氣相沉積（英語：Physicalvapordeposition，PVD）是一種工業制造上的工藝，屬于鍍膜技術的一種，是主要利用物理方式來加熱或激發出材料過程來沉積薄膜的技術，即真空鍍膜(蒸鍍)，多用在切削工具與各種模具的表面處理，以及半導體裝置的制作工藝上。和化學氣相沉積相比，氣相沉積適用范圍廣，幾乎所有材料的薄膜都可以用氣相沉積來制備，但是薄膜厚度的均勻性是氣相沉積中的一個問題。PVD 沉積工藝在半導體制造中用于為各種邏輯器件和存儲器件制作超薄、超純金屬和過渡金屬氮化物薄膜。最常見的 PVD 應用是鋁板和焊盤金屬化、鈦和氮化鈦襯墊層、阻擋層沉積和用于互連金屬化的銅阻擋層種子沉積。氣相沉積在半導體制造中發揮關鍵作用。武漢可控性氣相沉積裝置

氣相沉積技術中的原位監測技術對于控制薄膜質量和優化工藝參數至關重要。通過原位監測，可以實時觀察沉積過程中薄膜的生長情況、結構和性能變化，從而及時調整工藝參數，確保薄膜質量達到比較好狀態。這種技術的應用有助于提高氣相沉積技術的精確性和可靠性。氣相沉積技術還可以結合其他表面處理技術，如離子束刻蝕、濺射等，實現薄膜的精細加工和改性。通過這些技術的聯合應用，可以進一步調控薄膜的微觀結構和性能，滿足特定應用的需求。武漢高透過率氣相沉積裝置通過氣相沉積，可以實現高質量的超導薄膜制備。

氣相沉積技術具有廣泛的應用范圍，不僅適用于金屬、陶瓷等傳統材料的制備，還可用于制備高分子、生物材料等新型材料。這為該技術在更多領域的應用提供了廣闊的空間。隨著環保意識的日益增強，氣相沉積技術也在綠色制造領域發揮著重要作用。通過優化工藝參數和減少廢棄物排放，該技術為實現材料制備過程的節能減排提供了有效途徑。未來，隨著材料科學和技術的不斷發展，氣相沉積技術將繼續在材料制備領域發揮重要作用。通過不斷創新和完善，該技術將為更多領域的發展提供強有力的技術支持。

氣相沉積技術中的金屬有機氣相沉積（MOCVD）是一種重要的制備方法，特別適用于制備高純度、高結晶度的化合物薄膜。MOCVD通過精確控制金屬有機化合物和氣體的反應過程，可以實現薄膜的均勻沉積和優異性能。氣相沉積技術中的原子層沉積（ALD）是一種具有原子級精度的薄膜制備方法。通過逐層沉積的方式，ALD可以制備出厚度精確控制、均勻性極好的薄膜，適用于納米電子學、光電子學等領域的高性能器件制備。在氣相沉積過程中，選擇合適的催化劑或添加劑可以有效提高沉積速率和薄膜質量。催化劑可以降低反應活化能，促進氣態原子或分子的反應；而添加劑則有助于改善薄膜的結晶性和致密度。氣相沉積的薄膜通常具有優異的機械和電學性能。

隨著科學技術的不斷發展，氣相沉積技術也在不斷創新和完善。新的沉積方法、設備和材料不斷涌現，為氣相沉積技術的應用提供了更廣闊的空間。未來，氣相沉積技術將在更多領域發揮重要作用，推動材料科學和工程技術的進一步發展。在氣相沉積過程中，氣氛的控制對薄膜的質量和性能有著主要影響。通過精確控制氣氛中的氣體種類、壓力和流量，可以實現對薄膜成分、結構和性能的精確調控。例如，在制備氧化物薄膜時，氣氛中的氧氣含量直接影響薄膜的氧化程度和電學性能。因此，氣氛控制是氣相沉積技術中不可或缺的一環。氣相沉積的薄膜在光學和電子領域具有重要應用。武漢低反射率氣相沉積設備

氣相沉積的薄膜可以用于制造高效的光催化劑。武漢可控性氣相沉積裝置

氣相沉積技術在多個領域中發揮著重要作用。在半導體行業，CVD被廣用于制造集成電路中的絕緣層、導電層和半導體材料，如硅、氮化硅和氧化鋁等。此外，氣相沉積還被應用于光伏材料的制備，如薄膜太陽能電池中的CdTe和CIGS薄膜。除了電子和光電領域，CVD技術在涂層技術中也有重要應用，例如在工具表面沉積硬質涂層，以提高耐磨性和抗腐蝕性。隨著納米技術的發展，氣相沉積在納米材料的制備中也展現出廣闊的前景。氣相沉積技術具有許多優點，包括高沉積速率、良好的薄膜均勻性和可控性，以及能夠在復雜形狀的基材上沉積薄膜。然而，CVD也存在一些缺點，例如設備成本較高、操作條件要求嚴格以及可能產生有害氣體的環境影響。此外，某些前驅體的毒性和腐蝕性也需要在操作過程中加以注意。因此，在選擇氣相沉積技術時，必須綜合考慮其優缺點，以確保在特定應用中的有效性和安全性。武漢可控性氣相沉積裝置