)自適應(yīng)控制。采用組合自適應(yīng)控制將系統(tǒng)劃分成關(guān)節(jié)子系統(tǒng)和柔性子系統(tǒng)。利用參數(shù)線性化的方法設(shè)計(jì)自適應(yīng)控制規(guī)則來(lái)辨識(shí)柔性機(jī)械臂的不確定性參數(shù)。對(duì)具有非線性和參數(shù)不確定性的柔性機(jī)械臂進(jìn)行了**控制器的設(shè)計(jì)。控制器的設(shè)計(jì)是依據(jù)Lyapunov方法的魯棒和自適應(yīng)控制設(shè)計(jì)。通過(guò)狀態(tài)轉(zhuǎn)換將系統(tǒng)分成兩個(gè)子系統(tǒng)。用自適應(yīng)控制和魯棒控制分別對(duì)兩個(gè)子系統(tǒng)進(jìn)行控制。7)PID控制。PID控制器作為很受歡迎和**廣泛應(yīng)用的控制器,由于其簡(jiǎn)單、有效、實(shí)用,被普遍地用于剛性機(jī)械臂控制,常通過(guò)調(diào)整控制器增益構(gòu)成自校正PID控制器或與其它控制方法結(jié)合構(gòu)成復(fù)合控制系統(tǒng)以改善PID控制器性能。8)變結(jié)構(gòu)控制。變結(jié)構(gòu)控制系統(tǒng)是一種不連續(xù)的反饋控制系統(tǒng),其中滑模控制是**普遍的變結(jié)構(gòu)控制。其特點(diǎn);在切換面上,具有所謂的滑動(dòng)方式,在滑動(dòng)方式中系統(tǒng)對(duì)參數(shù)變化和擾動(dòng)保持不敏感,同時(shí),它的軌跡位于切換面上,滑動(dòng)現(xiàn)象并不依賴于系統(tǒng)參數(shù),具有穩(wěn)定的性質(zhì)。變結(jié)構(gòu)控制器的設(shè)計(jì),不需要機(jī)械臂精確的動(dòng)態(tài)模型,模型參數(shù)的邊界就足以構(gòu)造一個(gè)控制器。 吸臂材質(zhì)優(yōu)，具有良好的耐腐蝕性和耐磨性。珠海本地晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂市場(chǎng)價(jià)

    基因決定”——生長(zhǎng)方法導(dǎo)致若要回答這個(gè)問(wèn)題，首先要說(shuō)一個(gè)大約有100余年歷史的原因。。。1918年，前蘇聯(lián)科學(xué)家切克勞斯基（Czochralski）建立起來(lái)一種晶體生長(zhǎng)方法——直拉式晶體生長(zhǎng)方法，簡(jiǎn)稱CZ法。硅晶圓的制造可以歸納為三個(gè)基本步驟：硅提煉及提純、單晶硅生長(zhǎng)、晶圓成型。首先是硅砂的提純及熔煉。這個(gè)階段主要是通過(guò)溶解、提純、蒸餾等一系列措施得到多晶硅。接下來(lái)是單晶硅生長(zhǎng)工藝。就是從硅熔體中生長(zhǎng)出單晶硅。高純度的多晶硅放在石英坩堝中，在保護(hù)性氣氛中高溫加熱使其熔化。使用一顆小的籽晶緩慢地從旋轉(zhuǎn)著的熔體中緩慢上升，即可垂直拉制出大直徑的單晶硅錠。***一步是晶圓成型。單晶硅錠一般呈圓柱型，直徑從3英寸到十幾英寸不等。硅錠經(jīng)過(guò)切片、拋光之后，就得到了單晶硅圓片，也即晶圓。 珠海原裝晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂價(jià)格便宜機(jī)械手臂應(yīng)用場(chǎng)景多在制造業(yè)。

    建模理論柔性機(jī)械臂動(dòng)力學(xué)方程的建立主要是利用Lagrange方程和NeWton-Euler方程這兩個(gè)相當(dāng)有代表性的方程。另外比較常用的還有變分原理,虛位移原理以及Kane方程的方法。而柔性體變形的描述是柔性機(jī)械臂系統(tǒng)建模與控制的基礎(chǔ)。因此因首先選擇一定的方式描述柔性體的變形，同時(shí)變形的描述與系統(tǒng)動(dòng)力學(xué)方程的求解關(guān)系密切。[3]柔性體變形的描述主要有以下幾種：1)有限元法；2)有限段法；3)模態(tài)綜合法；4)集中質(zhì)量法；動(dòng)力學(xué)方程的建立無(wú)論是連續(xù)或離散的動(dòng)力學(xué)模型，其建模方法主要基于兩類基本方法：矢量力學(xué)法和分析力學(xué)法。應(yīng)用較***同時(shí)也是比較成熟的是Newton-Euler公式、Lagrange方程、變分原理、虛位移原理和Kane方程。

