Polos系列通過無掩模技術減少化學廢料產生，同時低能耗設計（如固態激光光源）符合綠色實驗室標準。例如，其光源系統較傳統DUV光刻機能耗降低30%，助力科研機構實現碳中和目標。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。空間友好設計：占地面積小于 1.2㎡，小型實驗室也能部署高精度光刻系統。河南桌面無掩模光刻機光源波長405微米

德國Polos-BESM系列光刻機采用無掩模激光直寫技術，突破傳統光刻對物理掩膜的依賴，支持用戶通過軟件直接輸入任意圖案進行快速曝光。其亞微米分辨率（most小線寬0.8 μm）和405 nm紫外光源，可在5英寸晶圓上實現高精度微納結構加工18。系統體積緊湊，only占桌面空間，搭配閉環自動對焦（1秒完成）和半自動多層對準功能，大幅提升實驗室原型開發效率，適用于微流體芯片設計、電子元件制造等領域。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優勢。遼寧桌面無掩模光刻機技術Benchmark：Polos-μPrinter 入選《半導體技術》年度創新產品，推動無掩模光刻技術普及。

在制備用于柔性顯示的納米壓印模板時，Polos 光刻機的亞微米級定位精度（±50nm）確保了圖案的均勻復制。某光電實驗室使用該設備，在石英基底上刻制出周期 100nm 的柱透鏡陣列，模板的圖案保真度達 99.8%，邊緣缺陷率低于 0.1%。基于此模板生產的柔性 OLED 背光模組，亮度均勻性提升至 98%，厚度減至 50μm，成功應用于下一代折疊屏手機，相關技術已授權給三家面板制造商。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。

無掩模激光光刻技術為研究實驗室提供了一種多功能的納米/微米光刻工具，可用于創建亞微米級特征，并促進電路和器件的快速原型設計。經濟高效的桌面配置使研究人員和行業從業者無需復雜的基礎設施和設備即可使用光刻技術。應用范圍擴展至微機電系統 (MEM)、生物醫學設備和微電子器件的設計和制造，例如以下領域：醫療（包括微流體）、半導體、電子、生物技術和生命科學、先進材料研究。全球無掩模光刻系統市場規模預計在 2022 年達到 3.3606 億美元，預計到 2028 年將增長至 5.0143 億美元，復合年增長率為 6.90%。由于對 5G、AIoT、物聯網以及半導體電路性能和能耗優化的需求不斷增長，預計未來幾十年光刻市場將持續增長。工業4.0協同創新：與弗勞恩霍夫ILT合作優化激光能量分布，提升制造精度。

微納衛星對部件重量與精度要求苛刻，傳統加工難以兼顧。Polos 光刻機在硅基材料上實現了 50nm 深度的微溝槽加工，為某航天團隊制造出輕量化星載慣性導航陀螺結構。通過自定義螺旋型振動梁圖案，陀螺的零偏穩定性提升至 0.01°/h，較商用產品性能翻倍。該技術還被用于微推進器噴嘴陣列加工，使衛星姿態調整精度達到亞毫牛級，助力我國低軌衛星星座建設取得關鍵突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。無掩模技術優勢：摒棄傳統掩模，圖案設計實時調整，研發成本直降 70%。廣東德國POLOS光刻機分辨率1.5微米

低成本科研普惠：桌面化設計減少投入，無掩膜工藝降低中小型實驗室門檻。河南桌面無掩模光刻機光源波長405微米

某集成電路實驗室利用 Polos 光刻機開發了基于相變材料的存算一體芯片。其激光直寫技術在二氧化硅基底上實現了 100nm 間距的電極陣列，器件的讀寫速度達 10ns，較傳統 SRAM 提升 100 倍。通過在電極間集成 20nm 厚的 Ge2Sb2Te5 相變材料，芯片實現了計算與存儲的原位融合，能效比達 1TOPS/W，較傳統馮?諾依曼架構提升 1000 倍。該技術被用于邊緣計算設備，使圖像識別延遲從 50ms 縮短至 5ms，相關芯片已進入小批量試產階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。河南桌面無掩模光刻機光源波長405微米