    目前，直拉法是生長(zhǎng)晶圓**常用的方法了，除了直拉法之外，常用的方法還有區(qū)熔法。區(qū)熔法，簡(jiǎn)稱Fz法。1939年，在貝爾實(shí)驗(yàn)室工作的W·G·Pfann較早萌生了“區(qū)域勻平”的念頭，后來(lái)在亨利·休勒、丹·多西等人的協(xié)助下，生長(zhǎng)出了高純度的鍺以及硅單晶，并獲得了**。這種方法是利用熱能在半導(dǎo)體多晶棒料的一端產(chǎn)生一熔區(qū)，使其重結(jié)晶為單晶。使熔區(qū)沿一定方向緩慢地向棒的另一端移動(dòng)，進(jìn)而通過(guò)整根棒料，使多晶棒料生長(zhǎng)成一根單晶棒料，區(qū)熔法也需要籽晶，且**終得到的柱狀單晶錠晶向與籽晶的相同。 對(duì)于粉塵作業(yè)的機(jī)械手還要添裝防塵設(shè)施。

研究背景近年來(lái)，隨著機(jī)器人技術(shù)的發(fā)展，應(yīng)用高速度、高精度、 高負(fù)載自重比的機(jī)器人結(jié)構(gòu)受到工業(yè)和航空航天領(lǐng)域的關(guān)注。由于運(yùn)動(dòng)過(guò)程中關(guān)節(jié)和連桿的柔性效應(yīng)的增加，使結(jié)構(gòu)發(fā)生變形從而使任務(wù)執(zhí)行的精度降低。所以，機(jī)器人機(jī)械臂結(jié)構(gòu)柔性特征必須予以考慮，實(shí)現(xiàn)柔性機(jī)械臂高精度有效控制也必須考慮系統(tǒng)動(dòng)力學(xué)特性。柔性機(jī)械臂是一個(gè)非常復(fù)雜的動(dòng)力學(xué)系統(tǒng)，其動(dòng)力學(xué)方程具有非線性, 強(qiáng)耦合, 實(shí)變等特點(diǎn)。而進(jìn)行柔性臂動(dòng)力學(xué)問(wèn)題的研究，其模型的建立是極其重要的。柔性機(jī)械臂不僅是一個(gè)剛?cè)狁詈系姆蔷€性系統(tǒng)，而且也是系統(tǒng)動(dòng)力學(xué)特性與控制特性相互耦合即機(jī)電耦合的非線性系統(tǒng)。動(dòng)力學(xué)建模的目的是為控制系統(tǒng)描述及控制器設(shè)計(jì)提供依據(jù)。一般控制系統(tǒng)的描述( 包括時(shí)域的狀態(tài)空間描述和頻域的傳遞函數(shù)描述) 與傳感器/ 執(zhí)行器的定位，從執(zhí)行器到傳感器的信息傳遞以及機(jī)械臂的動(dòng)力學(xué)特性密切相關(guān)。隨著機(jī)器人技術(shù)的發(fā)展，應(yīng)用高速度、高精度、高負(fù)載自重比的機(jī)器人結(jié)構(gòu)受到工業(yè)和航空航天領(lǐng)域的關(guān)注。珠海原裝晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂價(jià)格便宜

所述鋁合金平板下表面通過(guò)金屬箔片密封其真空腔體。珠海本地晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂市場(chǎng)價(jià)

接下來(lái)是單晶硅生長(zhǎng)，**常用的方法叫直拉法（CZ法）。如下圖所示，高純度的多晶硅放在石英坩堝中，并用外面圍繞著的石墨加熱器不斷加熱，溫度維持在大約1400 ℃，爐中的氣體通常是惰性氣體，使多晶硅熔化，同時(shí)又不會(huì)產(chǎn)生不需要的化學(xué)反應(yīng)。為了形成單晶硅，還需要控制晶體的方向：坩堝帶著多晶硅熔化物在旋轉(zhuǎn)，把一顆籽晶浸入其中，并且由拉制棒帶著籽晶作反方向旋轉(zhuǎn)，同時(shí)慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅會(huì)粘在籽晶的底端，按籽晶晶格排列的方向不斷地生長(zhǎng)上去。因此所生長(zhǎng)的晶體的方向性是由籽晶所決定的，在其被拉出和冷卻后就生長(zhǎng)成了與籽晶內(nèi)部晶格方向相同的單晶硅棒。珠海本地晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂市場(chǎng)價(jià)

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